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國立交通大學 材料科學與工程系 張立所指導 郭清松的 釕與二氧化釕薄膜應用於銅金屬化之擴散阻障層特性研究 （2000），提出軟體 PM 面試問題關鍵因素是什麼，來自於釕。
提升程式設計師的面試力：189道面試題目與解答 第六版 修訂版
為了解決軟體 PM 面試問題 的問題，作者GayleLaakmannMcDowell 這樣論述：
Amazon.com面試參考書排行榜第一名 我並不是一個招聘人員，我是一個軟體工程師，所以我知道當場被要求提出出色的演算法，然後在白板上寫出完美的程式碼是一種什麼樣的感覺。我經歷過，應徵者與面試官兩者都有。 這本書將幫助你準備這個過程，告訴你必須知道的事情以達成最佳表現。我訓練與面試過數百個軟體工程師，然後有了這本書。 本書內容包括學習如何找到題目中的提示與隱藏的細節，如何將問題拆解成可以處理的子問題，遇到難題時的脫困技巧，(重新)學習計算機核心概念，並且練習189個面試問題以及解決方案。 題庫來自真正的面試，並非摘自教科書。這些問題是頂尖公司會出的題目，你可以藉此
做好充分準備。 本書包含： ‧189道面試題，從最基礎到最難解決的演算法問題 ‧循序漸進推導出解決方案，學習如何解決問題 ‧每一道題目都有提示，模擬真正的面試過程 ‧五種演算法解題策略讓你解決沒遇過的問題 ‧涵蓋各種基本題型，例如big O時間、資料結構與演算法 ‧“幕後故事”說明Google與Facebook等公司如何僱用開發者 ‧準備和應對面試中的“軟”技巧：行為態度問題 ‧面試官與公司派讀者：如何設計好的面試題目與聘僱流程
釕與二氧化釕薄膜應用於銅金屬化之擴散阻障層特性研究
為了解決軟體 PM 面試問題 的問題，作者郭清松 這樣論述：
摘要 在目前超大型積體電路的發展中，以銅做為金屬連接導線材料已成為必然的趨勢。為了克服銅與矽基材間相互擴散的問題，必須在銅與矽間鍍上具有低電阻係數、高熱穩定性及良好界面附著性的擴散阻障層。本實驗主要是在探討Ru 和 RuO2薄膜做為銅與矽之間擴散阻障層的反應，由擴散、相變化的觀點來討論其變化。所採用的鍍膜結構如下: 1. Cu(100nm)/Ru(15nm)/SiO2(10nm)/Si 2. Ru(15nm)/SiO2(10nm)/Si 3. Cu(100nm)/RuO2(15nm)/SiO2(20nm)/Si
4. RuO2(15nm)/SiO2(20nm)/Si 銅膜及阻障層以濺鍍法沉積後，對試片在400℃~700℃/ 30 分鐘的真空爐退火處理，以四點探針量測片電阻，歐傑電子能譜儀(AES)做成分縱深分析，XRD做相的鑑定，並利用穿透式電子顯微鏡(TEM)做鍍膜截面的觀察，分析各層結構的變化。 研究結果顯示這幾種不同結構在退火後有不同的行為，Cu(100nm)/Ru(15nm)/SiO2(10nm)/Si在550℃/30 分鐘退火後，電阻值開始上升，阻障層產生變化; Ru(15nm)/SiO2(10nm)/Si 在400~600℃退火後
，電阻值會持續下降；Cu(100nm)/RuO2(15nm)/SiO2(20nm)/Si 在600℃/30 分鐘退火後，電阻值很明顯的上升很多，阻障層產生變化；RuO2(15nm)/SiO2(20nm)/Si 在400~700℃退火後，電阻值會持續下降。 由實驗結果可知Cu(100nm)/RuO2(15nm)/SiO2(20nm)/Si結構比Cu(100nm)/Ru(15nm)/SiO2(10nm)/Si具有較佳的熱穩定性，因退火過程中，Ru及RuO2阻障層產生變化，變化原因將於本文中討論。