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工程科技通訊的問題,我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍,推薦行政院國家科學委員會工程技術發展處寫的 工程科技通訊 人物專訪選集 VIGNETTE 可以從中找到所需的評價。

南臺科技大學 機械工程系 蕭育仁所指導 黃中彥的 開發以微機電技術整合奈米金與異質薄膜之二氧化硫微型感測器 (2020),提出工程科技通訊關鍵因素是什麼,來自於二氧化硫氣體感測器、環繞式微加熱器、二氧化錫-氧化鎳薄膜、微機電系統製程、奈米金粒子。

而第二篇論文國立臺灣科技大學 光電工程研究所 黃柏仁所指導 蘇映嘉的 氧化鋅與二硫化鎢複合結構在高能隙薄膜材料之氫氣感測分析 (2020),提出因為有 氧化鋅奈米柱、二硫化鎢奈米片、奈米鑽石、氧化鎵、高能隙、氫氣感測的重點而找出了 工程科技通訊的解答。

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了工程科技通訊,大家也想知道這些:

工程科技通訊 人物專訪選集 VIGNETTE

為了解決工程科技通訊的問題,作者行政院國家科學委員會工程技術發展處 這樣論述:

  工程科技通訊98-100年度人物專訪輯選,集工程處19學門重要成果,深入淺出介紹技術內涵,讓學界成果通俗化,讀者能快速了解相關科技進展。

工程科技通訊進入發燒排行的影片

台灣科技產業發展蓬勃,推估在2030年,全台會有超過8萬個資通訊相關人才的缺口。有立委點出,國內有70%的職缺需要工程、資通訊背景,結果這兩個學門近十年的學生數降幅比例還高於少子化。有學者認為,可以仿效早期的「公費師專」概念,推出「理工公費生」來緩解人才缺口問題。

詳細新聞內容請見【公視新聞網】 https://news.pts.org.tw/article/525427

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開發以微機電技術整合奈米金與異質薄膜之二氧化硫微型感測器

為了解決工程科技通訊的問題,作者黃中彥 這樣論述:

本研究主要為設計與製造具環繞式微加熱器之檢測低濃度二氧化硫的二維結構氣體感測器。因此本研究將探討在環繞式微加熱器上濺鍍二氧化錫-氧化鎳異質結構雙層薄膜後添加奈米金粒子作為針對半導體式二氧化硫氣體感測薄膜材料量測其穩定性以及重現性,以上為半導體式二氧化硫氣體感測器所需製程都是以微機電製程結構作為設計與開發。本研究工作項目包含:(1)環繞式微加熱器設計,(2)氣體感測器之設計與製造,(3)環繞式微加熱器特性分析,(4)氣體感測器量測與分析等。由本結果可得知,在感測薄膜部分,在二氧化錫-氧化鎳P-N型異質結構雙層薄膜添加奈米金粒子後,不論是在重現性、響應值都明顯優於二氧化錫-氧化鎳雙層薄膜,然而在

雙層薄膜上最佳響應仍優於單層二氧化錫薄膜,在氣體量測部分,分別在四個不同工作溫度150、200、250、300OC下量測低濃度二氧化硫氣體分別為400ppb、800ppb、1200ppb、1600ppb、2000ppb,可得知最佳工作溫度為250度,其獲得最佳響應分別為25%、30%、34%、38%、40%,且發現對於其他氣體具有較高的選擇比如CO、VOC、Pyruvate、NH3,其響應分別為:7%、5%、4%、2%。關鍵字:二氧化硫氣體感測器、環繞式微加熱器、二氧化錫-氧化鎳薄膜、微機電系統製程、奈米金粒子。

氧化鋅與二硫化鎢複合結構在高能隙薄膜材料之氫氣感測分析

為了解決工程科技通訊的問題,作者蘇映嘉 這樣論述:

本論文研究以簡單及低成本的製程技術製備高響應值的氫氣感測元件,內文分為四個部分。第一部分為不同濃度及縮短製程時間的氧化鋅奈米柱(ZNR)之氫氣感測特性及分析;第二部分則是以前面氧化鋅奈米柱之氫氣感測分析最好的濃度作為基底,再以不同的製程手法參雜二硫化鎢奈米片(WS2 nanosheets)並進行氫氣感測及特性分析;第三部分為第二部分中二硫化鎢最佳克數參雜氧化鋅奈米柱的結果,成長在不同時間的超奈米鑽石薄膜(N-UNCD)上之氫氣感測及特性分析;第四部分則是將第二部分的最佳結果,成長在濺鍍不同瓦數的氧化鎵(Ga2O3)薄膜上,並進行氫氣感測及特性分析。研究顯示,ZNR-WS2(0.03g)從光激

發螢光(photoluminescence, PL)所得到INBE/IDLE為0.62其氧缺陷為87.24%,此時在500ppm的氫氣流量下,響應值為40.04%;而ZNR/WS2(0.03g) 從PL所得到INBE/IDLE為2.01其氧缺陷為75.99%,此時在500ppm的氫氣流量下,響應值為32.04%,造成響應值提升,其原因為整體的比表面積較大,加上摻雜二硫化鎢後之氧化鋅奈米柱的氧空位相較未摻雜的大,導致更多的氧氣吸附。由於奈米鑽石結晶與氧化鎵薄膜都是寬能隙的材料,與氧化鋅與二硫化鎢去做複合結構,可以發現在500ppm的氫氣流量下,ZNR-WS2/N-UNCD(5min)靈敏度為24

.06%,ZNR-WS2/N-UNCD_A400靈敏度為57.61%,ZNR/WS2/N-UNCD(5min)靈敏度為42.29%, ZnO/WS2/β-Ga2O3(80W)氫氣靈敏度最高響應為52.93%,其響應時間為27.25秒,恢復時間為100.82秒,相較ZNR/WS2/N-UNCD(5min)響應時間快約10秒,恢復時間快約25秒,其選擇性氣體量測也是較好的。