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應用於標準元件與印刷電路板設計之繞線技術研究

為了解決e.sun commercial ban的問題，作者林世庭 這樣論述：

繞線於積體電路設計中為一必要且被廣泛應用的階段，隨著製程不斷演進，大量的訊號數量與複雜的設計規範大幅提高了繞線問題的複雜度。現今已有許多電子設計自動化(EDA)的工具與演算法被提出來克服複雜的晶片層級繞線，不過仍有一些重要的繞線問題是現存的演算法難以跟人工繞線產出近似的品質的，如標準元件繞線與印刷電路板繞線，這會導致工程師需花費大量時間與精力來完成這些繞線工作。因此，此論文擬提出許多的繞線方法以產出就算與人工繞線相比亦具有競爭力的繞線結果。因此，我們將提出之方法分為兩大主題，自動化標準元建合成與印刷電路板繞線。於自動化的標準元件合成，我們提出了第一個可以全自動合成標準元件庫並考慮drain-

to-drain abutment (DDA)於7奈米鰭式場效電晶體，我們首先提出基於動態規劃演算法的考慮DDA之電晶體擺放方法，並提出基於整數線性規劃之最佳化金屬第0層(M0)規劃演算法以降低第1金屬層(M1)的繞線擁擠度，所以標準元件的輸出入接點(I/O pin)的接入能力也因第2金屬層(M2)的使用量減少而提高。另一方面，我們分析有兩個主要原因導致自動化的標準元件繞線難以跟人工繞線產出近似的品質，其一為自動化的繞線難以完全使用元件中的空間，另外一個原因是以往的標準元件繞線研究並沒有考慮電容耦合所帶來的效能影響。因此，我們提出可隱式動態調整之繞線圖來繞線可以提高繞線資源的使用，我們也將考慮

電容耦合的繞線演算法轉成二次式規劃的方城組來最佳化標準元件的效能。實驗結果證實我們的標準元件庫不只可以幫助減少晶片的面積達5.73%，亦可以提供具有更好的面積與效能的標準元件。多行高的標準元件架構已在現今的設計中越來越流行，但卻沒有被以往的研究完整的討論，在此論文中，我們提出一個完整的擺放與繞線流程與方法以合成多行高的標準元件。我們提出一個基於A*搜尋演算法的多行高電晶體擺放方法以最佳化內行與跨行的連接能力，我們亦提出第一個基於最大化可滿足(Max-SAT)演算法的細部繞線器，其可以最佳化連接線長並滿足基本的設計規範。實驗結果證實我們所合成的標準元件與目前先進的單行標準元件具有近似的品質，且因

我們的多行高標準元件具有較好的長寬比，所以可以在合成晶片時具有更好的彈性。最後，因為越來越高的接點密度與繞線層數，印刷電路板繞線變得越來越複雜。印刷電路板繞線可分為兩個階段，逃離繞線與區域繞線。傳統的逃離繞線只專注於讓接點之連線逃離該晶片區塊，但未考慮其逃離位置對於晶片繞線的可繞度之影響。在此論文中，我們提出了一個完整的印刷電路板繞線流程與方法，其包含了同時性逃離繞線、後繞線最佳化、與區域繞線，而我們所提之印刷電路板繞線可以完成七個目前商業用印刷電路板繞線軟體無法完成的業界印刷電路板設計。 另外，在考慮業界提供之可製造性規範後，我們所提出的逃離繞線依然可以在加入額外設計的方城組後完成所有業界提

供的設計

應用自開發之程序控制系統於電漿電解氧化製程以探討氧化膜性能提升機制之研究

為了解決e.sun commercial ban的問題，作者黃冠諭 這樣論述：

誌謝 I中文摘要 II英文摘要 IV目次 VI圖目次 X表目次 XVIIIChapter.1 前言 11.1 電漿電解氧化技術的發展背景 11.2 研究動機 4Chapter.2 電漿電解氧化處理 52.1 電漿電解氧化(PEO) 52.1.1 電漿電解氧化機制原理 62.1.2 膜層電擊穿機制 112.1.3 電漿電解氧化之電源參數影響 152.1.4 PEO製程的物理/化學反應機制 182.2 PEO氧化膜層特性 252.2.1 膜層的反應與形成機制 252.2.2 PEO處理中常見的基材金屬 292.3 PEO製程常見的電解

質成分 342.4 程序控制法 382.5 應用於Mn摻雜TiO2光催化劑薄膜 402.5.1 揮發性有機汙染物 402.5.2 光催化反應機制 412.5.3 Mott-Schottky方程 442.5.4 二氧化鈦光觸媒 462.5.5 二氧化鈦光觸媒的製備方法 512.5.6 提升二氧化鈦光觸媒光吸收效能之技術 542.6 應用於HA與L乳酸鈣於生醫改質氧化膜層 572.6.1 PEO於生醫改質之發展與應用 572.6.2 PEO生醫改質中常見的金屬植體 582.6.3 氫氧基磷灰石與L-乳酸鈣於生醫改質之用途 592.7 研究目的與實

驗規劃 61Chapter.3 程序控制法於PEO製程之應用 633.1 實驗方法 633.1.1 程序控制系統與設備 633.1.2 實驗設計 643.1.3 Mn: TiO2光催化劑實驗流程設計 683.1.4 以懸浮液搭配程序控制PEO製備TiO2膜層之流程設計 713.1.5 以離子溶液液搭配程序控制PEO製備TiO2膜層之流程設計 743.2 實驗基材選用與藥品準備 773.3 程序控制法於PEO製程基本分析 793.3.1 電源系統監控分析 793.3.2 膜層表面形貌與成分分析 793.3.3 孔徑與孔隙率分析 793.3.4

晶體結構相組成分析 803.3.5 紫外光－可見光吸收光譜分析 813.3.6 載子濃度分析 813.3.7 X射線光電子能譜分析 823.3.8 懸浮微粒之粒徑大小分析 83Chapter.4 多階段程序控制於PEO處理製備摻雜Mn: TiO2光催化劑 844.1 Mn: TiO2光催化劑特性探討 844.1.1 第一步驟製程設計對二氧化鈦膜層影響 844.1.2 不同含浸濃度錳離子對於二氧化鈦特性比較 904.1.3 不同電源模式含錳離子之二氧化鈦特性差異 1034.1.4 含浸法對錳離子含量之影響與離子機制之探討 1144.2 光觸媒催化效能測

試 119Chapter.5 以懸浮液搭配多階段程序控制PEO進行TiO2膜層製備 1215.1 HA於多階段程序控制PEO之影響 1215.1.1 單階段程序控制於PEO膜層特性之探討 1215.1.2 雙階段程序控制於PEO膜層特性之探討 1225.1.3 多階段程序控制於PEO膜層特性之探討 1295.2 HA於增加陽極氧化前處理之影響 1415.2.1 陽極處理膜層之特性探討 1415.2.2 陽極處理－多階段程序控制PEO膜層特性探討 142Chapter.6 以離子溶液搭配多階段程序控制PEO進行TiO2膜層製備 1626.1 電解液A於PE

O不同階段製程之膜層特性探討 1626.1.1 電解液A之乳酸鈣於雙階段PEO製程影響 1626.1.2 電解液A之乳酸鈣於三階段PEO製程影響 1706.2 電解液B於PEO不同階段製程之膜層特性探討 1736.2.1 電解液B之乳酸鈣於雙階段PEO製程影響 1736.2.2 電解液B之乳酸鈣於三階段PEO製程影響 182Chapter.7 結論與未來展望 1917.1 結論 1917.2 未來展望 192參考文獻 193