博士電子的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列股價、配息、目標價等股票新聞資訊

有一種勇敢，叫做自己：阿德勒夢之理論與精神官能症

為了解決博士電子的問題，作者亨利．史丹 這樣論述：

　　阿德勒個體心理學跳脫傳統框架， 　　指出人的天賦非天生，潛力亦非固定。 　　天賦、潛力和特殊資質只是構成一個人的元素， 　　而人可以根據想做的事，來決定他要如何利用這些元素。 　　個體心理學讓我們明白，遺傳不能決定人格的發展。每個人與生俱來的天賦不太一樣，但如何使用這些能力更為重要。若只看一個人的過去，永遠無法知道哪些行為才能代表這個人。但如果我們知道他要往哪裡去，就可從其目標來預測他的下一步。因此，「目標導向」、「目標適當與否」，是理解人類行為的重要概念。 　　阿德勒認為「勇氣是能力的基礎」，選擇做怎樣的自己、以怎樣的自己呈現在眾人面前、自己如何面對挫折困難、當外在認知與內在自我

發生衝突時，了解心理與行為背後的真實狀況，然後透過培養與引導，才能找到自己存在的價值。 　　想要成功，想要變得幸福，就要有勇氣，做自己的勇氣。 名人推薦 　　吳毓瑩 　　國立臺北教育大學心諮系教授、心理諮商與健康促進中心主任、臺灣阿德勒心理學會前理事長、監事  

博士電子進入發燒排行的影片

使用氬離子佈植的4H型碳化矽局部氧化製程後殘留的缺陷區研究

為了解決博士電子的問題，作者盧彥廷 這樣論述：

碳化矽作為寬能隙的半導體材料，擁有高臨界電場、高導熱率等特性，適合用於高功率元件。若要妥善運用碳化矽優異的材料性質，將碳化矽驅動IC和功率元件整合在一起是一個選擇，而為了提高碳化矽驅動IC的性能，縮短電晶體通道長度、增加電晶體密度，是必要的策略，因此需要良好的隔離技術。我們使用了氬離子佈植將碳化矽預先非晶化，使非晶碳化矽的氧化速率大幅提升，以達成局部氧化製程。然而，在熱氧化之後，仍會有一層缺陷區殘留於局部氧化層之下，這是由於位於離子佈植尾端的碳化矽雖然受到損傷，但並未達到非晶化的程度，因此在熱氧化的過程中並未被完全消耗。先前研究的結果顯示，使用局部氧化製程隔離的接面漏電和全區覆蓋式場氧化層相

比較高，而且當逆偏電壓夠大時，空乏區可能會延伸至缺陷層。因此，我們在這篇論文中將針對此缺陷層進行探討。首先，為了探討缺陷區帶來的影響，我們製作了在主動區上有缺陷區的蕭特基二極體以及金屬氧化物半導體電容以及沒有刻意形成缺陷區的對照組，並進行基本電性及深層能階暫態能譜分析。結果顯示，以蕭特基二極體來說，順偏電流和正常的對照組來說，出現了大幅度的下降，代表的是串聯電阻的大幅提高，額外的磷摻雜，則可以觀察到串聯電阻的降低。另外，在逆偏漏電流上，室溫下的影響相當輕微，但在高溫下卻可以看到缺陷層帶來的溫度效應。深層暫態能譜也顯示了在缺陷區中，至少出現了三種明顯的峰值，也就是三種位於能隙中的能階，我們分析了

這些能階的參數以及它們在碳化矽內的濃度輪廓。相對地，在對照組中，並未發現明顯的訊號。以金屬氧化物半導體電容來說，極小的電容值以及嚴重的遲滯現象顯示此缺陷區可以看作與閘極串聯的介電層並影響著電容特性，並且有相當多的能井影響著此處的載子。另一方面，以崩潰特性來看，此缺陷區不能作為絕緣層增加崩潰電場。金屬氧化物半導體電容的深層暫態能譜則因為缺陷區的主導著訊號而無法提供正確的介面能態密度。最後，在第三章，我們設計了較為特殊的實驗結構來進行范德堡法量測，想更明確且直接的觀察缺陷區的性質。實驗結果顯示，缺陷區對於n型碳化矽造成了99.4%的去活化率。另外在載子遷移率方面，含缺陷區的試片之遷移率遠低於正常擁

有相同摻雜濃度的碳化矽該有的量值，這代表了缺陷區內的確有晶格的損傷。最後，我們也再利用拉曼光譜檢視缺陷區的結晶度，較低的峰值也顯示了缺陷區的結晶度確實變差。以上研究使得我們對於碳化矽局部氧化製程所殘留的缺陷區狀態有了更明確的認識，最後也提出了幾個值得探討的未來工作。

世紀悲歌

為了解決博士電子的問題，作者多喜百合子（TakiYuriko） 這樣論述：

　　「然而 　　所有陣亡者及其遺族 　　不是報復 　　但願人間不再發生這種慘事。」 　　──〈不是報復〉（報復ではなく）   　　311地震福島核電外洩、廣島及長崎原爆、911恐怖攻擊、日本慰安婦議題——多喜百合子在《世紀悲歌》中表達了對世界上種種悲劇的憤怒與憂慮，透過文字，作者向世界大聲疾呼。質樸的句子，蘊含的情感是如此沉重，讀起來令人戰慄不已。不是報復，也不是威脅，她只願人間不再發生此等悲劇。   本書特色   　　★日本詩人多喜百合子首本中譯詩集。   　　★本詩集譯者亦是著名詩人李魁賢，獲頒2016年奈姆．弗拉舍里文學獎，賦予桂冠詩人榮銜，並聘為詩歌節榮譽委員；2017年國家文藝獎

得主。

一氧化氮退火及隔離製程對4H型碳化矽上之閘極氧化層之時依介電層崩潰研究

為了解決博士電子的問題，作者黃翊庭 這樣論述：

作為最有希望取代矽的半導體材料之一，碳化矽具有許多優點。例如，寬能帶，高導熱率和高臨界電場。由於這些有吸引力的材料特性，碳化矽金屬氧化物半導體場效電晶體成為低損耗和快速功率開關的最佳候選者。除了電性表現之外，還期望具有良好的穩定性。時依介電層崩潰是介電層長期可靠性的重要考慮之一，在改善電性表現的同時，我們也希望顧及到時依介電層崩潰的性能。本文主要研究一氧化氮退火及隔離製程對4H碳化矽上之閘極氧化層之時依介電層崩潰。碳化矽金屬氧化物半導體場效電晶體不能充分利用其優勢的主要原因之一是受到不佳的氧化層與半導體界面而導致的低通道遷移率。為了降低界面能態密度，採用一氧化氮退火製程。我們製造了閘極氧化層

厚度為25 nm的金氧半導體電容器，並研究了其界面特性。結果表明，對於厚度為25 nm的濕氧氧化層，在1200°C下進行15分鐘至30分鐘的一氧化氮退火足以改善界面態密度。除了界面特性外，還探討了一氧化氮退火對濕氧氧化層和乾氧化氧化層的時依介電層崩潰特性。我們準備了具有濕氧氧化層和乾氧氧化層的金氧半導體電容器，並對其進行了15和30分鐘的一氧化氮退火處理，量測方法採用定電壓應力以及投影十年預測電場。我們發現對於更長的一氧化氮退火時間，濕氧氧化層和乾氧氧化層的十年預測電場都會降低，其中對於濕氧化物的影響更為嚴重。綜合以上結果，可以推斷出較長的一氧化氮退火時間會導致較低的界面態密度，同時又會劣化時

依介電層崩潰的表現。該結果表明，必須仔細控制NO退火的持續時間。我們用具有不同氬離子植入遮罩的局部氧化隔離技術製造了金氧半導體電容器，並研究其時依介電層崩潰的特性。得到的結果為鳥嘴的傾斜度越平滑，時依介電層崩潰的性能就會越好。透過模擬，我們找到了影響的主因，鳥嘴的上部和下部的傾斜度將影響最大電場發生的位置。對於較陡峭的鳥嘴，分散電場的能力較弱，導致較高的電場集中在場區氧化層邊緣。根據以上結果，可以得出結論，場區氧化層邊緣輪廓對時依介電層崩潰性能有很大的影響。因此，由於較平緩的場氧化物邊緣輪廓，使得優化的局部氧化隔離技術顯示出比常規的場區氧化物隔離技術具有更大的潛力。