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微積分(三版一刷)

為了解決微分公式表的問題，作者 這樣論述：

　　複習高中職基礎數學，有助後續微積分學習。 　　全書編排清晰，淺顯易讀。 　　章節內容安排合理，能讓初學者在最短的時間內學會最多的知識。 　　題目類型完整且豐富。 　　文章思路清晰。 　　內容難度適中，很適合作為初學者的入門書。 　　解題步驟詳盡，並輔以相關公式的提示。 　　公式證明盡量避免冗長的符號，較易學習。 　　豐富的應用問題可以擴充讀者對微積分的理解。 第一章 基礎數學 第二章 導函數 第三章 導函數的應用 第四章 超越函數的導函數 第五章 積　分 第六章 積分技巧 第七章 積分的應用 第八章 參數方程式、向量與極座標 第九章 無窮級數 第十章 三維空間、偏導函數、

多重積分 Appendix　A 部分習題解答 Appendix　B 表B-1　常用測量單位 　　　　　　表B-2　代數公式 　　　　　　表B-3　幾何公式 　　　　　　表B-4　三角函數公式 　　　　　　表B-5　微分公式 　　　　　　表B-6　積分公式 　　　　　　表B-7　積分表

微分公式表進入發燒排行的影片

以第一原理量子傳輸理論研究在介面處有取代硫處理之二硫化鎢電晶體

為了解決微分公式表的問題，作者陳竑任 這樣論述：

矽基互補式金氧半場效電晶體的持續微縮遭遇短通道效應的限制，此限制從過去到未來的發展導致了一連串的問題。包含汲極引發位障降低(Drain-induced Barrier Lowering, DIBL)、閘極引發漏電(Gate-induced Drain Leakage, GIDL)、擊穿(Punch-Through)、載子遷移率下降等等。在各種可能使電晶體微縮至1nm節點以下的新穎通道材料中，具原子尺度的二維材料不僅直觀上可克服短通道效應，使電晶體更進一步微縮，同時仍保持高載子遷移率。單原子層WS2為一種最常被研究的過渡金屬二硫族化合物(TMD)材料，實驗上已被作為電晶體的通道材料來使用，並展

示出高電流開關比、高載子遷移率及高熱穩定性。發展WS2電晶體最迫切的挑戰在於降低接觸電阻，在本論文中，我們施以第一原理量子傳輸計算來研究Metal/WS2與Metal/WSX/WS2側接觸，試圖以硫族元素之取代來降低蕭特基位障，因此減少接觸電阻。在此該取代使用了五族或七族元素取代單層WS2一側部分區域之硫族元素，產生超材料WSX (X= P, As, F, Cl, Br)的部分。另外，我們進一步比較該取代在界面金屬化與界面鍵結以及其在蕭特基位障的效果。如此之WSX緩衝接觸展示了p型Pt/WSP/WS2側接觸和n型Ti/WSCl/WS2側接觸的接觸電阻分別低至122.4Ω∙μm與97.9Ω∙μm

。此外，我們也利用第一原理分子動力學觀測到室溫下穩定的單層WSX。