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資訊廢棄物減量、處理與再利用專案調查研究報告(POD)

為了解決貴金屬回收的問題，作者監察院 這樣論述：

　　本案已彙析相關文獻、蒐集各方意見；辦理履勘12次及諮詢會議3次。調查報告結論除函請相關機關研參外，另出版專書，提供各界參考，對源頭減量、回收貴金屬、回收再生利用、扶持資源回收優良產業有所助益。

貴金屬回收進入發燒排行的影片

以氮氣輔助熱退火製程提升摻鎵氧化鋅薄膜特性之研究

為了解決貴金屬回收的問題，作者侯勝捷 這樣論述：

本研究首先使用低成本簡易濺鍍製程方式沉積摻鎵氧化鋅薄膜(GZO)，並再藉由快速熱退火於通入氮氣氛輔助下提升其光電特性。製程首先優化沉積GZO薄膜，主要以間歇性製程進行，其主要將一次性沉積薄膜分成數段式成長，其中主要兩種參數分別為間歇次數(Intermittent Number, IN)以及間歇時間(Intermittent Time, IT)，再以上述優化後之IN及IT進行快速熱退火之後製程處理，於取得最佳退火溫度以及時間後，再進行通入適量氮氣輔助製程，由於在優化之退火溫度及時間下通入適量的氮氣輔助下，可藉由氮原子強化薄膜鍵結，及氧空缺適量補足下進而再次提升光電特性。本研究使用射頻磁控濺鍍機

成長厚度80nm GZO薄膜，首先調變不同間歇次數0~3次並固定間歇時間10分鐘，找出最佳間歇次數之後調變間歇時間5~12.5分鐘。再依據最佳參數IN及IT進行快速熱退火後製程處理，首先調變退火溫度為650~850°C，持溫時間固定10分鐘，找出最佳退火溫度之後進行調變退火時間5~15分鐘。最後固定以上研究之最佳參數再調變通入氮氣流量5~15sccm，藉以輔助優化薄膜結構提升光電特性。研究過程中亦使用霍爾載子量測系統(Hall-Effect Measurement)、掃描式電子顯微鏡(SEM)、X光繞射儀(XRD)、UV-VIS光譜儀等設備進行薄膜特性分析。經研究後發現當IN=1、IT=7.5

有最佳之光電特性，再處以退火溫度750°C、退火時間5分鐘，並於通入氮氣流量10sccm，確實有效輔助熱處理機制，使GZO薄膜最後電阻率由6.11×10-1 Ω-cm下降至8.75×10-3 Ω-cm，且最佳光電效益值(FOM)由6.34×10-6 Ω-1提升至1.60×10-4 Ω-1。