第三代半導體缺點的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列股價、配息、目標價等股票新聞資訊

氮化鋁銦/氮化鎵高電子遷移率電晶體之射頻功率元件製作與分析

為了解決第三代半導體缺點的問題，作者曾威程 這樣論述：

近年來，氮化鋁鎵/氮化鎵高載子遷移率電晶體以其材料天生優於傳統矽的高載子遷移率、高載子濃度、寬能隙與耐溫耐壓的特性，在射頻元件及功率元件的應用中佔有一席地位，然而一般採用的氮化鋁鎵/氮化鎵電晶體在閘極線寬微縮的過程中，容易因氮化鋁鎵障壁層的厚度過厚而有短通道效應產生，若嘗試縮小障壁層厚度，又可能導致閘極漏電或載子濃度降低等問題，為了解決上述的缺點，我們選用氮化鋁銦做為障壁層，其優於氮化鋁鎵的極化特性及與氮化鎵晶格匹配的優勢，以及同樣具有寬能隙與耐溫耐壓的特性，使其在高頻的應用中有望取代氮化鋁鎵/氮化鎵結構，成為下一世代高載子遷移率電晶體的主流材料。本論文共可分做四個部分，在第一部份中我們介紹

了三五族材料及寬能隙半導體的發展背景與元件的操作原理; 第二部分我們自行設計碳化矽基板上成長氮化鋁銦/氮化鎵的磊晶結構，看中其較傳統氮化鋁鎵/氮化鎵結構之極化效應更強、二維電子氣通道濃度更高的材料特性，並做了磊晶結構設計的探討，緊接著透過快速製程基板直流分析由矽基板與碳化矽基板兩者中，選用了具較佳轉導值與漏流抑制的碳化矽基板作為正式元件使用。第三部分介紹了射頻高載子遷移率電晶體的製程流程，並做了接觸電阻與直流特性的分析。第四部分針對最佳元件進行高頻散射參數量測及負載拉曳量測，同時對元件特性進行探討與修正。最後我們成功製作出雙指閘極結構的元件，並微縮閘極線寬至約300 nm。在直流特性的部份，元

件於VD = 6 V的偏壓點可獲得的最高轉導值約為222.6 mS/mm，最大飽和電流約為896.3 mA/mm; 高頻特性的部份則透過散射參數的量測、小訊號模型及軟體輔助擬合，成功萃取出元件各外部及內部的阻抗值，並由計算成功獲得最佳元件於閘極偏壓-3 V、汲極偏壓6 V下的ft及fmax分別為35.173 GHz及76.178 GHz，最後我們進行了負載拉曳量測，並在6 GHz的操作頻率及VD = 10 V; VG = -4 V的偏壓下，獲得最大增益8.34 dB，而PAE的最大值12.18%則由Pin = 0 dB時於VD = 3 V; VG = -4 V下取得。

智慧財產保險與製造業發展之研究

為了解決第三代半導體缺點的問題，作者王楷婷 這樣論述：

近年來，製造業不停在轉型，逐漸從OEM發展至ODM、並進階朝OBM方向前進，產業模式再也不僅只是單純代工，已然轉變為具有技術且掌握各項專業設計之產業，無形資產遭致的附加價值早已超越有形資產之上。無形資產中的智慧財產權範圍涵蓋甚廣，所能遭致的利益不容小覷，然其可以成為超越競爭者的利器之一，卻相對的所遭致的風險也可以讓企業一夕倒閉，因此智慧財產權也成為商業競爭的一種手段，製造業對於智慧財產權風險越來越不容忽視。保險是最普及的風險管理工具，亦是最有效率且最能效益最佳化之方式，因此如果可以透過保險的方式將製造業所可能面臨的風險轉由保險機構承擔，將能使製造業更無後顧之憂進行產業升級，創造更高競爭水準，

而免於時常陷於侵權或被侵權的風險之中。從本論文研究分析看出，國外已有一定模式之智慧財產保險制度，透過此類型保險商品確實能有效分攤企業因訴訟而可能遭致的負擔，然因客觀環境及我國意識不足等因素之下，成功推行機率仍有待探討之空間。本論文藉由風險管理、智慧財產權對製造業之保護性開始進行、討論國內在智財保險實行上現況與問題、以及可能改善之方案做探討，期能彙整出相關智慧財產保險議題，讓更多製造產業知曉並更重視無形資產對企業之重要性，希望在未來能供企業在擬定智慧財產保護及管理策略上、及國內相關保險產業推行智慧財產保險制度時之參考。