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這兩本書分別來自 和台科大所出版 。
國立交通大學 電子物理系所 張文豪所指導 吳至倫的 單層二硫化鉬與週期性表面電漿奈米結構耦合之激子-電漿子交互作用 （2018），提出光電子學應用關鍵因素是什麼，來自於二硫化鉬、週期性表面電漿奈米結構、激子-電漿子交互作用。
而第二篇論文國立中山大學 物理學系研究所 羅奕凱所指導 王映傑的 以氮化鎵為基底之三氮族薄膜在自旋電子學與光電子學方面應用之研究 （2014），提出因為有 奈米元件、氮化鎵微米碟、自旋分裂、分子束磊晶、氮化鎵、氮化鋁鎵/氮化鎵異質結構的重點而找出了 光電子學應用的解答。
最後網站宁存政(清华大学)：光电子学研究重大基础挑战及出路之管见則補充：第一个挑战对纳米光电器件在未来光电芯片上的 应用 至关重要。第二个挑战不仅与未来信息技术有关，也对未来显示、照明、高效太阳能电池等非常重要，第三个挑战涉及 ...
Plasmonic Materials and Metastructures: Fundamentals, Current Status, and Perspectives
為了解決光電子學應用 的問題，作者 這樣論述：
Plasmonic Materials and Metastructures: Fundamentals, Current Status, and Perspectives reviews the current status and emerging trends in the development of conventional and alternative plasmonic materials. Sections cover fundamentals and emerging trends of plasmonic materials development, includi
ng synthesis strategies (chemical and physical) and optical characterization techniques. Next, the book addresses fundamentals, properties, remaining barriers for commercial translation, and the latest advances and opportunities for conventional noble metal plasmonic materials. Fundamentals and adva
nces for alternative plasmonic materials are also reviewed, including two-dimensional hybrid materials composed of graphene, monolayer transition metal dichalcogenides, boron nitride, etc. In addition, other sections cover applications of plasmonic metastructures enabled by plasmonic materials with
improved material properties and newly discovered functionalities. Applications reviewed include quantum plasmonics, topological plasmonics, chiral plasmonics, nanolasers, imaging (metalens), active, and integrated technologies.
單層二硫化鉬與週期性表面電漿奈米結構耦合之激子-電漿子交互作用
為了解決光電子學應用 的問題，作者吳至倫 這樣論述：
過渡金屬二硫族化物(transition metal dichalcogenides, TMDs)具有直接能帶和能谷自由度等優點，在未來半導體光電子學應用上有很好的前景。在本論文中，我們利用單層的二硫化鉬與週期性表面電漿奈米結構耦合，並觀察到光激螢光(photoluminescence, PL)的增強。此外，由於電漿奈米結構的光的自旋-軌道耦合效應，單層的二硫化鉬輻射出之圓偏振螢光可以藉由與電漿奈米結構的表面電漿子(SPP)耦合，而在空間上傳遞往不同方向。我們用時域有限差分法(Finite-Difference Time-Domain, FDTD)來模擬，找到電漿結構的色散關係，並使用聚焦離
子束(Focused ion-beam, FIB)來製作表面電漿奈米結構，接著使用乾式轉移的方法將單層的二硫化鉬轉移到表面電漿奈米結構上，最後使用角度解析光譜量測二硫化鉬的激子發光，及帶有不同自旋之螢光與表面電漿子之耦合。
大學電子學實習(一) - 電子電路分析篇 - 附MOSME行動學習一點通：加值
為了解決光電子學應用 的問題，作者蕭敏學 這樣論述：
1.完全依電子學教學課綱進度編寫。 2.編寫結構分為：基本知識與實驗項目兩部分。 3.基本知識：論述電子電路基本理論、簡易設計方法與補充教材。 兼具正課複習與重點提示功能。 4.實驗項目：包含麵包板實際作業與電腦模擬兩部分之操作導引。 5.針對電子電路各項重點特性之驗證，本書工作範例豐富。 6.部分章節可供進階學習、參考與使用。
以氮化鎵為基底之三氮族薄膜在自旋電子學與光電子學方面應用之研究
為了解決光電子學應用 的問題，作者王映傑 這樣論述：
本論文探討了渥采結構之氮化鎵半導體及其合金在自旋電子學與光電子學中應用的潛力。首先於自旋電子學的部分，我們製備了不同鋁含量之氮化鋁鎵/氮化鎵異質結構半導體樣品，使用Subnikov-de Haas量測，研究樣品倒晶格空間中費米波向量與(k-dependence)自旋分裂能量之關係。研究中觀察到，當量子井中的費米能階接近ΔC1 與ΔC3導帶的反交叉點時，可得到較大的自旋分裂能量。我們也呈現了費米波向量與自旋分裂能量之異常關係來自於Rashba與Dresselhaus效應間以及高磁場貢獻的黎曼效應產生的相互干涉。此外，經由非線性曲線擬合，我們從變溫的Subnikov-de Haas量測當中觀測到
了type I 非拋物線型能帶之電子有效質量。 在光電子學應用的方面，我們針對了使用電漿輔助式分子束磊晶成長於鋰化鋁酸基板上的氮化鎵材料進行研究。透過定性的分析，我們得到了理想化成長M面氮化鎵薄膜與c面氮化鎵微米碟的磊晶條件。而實驗成長的c面氮化鎵微米碟亦被單一取出作為奈米結構發光二極體的研究。我們於單一氮化鎵微米碟上備製奈米尺寸的歐姆接點，並量得了氮化鎵微米碟的電阻率為7.037E-3 ohm-cm。此外，我們發展了一套背向式製程，利用p型氮化鎵基板作為氮化鎵微米碟發光二極體所需的電極。透過此一製程方式，將可解決渥采氮化鎵奈米結構上電極製作之難題。