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電壓電流電阻計算的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦位明先寫的 電子儀表量測 - 最新版(第三版) - 附MOSME行動學習一點通：診斷 和DK出版社編輯群的 超簡單物理課：自然科超高效學習指南都 可以從中找到所需的評價。
另外網站等效電阻 - 科學Online - 國立臺灣大學也說明：首先我們先來看看串聯，見圖一，串聯的特性是流經兩個電路元件的電流是一樣的，因為電阻不能有電荷積聚，若電流為I、兩電阻的電壓分別為V1, ...
這兩本書分別來自台科大 和大石國際文化所出版 。
國立陽明交通大學 電子研究所 林炯源、簡昭欣所指導 歐仲鎧的 具新穎氮硫化鎢界面結構的p型二硫化鎢電晶體: 以第一原理量子傳輸理論進行模擬計算 （2021），提出電壓電流電阻計算關鍵因素是什麼，來自於過渡金屬二硫屬化物、二維材料、密度泛函理論、二硫化鎢、非平衡格林函數、p型接觸、p型電晶體。
而第二篇論文國立嘉義大學 電子物理學系光電暨固態電子研究所 高柏青所指導 沈秉訓的 鐵金屬種子層對WO3/Cu/WO3透明導電薄膜之影響及其在透明有機發光二極體之應用 （2021），提出因為有 三層式電極(DMD結構)、熱蒸鍍、銅、三氧化鎢的重點而找出了 電壓電流電阻計算的解答。
最後網站已知電壓與電功率是否能求出電阻和電流則補充：純電阻電路，不考慮功率因數，有公式p=ui,可分別求得2個燈泡的電流相加即可，又有歐姆定律、r=u/i，電壓電流都已知，帶入公式計算就可以。
電子儀表量測 - 最新版(第三版) - 附MOSME行動學習一點通：診斷
為了解決電壓電流電阻計算 的問題，作者位明先 這樣論述：
本書章節編排循序漸進，由基本物理開始到整體電子電路的量測為止，讓學習者能對電子儀表量測有系統性的了解。並且在介紹各種量測之前，先就所需使用的儀表特性及操作做說明，配合測量的實例說明，能讓學習者有更完整的測量概念。每章後面附有重點重理與學後評量，期望能由教授者帶領，讓學習者藉由思考及討論題目的過程，對每一章節的內容能加以統合延伸。
具新穎氮硫化鎢界面結構的p型二硫化鎢電晶體: 以第一原理量子傳輸理論進行模擬計算
為了解決電壓電流電阻計算 的問題，作者歐仲鎧 這樣論述：
實驗室所製作的過渡金屬二硫族化合物(含一定濃度缺陷)二維電晶體，由於費米能釘札導致其p型接觸非常稀少；另一方面，電腦計算模擬所對應的上述理想結構(二維材料無缺陷)則可在高功函數金屬顯出為p型接觸，但仍未達到足夠低的電洞蕭特基位障。因此本文提出一種金屬性的超材料硫氮化鎢作為傳統金屬與半導體通道之間的緩衝層。其結構的形成可揣摩是由簡單的metal/WS2側接觸做為出發，我將鄰近介面處一定面積的上排硫原子置換為氮。以第一原理及量子傳輸理論計算電子結構與傳輸電流。我發現在金屬與二硫化鎢之間僅需0.6奈米長的硫氮化鎢緩衝層，便可有效降低通道的電洞蕭特基位障：在以鉑為金屬電極的情形中，硫氮化鎢可使蕭特基
型的Pt/WS2側接觸轉變為歐姆特性，達成以單一二維材料實現互補式金屬氧化物半導體的目標。除了鉑電極，即便我採用低功函數的金屬鋁，在Al/WSN/WS2的結構，計算而得的蕭特基位障仍低至0.12 eV。上述鉑與鋁電極的計算結果表明，氮硫化鎢緩衝層顯著提升了選擇電極金屬的靈活性，令選擇不再受限於高功函數的貴重金屬：如金、鉑和鈀。我亦更進一步量化計算Pt/WSN/WS2在不同閘極電壓下的伏安特性，得出該結構有高達10^8的開關電流比和在汲極電壓50毫伏下231 µA/µm的導通電流(接觸電阻 ≈ 63.8Ω∙μm)。同時為驗證實驗製程時硫氮化鎢的穩定性，我們採用第一原理分子動力學在室溫下分別模擬氮
吸附、單顆氮取代硫和單層氮硫化鎢，發覺皆為穩定結構。
超簡單物理課：自然科超高效學習指南
為了解決電壓電流電阻計算 的問題，作者DK出版社編輯群 這樣論述：
從最基本的能量轉換到力與運動的關係，從到波的各種形式到光學原理，從電路的基本法則到磁場與電磁學──物理這門科學的牽涉範圍之廣、資訊量之龐大，時常讓人難以招架。學生為了應付考試只能強記，物理學也因此成為許多人學生時代的夢魘。 這套最新的基礎科學學習指南系列，就是從輔助學生課堂理解出發，針對自然科琳瑯滿目的重點逐一突破，快速解除學習挫折感。《超簡單物理課》把物理的內容分成超過250 個環環相扣的觀念全面講解，透過精細的繪圖與照片，配上條理清晰的文字說明，從物理的科學方法與思考要領開始，依序進入能量、運動、力學、波動、光學、電路、磁場、電磁學、物質、壓力、原子與放射性以
及太空等主題，幾乎每一頁都附有容易消化與加深印象的重點提示與補充說明，幫助融會貫通。DK 發揮一貫強大的博物館式圖文整合能力，讓讀者在研讀每個觀念時，就宛如進入一座迷你主題博物館，得到不同於教科書的學習體驗。 本書的內容架構不但有利於學生參照課堂進度來學習，也便於初次接觸物理的成人讀者尋找延伸閱讀方向，因此除了適合作為小學高年級到國中程度的補充讀物，也是其他年齡層讀者認識物理的最佳入門參考書。 本書特色 ●全球百科權威DK理工編輯團隊第一套專為學校課程而設計的物理參考書。 ●章節規畫完整，涵蓋「物理課」所有內容與跨科主題：原子、力學、光學、電磁學。 ●高品質的照片與繪圖，
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鐵金屬種子層對WO3/Cu/WO3透明導電薄膜之影響及其在透明有機發光二極體之應用
為了解決電壓電流電阻計算 的問題，作者沈秉訓 這樣論述：
在本論文研究中，探討Fe種子層對WO3/Cu/WO3 (WCW)透明導電薄膜在電性、光學以及結構等性質的影響。Fe種子層以及WCW多層薄膜在玻璃基板上以熱蒸鍍方法製備。WCW薄膜的導電性與光穿透性會隨著Fe種子層引入於WO3/Cu介面而明顯增加。相較無種子層的WCW薄膜(平均光穿透率61.87 %與片電阻22.98 ohm/sq)，具Fe無種子層的MAM薄膜樣本具有較低的片電阻(7.80 ohm/sq)與較高的平均光穿透率(73.93 %)，兩薄膜品質因數分別計算為3.71×10-4 ohm-1與6.32×10-3 ohm-1。由於WO3薄膜表面的金屬Cu連續性分佈程度和Cu薄膜厚度與WO3
表面性質相依，因此WO3表面性質對於WCW多層結構薄膜的導電性與光穿透性而言是非常重要的因子。當厚度1 nm的Fe種子層引入後，沈積在WO3表面的Cu薄膜的連續性分佈所需之門檻厚度可由原本的15 nm明顯地降低至12 nm。由掃瞄式電子顯微鏡、原子力顯微鏡量測結果發現，在引入Fe種子層WO3基底層上沈積12 nm之Cu薄膜表面會呈現較佳的表面覆蓋性(孔洞率 =22.69% vs. 7.91%)與平整性(Rrms = 1.92 nm vs. 0.56 nm)。經由接觸角的量測結果可知，Cu金屬薄膜的表面形貌改變可歸因於WO3薄膜與Cu薄膜間的良好接觸與附著性所致。經由X光繞射的量測結果可知，因具
較高表面能的Fe種子層提供了有利於Cu沉積的成核表面，引入後可有效抑制Cu原子的團聚並導致Cu薄膜的晶粒較小(14.06 nm vs. 10.45 nm)。因此，相較無Fe種子層的WO3表面，Cu薄膜沉積於具Fe種子層的WO3表面會較平滑且具有較低的門檻厚度(15 nm vs. 12 nm )。當使用WCW多層結構薄膜作為反式穿透型有機發光二極體(結構：ITO/Alq3:Na2CO3/Alq3/BCP/NPB/陽極)的陽極材料時，相較無Fe種子層之陽極(WO3(20 nm)/Cu(15 nm)/WO3(20 nm))之元件(Vturn-on = 5 V、Ltotal = 1927 cd/m2、
ηc= 0.64 cd/A、ηp = 0.50 lm/W)，具Fe種子層之陽極(WO3(20 nm)/Fe(1 nm)/Cu(12 nm)/WO3(20 nm))的有機發光二極體具有較佳電激發光特性，其中包含：較低的驅動電壓(4.5 V)、較高的輝度(2250 cd/m2)、電流效率(0.72 cd/ A)以及功率效率(0.59 lm/W)。