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國立中央大學 資訊工程學系 許富皓所指導 王駿逸的 USBIPS: A Framework for Protecting A Host against Malicious Behaviors behind USB Peripherals （2021），提出Chrome cannot open P關鍵因素是什麼，來自於USB peripheral、HID (Human Interface Device)、protocol masquerading、USB firewall、EDR (Endpoint Detection and Response)。
而第二篇論文明新科技大學 化學工程與材料科技系碩士班 陳邦旭所指導 呂理豪的 使用直接雷射沉積製備高熵合金披覆層特性研究 （2020），提出因為有 直接雷射沉積、高熵合金、硬度與磨耗的重點而找出了 Chrome cannot open P的解答。
USBIPS: A Framework for Protecting A Host against Malicious Behaviors behind USB Peripherals
為了解決Chrome cannot open P 的問題，作者王駿逸 這樣論述：
近年來，以USB為媒介的攻擊手法變得越來越複雜。從社交工程到信號注入，現代的攻擊手法涵蓋了廣泛的攻擊面向。為了應對這些挑戰，資安社群已採用了越來越多技術深入卻範圍零散的防禦措施。無論基於USB的攻擊採用何種面向的手法，許多個人和企業所關注的最重要風險是服務中斷和資料外洩。電腦的作業系統負責管理USB周邊設備，然而透過USB周邊設備的惡意攻擊可以導致服務中斷或從作業系統內竊取資料，例如BadUSB這類型的攻擊。儘管有相關研究提出使用USB防火牆的概念，例如USBFILTER和USBGuard等方法，來防禦USB周邊設備的惡意行為，但它們仍無法有效地阻止現實世界中的入侵。本論文的重點是在電腦作業
系統內建構一個稱為USBIPS的安全架構，以防禦惡意的USB周邊設備，其中包括三項主要研究，目的是為了探索惡意行為的本質，並對於以USB為媒介的入侵手法建立持續性的防護。首先，我們提出一種基於行為的偵測機制，置重點於偵測以USB為媒介或與USB結合運用的攻擊行為。 其次，我們提出了一種基於白名單的USB存取控制方法的創新思維。最後，我們開發並實現了一套端點偵測與回應（EDR）系統，並構建了第一個以USB入侵防護為主的通用安全架構。 藉由集中式的威脅分析架構，此系統可以進行持續性的防護，並能偵測未知的惡意行為。透過解決關鍵的安全與效能挑戰，本論文中的這些研究成果，不僅使現今常用的作業系統足以抵禦
來自不受信任的USB周邊設備攻擊，也為後續的研究工作開創了一條寬敞大道。
使用直接雷射沉積製備高熵合金披覆層特性研究
為了解決Chrome cannot open P 的問題，作者呂理豪 這樣論述：
高熵合金作為新興材料，其性能優於傳統合金，但在常規製備時，易形成較大晶粒且無法製備大尺寸零件，因此直接雷射沉積技術其優異的特點適合製備高熵合金披覆層，但在多參數下的結構以及性能的影響仍需探討。在本研究中，主要以直接雷射沉積(Direct Laser Deposition,DLD)沉積 AlCoCrFeNiSi 高熵合金於 304 不鏽鋼基板之上，以維式硬度試驗機測量披覆硬度性質、落沙磨耗測試測量耐磨性、光學顯微鏡(OM)觀察AlCoCrFeNiSi 高熵合金表面型態、X 光繞射分析儀(XRD) 檢測 AlCoCrFeNiSi 高熵合金晶體結構、掃描式電子顯微鏡(SEM)觀察之 EDS 檢測
AlCoCrFeNiSi 高熵合金元素分布，本實驗針對不同雷射功率、雷射掃描速度、雷射槍距下，結構與性質的相關性。實驗過程分兩大部分，單道披覆的探討與多道披覆的探討，並針對披覆層稀釋率對於機械性質的影響與結構的變化，最初以單道討論參數對於沉積的披覆幾何形狀的結果以及界面混合程度影響，其中單道雷射功率 400 W 雷射掃描速度 7 mm/s 雷射槍距 11 mm 下披覆硬度可達 1073±25 HV，但因熔融不完全使結構較不穩定，而綜合比較下雷射功率 400 W雷射掃描速度 11 mm/s 雷射槍距 11 mm 具有高厚度可節省高熵材料損耗也無缺陷產生，且硬度值可達 870 HV；藉由單道披覆研
究參考，選擇合適參數進行多道披覆；當進行多道披覆時，因不斷重熔堆疊沉積所需厚度或零件，減少稀釋率影響，當雷射功率 300 W雷射掃描速度 7 mm/s 雷射槍距 11 mm 硬度值可達 1441±25 HV，但結構為柱狀晶結構，且具有過多奈米析出相，會導致塑性下降，使耐磨性降低；具有等軸晶結構可提高耐磨性，但需延長成核時間導致形成較大晶粒，而使硬度值下降，但研究表明整體硬度與耐磨耗皆遠高於 304 不鏽鋼。