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逢甲大學 自動控制工程學系 張興政所指導 蔡銘裕的 絕緣磊晶橫向功率電晶體智慧型模組設計與實現 （1999），提出茂矽 IGBT關鍵因素是什麼，來自於絕緣磊晶橫向絕緣閘雙極性電晶體、智慧型功率模組、閂鎖效應、積熱效應、過壓、過流、過熱、自我散熱功能。
絕緣磊晶橫向功率電晶體智慧型模組設計與實現
為了解決茂矽 IGBT 的問題，作者蔡銘裕 這樣論述：
本論文完成絕緣磊晶橫向絕緣閘雙極性電晶體（SOI LIGBT）智慧型功率模組的設計與實現，論文包含SOI LIGBT功率元件設計、保護系統設計、和功率元件與保護系統等三部份整合設計於晶片；功率元件設計完成SOI LIGBT元件之導通特性與截止特性之設計準則，提出對於閂鎖效應和積熱效應改善可行之元件設計方法，並且以半導體元件電性模擬軟體MEDICI驗證之。保護系統設計功率系統智慧化之功能，包含過壓、過流和過熱保護，以及自我散熱功能，無論是正常操作或故障狀況的模擬，保護系統皆有優異的系統響應。在智慧型功率模組製程設計及晶片佈局部份，本論文調變茂矽公司之0.45μm CMOS製程，使其成為SOI
LIGBT元件之相容製程，系統使用的元件，皆能在製程中完成，無須增加額外的光罩。為了能更準確的量測功率元件之接面溫度，本論文使用一有效即時量測功率元件接面溫度的方法，以修正傳統量測方式所得之功率元件暫態熱阻曲線，期使能對功率元件之崩潰機制提供一較完整之溫度變化模型及數據，並依此校準保護電路設計，提升智慧型功率模組之整體性能。