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半導體元件物理學第四版（上冊）

為了解決半導體物理的問題，作者施敏,李義明,伍國珏 這樣論述：

最新、最詳細、最完整的半導體元件參考書籍   　　《半導體元件物理學》（Physics of Semiconductor Devices）這本經典著作，一直為主修應用物理、電機與電子工程，以及材料科學的大學研究生主要教科書之一。由於本書包括許多在材料參數及元件物理上的有用資訊，因此也適合研究與發展半導體元件的工程師及科學家們當作主要參考資料。   　　Physics of Semiconductor Devices第三版在2007 年出版後（中譯本上、下冊分別在2008 年及2009 年發行），已有超過1,000,000 篇與半導體元件的相關論文被發表，並且在元件概念及性能上有許多突破，顯

然需要推出更新版以繼續達到本書的功能。在第四版，有超過50% 的材料資訊被校正或更新，並將這些材料資訊全部重新整理。   　　全書共有「半導體物理」、「元件建構區塊」、「電晶體」、「負電阻與功率元件」與「光子元件與感測器」等五大部分：第一部分「半導體物理」包括第一章，總覽半導體的基本特性，作為理解以及計算元件特性的基礎；第二部分「元件建構區塊」包含第二章到第四章，論述基本的元件建構區段，這些基本的區段可以構成所有的半導體元件；第三部分「電晶體」以第五章到第八章來討論電晶體家族；第四部分從第九章到第十一章探討「負電阻與功率元件」；第五部分從第十二章到第十四章介紹「光子元件與感測器」。（中文版上冊

收錄一至七章、下冊收錄八至十四章，下冊預定於2022年12月出版）   第四版特色   　　1.超過50%的材料資訊被校正或更新，完整呈現和修訂最新發展元件的觀念、性能和應用。   　　2.保留了基本的元件物理，加上許多當代感興趣的元件，例如負電容、穿隧場效電晶體、多層單元與三維的快閃記憶體、氮化鎵調變摻雜場效電晶體、中間能帶太陽能電池、發射極關閉晶閘管、晶格—溫度方程式等。   　　3.提供實務範例、表格、圖形和插圖，幫助整合主題的發展，每章附有大量問題集，可作為課堂教學範例。   　　4.每章皆有關鍵性的論文作為參考，以提供進一步的閱讀。

半導體物理進入發燒排行的影片

應用程式偵測積體電路佈局設計中的漏電

為了解決半導體物理的問題，作者楊雅媛 這樣論述：

摘要本論文將針對因互補式金屬氧化物半導體(CMOS, Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)高壓製程實際電路設計不當並無法靠模擬程式和驗證程式找出錯誤而造成漏電的問題做分析和提供解決方法。在CMOS非高壓製程設計時P型金氧半場效電晶體(PMOS, P-Metal-Oxide-Semiconductor)與N型金氧半場效電晶體(NMOS, N-Metal-Oxide-Semiconductor)皆是四端點的元件分別是源極(Source)、閘極(Gate)、汲極(Drain)、基極(Bulk)，但高壓製程步驟需要PMOS加上N型深井(Deep-NWell

)，因此PMOS會變為五端點的元件，而NMOS會因為加上Deep-NWell 則變為六端點的元件。 但在電路設計時PMOS與NMOS均只有四個端點，所以沒有PMOS的第五端點與NMOS的第五和第六端點的定義，因此，當進行IC實體電路設計時因Deep-NWell不允許浮接，所以這第五端點的電位要接到什麼電位就是最大的風險。 而在電路設計模擬時只能模擬出來四個端點的結果，因此不會察覺到任何錯誤，本論文將此部分定義為「實體電路盲區」。「實體電路盲區」會導致漏電，這個現象的形成是由半導體的P型與N型介面形成PN介面的二極體(Diode)導通的過程所造成的漏電現象，這會造成耗電量急遽增加，大幅超越原本的

規劃。 本論文利用電路設計階段所有的應用，思考整體架構後，使用IC實體電路設計的驗證軟體Calibre撰寫驗證程式，將這個寄生二極體導通的部分加以除錯(Debug)以避免漏電(Leakage)。

半導體物理簡明教程--基於翻轉課堂混合式教學

為了解決半導體物理的問題，作者杜凱（主編） 這樣論述：

利用稻殼製備SBA-15和添加TiO2 對甲基橙之光催化研究

為了解決半導體物理的問題，作者王聖曄 這樣論述：

本研究以稻殼農業廢棄物萃取矽製備中孔材料RH-SBA-15，實驗中先以稻殼製備矽酸鈉，並以P123為界面活性劑以合成RH-SBA-15中孔材料，再以合成的RH-SBA-15，加入二氧化鈦(TiO2)以探討對甲基橙(MO)進行光催化研究，並針對不同實驗條件探討最佳光催化之效果。製備完成後之樣品利用XRD測其晶相、FESEM觀察樣品外觀、TEM觀察細微結構、FTIR測定官能基、BET測定比表面積、UV-Vis DRS測定材料吸收波峰、XPS測定元素鍵結能以及UV/Vis測定染料濃度。光催化實驗中探討染料pH值、染料濃度、催化劑負載量、煅燒溫度、不同光源及催化劑添加量對其降解影響，找尋最佳光催化條

件。研究結果以染料pH為2，濃度於20ppm、催化劑負載量30wt%、煅燒溫度800°C、燈源波長於254nm及催化劑添加量至80mg時有最佳的光催化效果，回收實驗也發現催化劑重複利用後降解效率微幅下降，但整體仍維持於80%以上，自由基反應性探討也發現O2-對催化劑降解影響較明顯。