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Electronic bulletin 的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦黃栢容寫的 美國移民：綠卡樂透抽籤攻略大全 和Adhikary, Sourav,Chakrabarti, Subhananda的 Quaternary Capped In(ga)As/GAAS Quantum Dot Infrared Photodetectors: From Materials to Devices都 可以從中找到所需的評價。
這兩本書分別來自白象文化 和所出版 。
國立陽明交通大學 電子研究所 林鴻志所指導 葉宇婕的 具有綠光雷射結晶多晶矽通道之T型閘薄膜電晶體射頻特性分析 （2021），提出Electronic bulletin 關鍵因素是什麼，來自於薄膜電晶體、多晶矽、雷射結晶、T型閘極、射頻元件。
而第二篇論文國立陽明交通大學 應用化學系碩博士班 李積琛所指導 謝育平的 氧化鎳負載於鋯酸稀土金屬氧化物Ln2Zr2O7(Ln= La,Nd,Gd,Ho)對於乙醇氧化蒸氣重組反應之影響 （2021），提出因為有 乙醇氧化蒸氣重組反應、催化劑、氧化鎳、乙醇、載體、氫氣的重點而找出了 Electronic bulletin 的解答。
美國移民：綠卡樂透抽籤攻略大全
為了解決Electronic bulletin 的問題，作者黃栢容 這樣論述：
你可知透過樂透綠卡抽籤移民美國，是目前條件與成本最低的移民方式！！ 只要你在台灣出生，並且高中畢業，就可以參加綠卡樂透抽籤！！！ 美國DV樂透綠卡抽籤完整ＳＯＰ，為你織就一場人人都做得起的美國夢！ 什麼是美國樂透抽籤移民（DV樂透抽籤）？ 如何參加DV樂透抽籤，如何準備資料？ 如何查詢中籤結果？ 如何判斷中籤籤號的高低？ 教你完全看懂VISA Bulletin？ 如何準備中籤之後的申請文件？ 如何調整你的面試時間？ 如何準備面試文件？ DV樂透從開始登錄抽籤時就有很多要避開的「坑」 中籤也並不保證一定可以取得美國移民簽證 中籤之
後還有著一條「正式申請」的漫漫長路要走 全書10萬字的詳盡ＳＯＰ，指點你一路上所有可能碰到的問題 一一攻略申請流程中的種種疑難雜症 避免因踩雷而失去這難能可貴的中籤機會
Electronic bulletin 進入發燒排行的影片
今回は「点検編」「確認編」「線路編」「とばっちり編」をお送りします
Reason for train delay / cancellation as seen on electronic bulletin board
在電子公告板上看到的列車延誤/取消的原因
전광판 볼 전철 지연 · 운휴 이유
具有綠光雷射結晶多晶矽通道之T型閘薄膜電晶體射頻特性分析
為了解決Electronic bulletin 的問題，作者葉宇婕 這樣論述：
本論文中，我們研究具有T型閘極、空氣邊襯及矽化閘/源/汲極多晶矽薄膜電晶體的射頻特性。為了提升多晶矽薄膜的晶粒尺寸，我們使用綠光奈秒雷射來製備厚度為50 nm與100 nm的多晶矽薄膜。結果顯示厚度為100 nm的薄膜能得到等效尺寸大於1 μm的晶粒大小，遠優於50 nm厚的多晶矽薄膜。我們於元件製作時採用了新穎的T型閘極技術，不僅降低元件的閘極電阻，也使電晶體具有比微影技術解析極限更小的閘極線寬，使轉導得以大幅提升。我們也分別利用高溫的快速熱退火及低溫的微波退火來活化源汲極雜質。在通道厚度為100 nm並以快速熱退火進行源汲極活化的多晶矽薄膜電晶體中，對最小通道長度達124 nm之元件，截
止頻率可達59.7 GHz，最大震盪頻率亦可達34 GHz。具有相同通道厚度並以微波退火來活化雜質的電晶體中，當通道長度微縮至102 nm，元件的截止頻率更高達63.6 GHz，最大震盪頻率亦可達29.7 GHz。相較過往文獻報導的多晶矽薄膜元件，我們以微波活化源汲極的薄膜電晶體達到了最高的截止頻率。
Quaternary Capped In(ga)As/GAAS Quantum Dot Infrared Photodetectors: From Materials to Devices
為了解決Electronic bulletin 的問題，作者Adhikary, Sourav,Chakrabarti, Subhananda 這樣論述：
Sourav Adhikary received the B.Sc. (Honors) degree in Physics from the Scottish Church College, University of Calcutta, Kolkata, India, and the M.Sc. degree in Applied Physics from the Indian School of Mines (Now IIT-ISM), Dhanbad, India, in 2008. He did his Ph.D in the Department of Electrical Engi
neering, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai, India in 2014. He has also worked as visiting scholar at CHTM, University of New Mexico, Albuquerque, USA for one year. After finishing PhD, he was working as research associate at IIT Bombay for six month, later he joined as post-doctoral fell
ow at Northwestern University, USA. He has published more than 20 international journals. His research interest includes In(Ga)As/GaAs and InAs/GaSb based materials and devices.Subhananda Chakrabarti received his M.Sc. and Ph.D. degrees from the Department of Electronic Science, University of Calcut
ta, Kolkata, India in 1993 and 2000, respectively. He was a Lecturer in the Dept. of Physics, St. Xavier’s College, Kolkata. He has been a Senior Research Fellow with the University of Michigan, Ann Arbor, from 2001 to 2005, a Senior Researcher with Dublin City University, Dublin City, Ireland, from
2005 to 2006, and a Senior Researcher (RA2) with the University of Glasgow, Glasgow, U.K., from 2006 to 2007. He joined as an Assistant Professor in the Department of Electrical Engineering, IIT Bombay, Mumbai, India, in 2007. Presently, he is a Professor in the same department. He is a Fellow of t
he Institution of Electrical and Telecommunication Engineers (IETE) India and also a Member of the IEEE, MRS USA, SPIE USA etc. He is the 2016 medal recipient of the Materials Research Society of India and was also awarded the 2016 NASI-Reliance Industries Platinum Jubilee Award for Application Orie
nted Innovations in Physical Sciences. He serves as an Editor of the IEEE Journal of Electron Device Society. He has authored more than 250 papers in international journals and conferences. He has also co-authored a couple of book chapters on intersubband quantum dot detectors. Dr. S. Chakrabarti se
rves as reviewer for a number of international journals of repute such as Applied Physics Letters, Nature Scientific Reports, IEEE Photonics Technology Letters, IEEE Journal of Quantum Electronics, Journal of Alloys and Compound, Material Research Bulletin etc. His research interests lie in compound
(III-V and II-VI) semiconductor based optoelectronic materials and devices.
氧化鎳負載於鋯酸稀土金屬氧化物Ln2Zr2O7(Ln= La,Nd,Gd,Ho)對於乙醇氧化蒸氣重組反應之影響
為了解決Electronic bulletin 的問題，作者謝育平 這樣論述：
本研究以Glycine-nitrate Combusion法合成Ln2Zr2O7(LnZO)，Ln=La、Nd、Gd、Ho，La2Zr2O7(LZO)、Nd2Zr2O7(NdZO)為燒綠石結構；Gd2Zr2O7(GdZO)、Ho2Zr2O7(HoZO)為螢石結構，使用該法製備的粉體透過2種製程來製作壓碇及注漿2種載體。透過BET測量載體比表面積上，載體前趨物的粉體夠小，則2種製程對於比表面積的影響不大，比表面積大部分以壓碇載體大於注漿載體，數值都介於一個數量級之間。效率測試部分，本研究以氧化鎳為觸媒，含浸在2種壓碇及注漿載體上，個別進行乙醇氧化蒸氣重組反應(OSRE)產氫，在C/O=0.7，
啟動溫度為500°C和GHSV=120,000h-1的條件下，在含浸絕對重量相同的氧化鎳在4種LnZO的壓碇及注漿載體上，2種載體活性表現相似，且在NiO/GdZO有最佳氫氣選擇率121%(0.7)，乙醇轉化率為100%(0.5)。活性表現的因素有以下兩種可能：1. 載體的酸鹼特性會影響氣體的吸附表現，在NiO/GdZO上顯示，可以有效地吸附CO，並且促進WGS反應的發生。2. 載體結構有2種，燒綠石以及螢石結構，螢石結構因為金屬陽離子會共同填站在同一位置上，因此有較多的氧空缺生成，強化氣體的吸附，使得活性表現獲得進一步的提升。最佳的觸媒載體組合為NiO/GdZO，在100小時的長
時間活性測試後，氫氣選擇率為88%，乙醇轉化率為100%轉換。