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鄭丞傑醫師的婦科診療室[修訂版]：婦科權威為您解答100個難以啟齒的兩性幸福密碼

為了解決超微台灣的問題，作者鄭丞傑 這樣論述：

關於子宮、卵巢、女性荷爾蒙、月經、排卵等大小事， &女性想知道、應該知道的婦科保健問題都在本書裡！ Ÿ變胖、頻尿、經血量異常可能都是子宮肌瘤作怪？ ŸŸ經期前胸部腫脤狂冒痘，經前症候群好難受怎麼辦？ Ÿ更年期容易有心血管疾病、陰道乾澀、頻尿等問題？                                 　 鄭丞傑醫師透過本書，以最淺顯易懂的方式， 解開100個從青春期少女到更年期女性的私密心事和保健迷思！ ‧子宮肌瘤　‧Ÿ子宮肌腺症　‧Ÿ骨盤腔脫垂　‧Ÿ子宮內膜癌　‧Ÿ子宮頸癌 Ÿ‧卵巢早衰Ÿ　‧多囊性卵巢症候群　‧Ÿ巧克力囊腫　‧Ÿ卵巢腫瘤及癌症

下腹痛、經期不順、難以啟齒的問題，可能都與這些病症有關！ PART 1 姊妹們的私密心事 Ÿ搞懂婦科檢查，就醫不尷尬 Ÿ顧好生理期（經期），婦科可解憂 Ÿ呵護私密處，保養＆保健一次到位 PART 2 想孕、慢老從保養卵巢開始 Ÿ卵巢早衰 Ÿ巧克力囊腫（子宮內膜異位瘤） Ÿ多囊性卵巢症候群 Ÿ卵巢腫瘤及癌症 PART 3 呵護子宮，遠離病痛 Ÿ子宮肌瘤 Ÿ子宮肌腺症 Ÿ子宮內膜異位症 Ÿ子宮內膜癌 Ÿ子宮頸癌 Ÿ骨盆腔器官脫垂 PART 4兩性互重，老後依然性福 兩性關係 Ÿ女性的更年期 Ÿ男性更年期與性功能障礙  專文推薦 張博雅  前任監察院院長、曾任衛生署署長 吳淡如  知名作家

暨節目主持人 苦  苓  知名作家 胡  瓜  知名藝人暨綜藝節目主持人 強力推薦 陳建仁  前任副總統 葉金川  現任為慈濟大學公共衛生學系兼任合聘教師 楊志良  亞洲大學榮譽講座教授 邱文達  美國AHMC聯合總執行長 林奏延  國衛院董事長 陳時中  前衛生福利部部長 柯文哲  台北市市長  

超微台灣進入發燒排行的影片

台灣西南部中新世井下地層之沉積環境與層序地層研究

為了解決超微台灣的問題，作者鄭洪任 這樣論述：

台灣於中期漸新世至晚期中新世時期為被動大陸邊緣，但仍有局部張裂活動，可能有小型張裂盆地發育。為了建立完整層序地層架構，本研究利用台灣中油公司提供之台灣西南部陸域鑽井資料，使用B斷層及義竹斷層鄰近區域共11口井進行沉積環境與層序地層分析。主要方法是利用伽瑪射線、自然電位、聲波井測以及電阻率等電測曲線的變化，劃分不同特徵的電測相，再佐以岩屑紀錄中的特殊沉積物特徵，進行沉積環境分析。最後再依據其垂直的環境變化劃分出不同的次層序來建立層序地層。本研究共分類出8種沉積相及8種次層序，研究結果顯示八掌溪砂岩及其同期地層以濱海相環境為主；碧靈頁岩至打鹿頁岩時期則是以濱面至遠濱相環境為主；觀音山砂岩至南莊層

時期則是以受潮汐以及波浪影響的堰洲島、潟湖、潮坪等環境與濱面相為主。根據次層序的垂直變化，本研究參考前人之命名及劃分方法，將八掌溪砂岩(及其相當地層)至南莊層劃分為K0、M0、M2、M4、M6、M8、M10、M12+M14、M16、M18、M20、M22、M24、M26等，共14個層序。根據鑽井之地層厚度及層序變化發現，八掌溪砂岩及其相當地層於義竹斷層以北地區厚度約為60~100公尺，以南最厚可達到約465公尺；南莊層則於JY-1井達到約1200公尺，推測其受到斷層影響。因此可依據層序地層厚度變化，將中新世地層分為三個發育時期 (1) K0、M0及M2層序(30~21 Ma)：處於張裂階段，義

竹斷層開始活動並形成地塹，堆積八掌溪砂岩及其相當地層或更老地層，(2) M4~M18層序(21~12.5 Ma)：盆地基盤呈穩定的熱沉降，各地層側向厚度變化不大，無明顯構造活動，堆積碧靈頁岩至打鹿頁岩，(3) M20~M26層序(12.5~6.5 Ma)： B斷層及其南部斷層開始發育，B斷層以北形成高區，義竹斷層以南則形成地塹，此時可對應於觀音山砂岩及南莊層。

沙巴客家的形成與發展

為了解決超微台灣的問題，作者劉瑞超 這樣論述：

　　本書訴說的是東馬來西亞沙巴客家人如何建構出一個彼此認同的「沙巴客家」集體意象，也就是一種從「自在沙巴客家」轉變提升成為「自為沙巴客家」的歷程。過程中，除了會館、宗教、語言等內在促成因素外，跨域客家網絡交流和巴色客家教會也扮演了凝聚的加乘角色，而這就是沙巴客家認同的在地化特殊脈絡，也是作者所稱的沙巴模式（Sabah style）。

鈦鎢蝕刻側蝕改善探討

為了解決超微台灣的問題，作者賴忠良 這樣論述：

隨著半導體科技不斷進步，液晶顯示器從過往黑白螢幕轉為彩色螢幕，解析度由512*342進展到了1024*768、4K、8K…，而其控制元件driver IC也同步微型化，在driver IC die表面積不變下，為能融入更多bump，於是bump size便加以縮小，Bump size縮小後，Bump底部的側蝕刻未改變，導致於Die chip在切割時，縮小後的bump受高壓水柱沖刷，容易發生掉bump 狀況，因此bump與IC間的金屬界層底切問題，便被提出探討與改善。於是便針對現行bumping製程底切狀況進行分析，並由蝕刻製程溫度、蝕刻總量、高蝕刻速率與防側蝕刻藥液開發、增加金蝕刻製程、蝕刻

機台測試比較…等方向進行改善探討，由各項測試結果可知：1. 測試中發現當pH值上升時，蝕刻速率會加快，由化學反應式可以知道，H2O2反應後藥液會逐漸酸化（產生H+離子），所以當pH值升高時，會更加有利與產生的酸中和，去除反應生成物，進而提高反應速度。2. Spin etch機台有較強的Z軸流速，因此有助於正面化學反應生成物的帶離，使得正向有較快的蝕刻速率，因而得到較低的側向蝕刻量，主要原因為噴嘴正向噴吐時給了一個較強的Z軸流場。3. 降低蝕刻總量，對凸塊底部側蝕刻改善有正向效果，如果再搭配Spin蝕刻機台正向蝕刻力高於側向蝕刻力的流場特性，對於凸塊底部底切狀況有極佳之改善效果

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