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IC封裝製程與CAE應用(第四版)

為了解決金電子散熱片的問題，作者鍾文仁,陳佑任 這樣論述：

　　本書除了對IC封裝類型、材料、製程、新世代技術有深入淺出的介紹外，針對電腦輔助工程(Computer-Aided Engineering，CAE) 的應用有更詳細的描述；從IC封裝製程(晶圓切割、封膠、聯線技術..)、IC元件的介紹(PLCC、QFP、BGA..)、MCM等封裝技術到CAE工程分析應用在IC封裝，能使讀者在IC封裝製程的領域有更多的收獲！本書適合大學、科大電子、電機系「半導體封裝」及「IC封裝技術」課程或有興趣之讀者使用。 本書特色 　　1.提供一完整IC封裝資訊的中文圖書。 　　2.提供IC封裝產業及其先進封裝技術的學習。 　　3.使讀者了解CAE

工程在IC封裝製程的相關應用。

金電子散熱片進入發燒排行的影片

聚氨酯導熱薄膜製備之研究

為了解決金電子散熱片的問題，作者吳柔萱 這樣論述：

本研究為探討聚氨酯導熱薄膜的製備，因此可被應用在電子元件、EMC封裝材料、散熱膏等，需要有散熱導熱的地方。 本研究利用表面改性的方法，採用環境友善、低成本、操作方便等，並嘗試藉由改性氧化鋁、雜化導熱填料、填料含量變化以及攪拌時間等變數，來探討對聚氨酯複合材料導熱性的影響。實驗結果證實後續以光學顯微鏡、SEM、導熱儀、TGA、拉伸等試驗儀作材料性能測試。 實驗結果證實使用表面改性與雜化填料對導熱性是有效的。本研究製備之聚氨酯導熱薄膜EBEC-2022 ，其導熱性高於純PU 的76.40%，為0.4433 W/m．K。另外在機械性質與熱穩定性上，實驗證實添加雜化填料是優於純PU與僅添

加單一填料的效果，如拉伸率、抗拉強度、熱膨脹係數、耐溫性等。 在選用基體上，我使用光固化型的聚氨酯，其好處是固化時間很快速，只要幾分鐘即可固化，且對環境友善，不需要高溫加熱固化。

SiC/GaN功率半導體封裝和可靠性評估技術

為了解決金電子散熱片的問題，作者（日）菅沼克昭 這樣論述：

本書重點介紹全球功率半導體行業發展潮流中的寬禁帶功率半導體封裝的基本原理和器件可靠性評價技術。書中以封裝為核心，由熟悉各個領域前沿的專家詳細解釋當前的狀況和問題。   主要章節為寬禁帶功率半導體的現狀和封裝、模組結構和可靠性問題、引線鍵合技術、晶片貼裝技術、模塑樹脂技術、絕緣基板技術、冷卻散熱技術、可靠性評估和檢查技術等。儘管極端環境中的材料退化機制尚未明晰，書中還是總結設計了新的封裝材料和結構設計，以儘量闡明未來的發展方向。   本書對於我國寬禁帶（國內也稱為第三代）半導體產業的發展有積極意義，適合相關的器件設計、工藝設備、應用、產業規劃和投資領域人士閱讀。 序 原書前

言 作者名單 第1章緒言 1.1電力變換和功率半導體 1.2功率半導體封裝及可靠性問題 參考文獻 第2章寬禁帶半導體功率器件的現狀與封裝 2.1電力電子學的概念 2.2寬禁帶半導體的特性和功率器件 2.3功率器件的性能指數 2.4其他寬禁帶半導體功率器件的現狀 2.5寬禁帶半導體封裝技術的挑戰 參考文獻 第3章SiC/GaN功率半導體的發展 3.1SiC和GaN功率器件的概念 3.2SiC器件的特徵（低導通電阻、高溫、高速運行） 3.3SiC肖特基勢壘二極體 3.4SiC電晶體 3.5SiC模組 3.6GaN功率器件的特徵 3.7GaN功率器件的特性 3.8GaN功率器件的應用 參考文獻

第4章引線鍵合技術 4.1引線鍵合技術的概念 4.2引線鍵合的種類 4.2.1引線鍵合方法 4.2.2鍵合機制 4.3引線鍵合處的可靠性 4.3.1功率模組疲勞破壞 4.3.2鍵合處的破壞現象 4.3.3鍵合處的裂紋擴展 4.3.4影響接頭破壞的因素 4.4鍵合線材料 4.4.1鋁合金線 4.4.2銅鍵合線 4.4.3銀和鎳材料作為鍵合線的適用性評估 4.4.4包層引線 4.5替代引線鍵合的其他連接技術 4.5.1鋁帶連接4.5.2引線框焊接 4.6結論 參考文獻 第5章晶片貼裝技術 5.1晶片貼裝 5.2無鉛高溫焊料 5.3TLP鍵合 5.4金屬燒結鍵合 5.5固相鍵合和應力遷移鍵合

5.6空洞 5.7未來展望 參考文獻 第6章模塑樹脂技術 6.1半導體封裝的概念 6.2功率模組結構和適用材料 6.2.1殼裝型功率模組 6.2.2模塑型 6.2.3功率模組封裝的演變 6.3密封材料的特性要求 6.3.1絕緣性 6.3.2低熱應力 6.3.3黏附性 6.3.4抗氧化性 6.3.5高散熱 6.3.6流動性和成型性 6.3.7耐濕性和可靠性測試 6.4高耐熱技術的發展現狀 6.4.1高耐熱矽酮樹脂 6.4.2高耐熱環氧樹脂 6.4.3熱固性醯亞胺樹脂 6.4.4高耐熱納米複合材料 參考文獻 第7章基板技術 7.1功率模組的演變和適用基板 7.2基板概要 7.2.1基板種類和分

類 7.2.2陶瓷基板 7.2.3金屬基底基板 7.3散熱板/金屬陶瓷複合材料 7.4SiC/GaN功率半導體基板的特性要求 7.5未來基板技術趨勢 參考文獻 第8章散熱技術 8.1散熱（冷卻）技術的概念 8.2SiC/GaN功率半導體的特性以及與其散熱相關的問題 8.2.1高溫工況的應對方法 8.2.2針對發熱密度增加的應對方法 8.3電氣和電子設備的散熱技術基礎 8.4功率半導體散熱應考慮的要求 8.5下一代功率半導體的散熱理念 8.6有望應用於寬禁帶半導體的散熱技術 8.6.1導熱路徑的進步：直冷式冷卻器 8.6.2散熱結構的進步：雙面散熱模型 8.6.3熱傳導的進步：液體冷卻用高性能

翅片 8.7導熱介面材料 8.7.1導熱介面材料的概念 8.7.2下一代半導體的導熱介面材料 8.7.3TIM所需的特性和問題 8.7.4高熱導率填料系統 8.8實現高溫工況 參考文獻 第9章可靠性評估/檢查技術 9.1功率半導體可靠性試驗 9.2典型環境試驗 9.2.1存儲試驗（高溫低溫） 9.2.2存儲試驗（高溫高濕） 9.2.3溫度迴圈試驗 9.2.4高溫工作壽命試驗（高溫反偏試驗） 9.2.5高溫高濕反偏壽命試驗 9.3其他環境試驗 9.3.1低壓試驗 9.3.2鹽霧試驗 9.3.3加濕+封裝應力系列試驗 9.4功率迴圈試驗 9.4.1功率迴圈試驗的種類 9.4.2功率迴圈試驗的載入

方式 9.4.3熱阻 9.4.4試驗裝置所需的性能規格 9.5功率器件可靠性試驗的檢查方法 9.5.1X射線透射分析 9.5.2超聲成像系統 9.5.3橫截面觀察 9.5.4鎖相紅外熱分析 9.6材料熱阻的評估 9.6.1包括介面熱阻的導熱特性（有效熱導率） 9.6.2熱特性評估系統的配置和測量原理 9.6.3熱性能測量示例 9.7小結參考文獻 220章編後記 參考文獻

利用高導熱膠片製作具高性能絕緣與 散熱模組研究

為了解決金電子散熱片的問題，作者詹沛恩 這樣論述：

絕緣金屬基板(IMS)廣泛運用於車用高功率散熱模組相關領域，集成電路體積日益縮減與眾多集成芯片聚集下，結構強度與散熱管理成為重視議題，業界便致力於研發高導熱膠片(TCP)，針對基板接合強度、導熱性及絕緣性優化改善。本論文研究將針對多種不同高導熱膠片(TCP)與C1100板材熱壓成型後，進行平面接合強度、熱傳導、崩潰電壓性能探討，利用棕化微蝕系統(Brown oxidation) 進行C1100表面處理並設定參數範圍，探討不同參數對應的SEM觀測、粗糙度、蝕刻量與接著性結果找尋最佳參數，以此參數進行不同高導熱膠片(TCP)與C1100板材熱壓後的平面接合強度比較，並選用最佳高導熱膠片(TCP)

進行不同厚度與層數疊層下的平面接合強度、熱傳導及崩潰電壓試驗進行趨勢分析，最後針對此高導熱膠片(TCP)熱壓參數優化並進行各樣試驗成果比較。從實驗結果得知，C1100表面粗糙度及蝕刻量皆與棕化時間、棕化槽桶內溫度及H2O2濃度成正比，而表面粗糙度及棕化皮膜生成厚度不同之下，對於高導熱膠片(TCP)與C1100板材熱壓後的接著性存在著最佳區間，且在不同厚度熱壓的接著性來說，70μm(單層)皆比100μm(單層)及140μm(雙層)更有效含浸於表面微蝕後形成的孔洞，平面接合強度表現最佳、崩潰電壓性能也最為理想，熱傳導值則差異不大，而調整高導熱膠片(TCP)半固化狀態(B Stage) 持溫持壓時間

進行含浸效果優化下，各項性能皆有所提升，尤其在厚度100μm(單層)及140μm (雙層)優化成長率最高，各項試驗成果部分，平面接合強度比較下，厚度70μm (單層)依然最佳；熱傳導性則隨著兩種優化參數下，厚度100μm(單層)及140μm (雙層)有不同成高長率趨勢；崩潰電壓性能在厚度140μm(雙層)成長率最為顯著，由本論文研究實驗得知，高導熱膠片(TCP)與C1100熱壓成型過程中，除了藉由控制膠片層數及厚度，進行接著性優化也能大幅提升平面接合強度、熱傳導、崩潰電壓性能，而本論文研究最終以穩定性與性能最佳化熱壓參數進行整合型產品製作。