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國際行銷學：建構全球行銷能力(六版)

為了解決聯電法說會2021的問題，作者張國雄 這樣論述：

　　本書是從全球行銷的觀點，為有志從事國際行銷業務的讀者而撰寫，書中除了有堅實的學術理論基礎外，還提供許多豐富且實用的國際行銷案例，可以提升學習者的思考空間，擴大讀者寬闊的視野，更能強化學習動機。 本書特色 　　1. 多元的專欄．精彩的實務 　　於章首提供「國際市場瞭望」個案，透過與主題相關的時事案例來進行討論，引發學習動機；內文則有「國際行銷典範」、「國際行銷 Discovery」、「全球焦點」等專欄，強化及補充課文內容說明；章末更設有「洞悉行銷市場」案例，整合該章節的學習內容，進行課堂互動討論。 　　2. 清晰的架構．務實的觀點 　　有鑑於臺灣中小企業本質與產業內

涵的獨特性，本書特別針對臺灣企業在面對全球競爭的行銷環境與問題中，提供全面性的剖析。本版為因應國際行銷趨勢，新增「臺灣隱形冠軍」、「CPTPP」、「賓士與帝寶專利訴訟」等相關資訊，與時俱進。 　　3. 適量的理論．充實的內涵 　　部分章節介紹晚近流行主題，並適時加入國際行銷領域的重要理論，包括資源基礎觀點、來源國效果、整合回應架構等，使讀者有充足的理論知識來解析個案，並有效解決國際行銷實務問題。

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戰後臺灣的農政宣傳—以農復會的「電化教育」為中心（1949–1963）

為了解決聯電法說會2021的問題，作者林姿妤 這樣論述：

戰後臺灣農業政策的制定、發展與變遷，背後涉及國家機關、民間社會、國際政經結構等三方勢力的互相影響。戰後動盪的經濟下，國家機關亟須取得穩定的農業資源，除了需確保糧食供給無虞，更要將農業剩餘價值從農業部門轉向工業部門支持其發展。1949年底國民政府遷臺後，在美國協助之下，臺灣實行土地改革政策，並完成農業相關政經組織的改組。戰後農業推廣體系重建初期，因農業推廣員的短缺，農政與農情傳遞成效受限等問題，農復會與政府之間的跨機關部門建立起合作網絡，並應用電影、幻燈片、廣播及電視等「電化」媒介進行農政宣傳。本文主要以農復會利用「電化教育」對農民進行農業政策宣傳為中心，探討農復會透過電影、廣播、電視等「電化

」媒介傳遞農業政策與農業情報的過程，並進而說明農復會的「電化教育」在戰後農業推廣體系中所肩負的宣傳角色。首先，探討各類「電化」媒介傳播的獨特性，其製播過程中牽涉哪些黨政機關及農業組織。釐清農復會如何利用美援的資金，補助各項農業「新聞與教育」工作，將具有特定意識形態的農業政策，轉譯成農業教育電影、農業廣播及農業電視節目等視聽文本，藉此協助政府執行農業政策的宣傳，並多元應用於農業推廣的施教。再者，探討農業「電化教育」如何實踐農業政策的宣傳任務，分析農復會與政府如何操控廣播、電影、電視等傳播媒介，使枯燥的農業政策更具娛樂性。最後，1970年代面臨國際政經局勢的更迭，長期以來政府機關及農復會忽視不平衡

的農工發展，而農業部門的原料、土地與勞力受到工業部門的過度汲取，以致農業發展遲滯；過去被「包裝」、「美化」的農業政策及施政成果，背後隱藏了「真實」的農業狀況。

美國科技法律實務評析

為了解決聯電法說會2021的問題，作者盧遠珊 這樣論述：

　　本書是作者過去20年在海峽兩岸高科技公司擔任法務主管工作的經驗和紀錄，內容以介紹美國目前若干熱議的法律議題為主，包含六大主題：人工智慧與法律、虛擬實境頭戴式顯示器案、涉華營業秘密案件與資安防護、美國出口管制、反托拉斯法和企業併購、商務合約談判技巧，以及法務應如何在事前協助企業合法的規避風險。作者希望透過本書協助企業管理層和法務主管把這項工作做得更完善，以保障企業權益。

使用氬離子佈植的4H型碳化矽局部氧化製程後殘留的缺陷區研究

為了解決聯電法說會2021的問題，作者盧彥廷 這樣論述：

碳化矽作為寬能隙的半導體材料，擁有高臨界電場、高導熱率等特性，適合用於高功率元件。若要妥善運用碳化矽優異的材料性質，將碳化矽驅動IC和功率元件整合在一起是一個選擇，而為了提高碳化矽驅動IC的性能，縮短電晶體通道長度、增加電晶體密度，是必要的策略，因此需要良好的隔離技術。我們使用了氬離子佈植將碳化矽預先非晶化，使非晶碳化矽的氧化速率大幅提升，以達成局部氧化製程。然而，在熱氧化之後，仍會有一層缺陷區殘留於局部氧化層之下，這是由於位於離子佈植尾端的碳化矽雖然受到損傷，但並未達到非晶化的程度，因此在熱氧化的過程中並未被完全消耗。先前研究的結果顯示，使用局部氧化製程隔離的接面漏電和全區覆蓋式場氧化層相

比較高，而且當逆偏電壓夠大時，空乏區可能會延伸至缺陷層。因此，我們在這篇論文中將針對此缺陷層進行探討。首先，為了探討缺陷區帶來的影響，我們製作了在主動區上有缺陷區的蕭特基二極體以及金屬氧化物半導體電容以及沒有刻意形成缺陷區的對照組，並進行基本電性及深層能階暫態能譜分析。結果顯示，以蕭特基二極體來說，順偏電流和正常的對照組來說，出現了大幅度的下降，代表的是串聯電阻的大幅提高，額外的磷摻雜，則可以觀察到串聯電阻的降低。另外，在逆偏漏電流上，室溫下的影響相當輕微，但在高溫下卻可以看到缺陷層帶來的溫度效應。深層暫態能譜也顯示了在缺陷區中，至少出現了三種明顯的峰值，也就是三種位於能隙中的能階，我們分析了

這些能階的參數以及它們在碳化矽內的濃度輪廓。相對地，在對照組中，並未發現明顯的訊號。以金屬氧化物半導體電容來說，極小的電容值以及嚴重的遲滯現象顯示此缺陷區可以看作與閘極串聯的介電層並影響著電容特性，並且有相當多的能井影響著此處的載子。另一方面，以崩潰特性來看，此缺陷區不能作為絕緣層增加崩潰電場。金屬氧化物半導體電容的深層暫態能譜則因為缺陷區的主導著訊號而無法提供正確的介面能態密度。最後，在第三章，我們設計了較為特殊的實驗結構來進行范德堡法量測，想更明確且直接的觀察缺陷區的性質。實驗結果顯示，缺陷區對於n型碳化矽造成了99.4%的去活化率。另外在載子遷移率方面，含缺陷區的試片之遷移率遠低於正常擁

有相同摻雜濃度的碳化矽該有的量值，這代表了缺陷區內的確有晶格的損傷。最後，我們也再利用拉曼光譜檢視缺陷區的結晶度，較低的峰值也顯示了缺陷區的結晶度確實變差。以上研究使得我們對於碳化矽局部氧化製程所殘留的缺陷區狀態有了更明確的認識，最後也提出了幾個值得探討的未來工作。