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極大化總效用理論的世界觀：一種國王新衣等級的理論

為了解決斜率的問題，作者林忠正 這樣論述：

　　近代經濟學家大多是在極大化總效用理論的薰陶下成長而成的，擅長利用此理論來分析世事。當你手上有把槌子，任何映入眼簾的東西都會變成釘子；當經濟學家的專業是利用極大化總效用理論來分析世事，就容易養成不把眼前的問題放入此架構中分析看看結果如何絕不罷休的習慣，並自然地藉由這種看世界的方法建立經濟學的世界觀。   　　作者近年來卻認為培養他長大的經濟學可能是一種從第一個假設開始就出差錯的的分析架構，利用它來看世界可能會建立錯誤的世界觀。「當整條高速公路的車子都逆向時，可能因為大家都看錯路標，但更可能是因為你搞錯方向。」正常而言，我們會相信經歷過成千上萬個經濟學家千錘百鍊的經濟學主流觀點應該是正確的

，而作者個人的特殊觀點無疑是錯的。但在實際閱讀過此書後，你可能會像本書的三位匿名審查專家一樣，必須承認作者的論述很有道理。   　　在本書中，作者先解釋什麼是牛頓和亞里斯多德的世界觀，再簡單介紹序數總效用理論的世界觀，接者說明經濟學是一種看世界的分析架構，並由此理論發展的歷史軌跡來探討效用是什麼？極大總效用理論是怎麼來的？為何會分成古典、序數和基數總效用理論，以及各自的優缺點是甚麼？為何此理論的第一個假設是錯誤的？為何常用的總效用函數是不切實際的？為何此理論不能有邊際效用遞減的觀念？為何此理論連替代互補品、正常劣等品、需求曲線為負斜率…等基本概念都不能妥善解釋？   　　透過本書的論述，慢慢浮

現在我們眼前的結論是：極大化總效用理論可能真是一種從第一個假設開始就出差錯的國王新衣等級的錯誤分析架構，利用它來看世界可能會讓你建立一套錯誤的世界觀。

斜率進入發燒排行的影片

高功率可變出光角光子晶體面射型雷射之特性研究

為了解決斜率的問題，作者陳立人 這樣論述：

本論文旨在研究高功率可變出光角之光子晶體面射型雷射的設計，製作及其光電特性。光子晶體面射型雷射因具備大功率操作及發散角小等特性，近年來頗受矚目，被視為是3D感測，光達，和雷射加工等應用領域的理想光源；研究首先藉由數值模擬計算來探討磊晶結構及光子晶體結構對於雷射閾值及出光效率的影響，進而得到較佳的磊晶結構同時配合不同的光子晶體結構來進行實驗驗證，實驗與模擬的結果均顯示雷射的斜率效率隨著光子晶體結構的對稱性下降而大幅上升，實驗並針對P面向上的結構進行優化，使得光輸出功率進一步提升，同時我們也針對大功率單模操作進行探討。另一方面我們也針對改變鐳射出光角度的機制進行研究以實現光束掃描的新奇雷射結構。

先後評估了主動式的光學相位陣列，主動式光柵結構，雙調變式光子晶體結構以及超穎結構等方式，考量結構整合的便利性及發光效率等因素，我們採用雷射整合表面超穎結構的方式進行設計，超穎結構的設計使用了奈米結構陣列及反向設計兩種方式，在砷化鎵基板上實驗的結果顯示此結構可將雷射光偏轉至設計的角度並且抑制原本垂直方向上的雷射光，此超穎結構結合光子晶體面射型雷射將得到高效率且緊湊的光束偏轉雷射，進一步製作成不同出光角度的陣列並單獨控制即可實現掃描功能，預期此雷射結構在上述的應用領域有著相當大的潛力。

2023數學(A) 完全攻略：根據108課綱編寫(含111年統測試題解析)(升科大四技二專)

為了解決斜率的問題，作者高偉欽 這樣論述：

　　◎含111年統測數學(A)試題與解析 　　◎課綱主題分類‧完全對應評量範圍 　　◎藍字標示核心公式，考試必考關鍵 　　◎圖表輔助解題，說明破題方向 　　根據108課綱（教育部107年4月16日發布的「十二年國民基本教育課程綱要」）以及技專校院招生策略委員會107年12月公告的「四技二專統一入學測驗命題範圍調整論述說明」，本書期學生們能「結合探究思考」，培養核心能力。 　　本書內容之編寫是配合數學(A)命題大綱之範圍做各單元的分類，輔以有系統的整理，提供詳細解析與破題要訣，讓考生破除背公式的迷思，改以邏輯思考方式來解題，透過觀念釐清的基礎以及試題的勤加練習，勢必讓考生事半功倍，締造考

試佳績，對於考生在準備數學這一科必定有莫大的幫助。 　　大考前，了解考題類型，熟悉試卷結構，可以減輕同學在考試時的緊張程度。本書藉由重要考點統整、作者精心編著的牛刀小試，以及各單元後面的精選考題，可以幫助考生熟悉考題結構、題型，提供臨場應試的安定感，讓考生產生一種預期的心理，大大地降低緊張程度。 　　數學科的準備方式，除了研讀各冊重點公式外，另一個方法就是從演練歷屆試題入手。本書編纂的出發點就是為即將應試的考生，提供一個測試自我數學實力的園地。相信經由觀念釐清的方式以及試題的加強練習，勢必讓考生可全方位學習，高分上榜手到擒來。   　　有疑問想要諮詢嗎？歡迎在「LINE首頁」搜尋「千華」官

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以一步驟表面電漿誘發剝離法製備氮摻雜碳化鉬/石墨烯奈米片複合材料及其性質和產氫催化性能

為了解決斜率的問題，作者呂弈均 這樣論述：

在此論文中，講述運用一步驟表面電漿誘發剝離法，製備碳化鉬/石墨烯奈米片複合材料和氮摻雜碳化鉬/石墨烯奈米片複合材料，探討碳化鉬和石墨烯奈米片的比例對表面形貌、材料性質和其應用於電催化產氫中的催化劑表現，並以前者最佳催化表現的比例進行氮摻雜探討異質摻雜對表面形貌、材料性質和其應用於電催化產氫中的催化劑的影響。一步驟表面電漿誘發剝離法是先以石墨紙為基材製備雙層電極，再將雙層電極接到陰極、1M硫酸為電解液，通以70伏特的電壓，在陰極尖端會產生電漿並從雙層電極上剝離複合材料到電解液中，再把電解液抽氣過濾即可得到產物。使用SEM和TEM觀察碳化鉬/石墨烯奈米片複合材料的呈現互相交疊的情形，碳化鉬表面變

崎嶇、尺寸變小，石墨烯奈米片則呈現奈米片狀結構；以EDS和XPS分析可以得知添加氮源可對複合材料中的碳化鉬進行氮摻雜；透過拉曼光譜儀可以得知複合材料中的石墨烯奈米片為少層數；以XRD對材料進行分析和文獻比對後可以得知複合材料中的碳化鉬為beta相結構；把材料以一定比例塗在碳玻璃電極上進行電化學量測，透過LSV量測可得知碳化鉬/石墨烯奈米片複合材料中的最佳過電位是GM-300，數值為247mV，氮摻雜碳化鉬/石墨烯奈米片複合材料中最佳過電位是GM-N50，數值為185mV。塔弗曲線圖中，碳化鉬/石墨烯奈米片複合材料中的塔弗斜率最好的是GM-300，數值為86(mV/dec)，氮摻雜碳化鉬/石墨烯

奈米片複合材料中斜率最好的是GM-N50，數值為70(mV/dec)。一步驟表面電漿誘發剝離法能成功同時複合材料進行剝離和異質摻雜，而且此製程有著快速、便宜和單步驟完成製程等優勢，是一項具有研究潛力的製程，未來可以替換其他產氫催化材料進行複合材料的研究。