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國立中山大學 光電工程學系研究所 林元堯所指導 張漢威的 無ITO矽電極2π兆赫波液晶相位調製器的研究 （2015），提出電子伏特 12400關鍵因素是什麼，來自於向列型液晶、兆赫波、相位調製器。
而第二篇論文國立清華大學 光電工程研究所 潘犀靈所指導 郭鈞的 石墨烯在兆赫波段光電特性之量測及其在兆赫波段液晶相位調制器之應用 （2013），提出因為有 兆赫波、石墨烯、液晶、相位調制器的重點而找出了 電子伏特 12400的解答。
無ITO矽電極2π兆赫波液晶相位調製器的研究
為了解決電子伏特 12400 的問題，作者張漢威 這樣論述：
近十幾年來兆赫波科技有著重大的成長，兆赫波在通訊、光譜分析等領域的應用，使得兆赫波光電子學的發展越來越進步。雖然液晶在兆赫波段的應用仍然還在發展中，不過已經有許多團隊利用液晶的雙折射特性與簡單容易的調控方式，在兆赫波段製作出兆赫波段液晶相位調製器，由於銦錫氧化物(ITO)薄膜在兆赫波段的低度透明，所以在電極的選擇相當重要。本論文中，我們首次提出使用矽基板當作電極的兆赫波液晶相位調製器，並利用向列型液晶E7與PI水平配向膜，製作出相位超過2π的相位調製器，與過去文獻相比，每單位伏特所能調控的相位量為72度為最高。我們也發現在低電壓時有蕭特基接觸的現象產生，利用矽基板表面鍍鉻形成歐姆接觸，並使在
低電壓與相位移動量呈線性關係。
石墨烯在兆赫波段光電特性之量測及其在兆赫波段液晶相位調制器之應用
為了解決電子伏特 12400 的問題，作者郭鈞 這樣論述：
石墨烯同時具有優異的光學穿透率、導電率以及載子遷移率等特性，使得它有相當高的潛力可以廣泛應用於各種元件，包含高功率元件、光電感應器，兆赫波段元件等。在本論文中我們研究利用石墨烯製作於兆赫波段的液晶相位調制器。我們藉由整合光導天線與雷射光激發電漿兆赫波時域光譜儀量測結果分析而獲得單層與雙層石墨烯薄膜在0.2 - 1.4 THz 波段的光學穿透係數，並分析之可得到樣品之寬頻複數導電率。利用Drude自由電子模型(Drude free-electron model)擬合可進而獲取其電性參數，諸如電漿頻率、散射時間、載子遷移率，以及直流導電率。相比另一種兆赫波段透明電極，銦錫氧化物奈米晶鬚（Indi
um-tin-oxide nanowhiskers），石墨烯的穿透率較低，但是具有更高的導電率以及載子遷移率。接著，我們利用石墨烯作為透明電極製作兆赫波段相位調制器，並以光導天線兆赫波時域光譜儀量測其調制相位隨外加電壓的變化。施加約莫2.2伏特的偏壓於石墨烯相位調制器即可改變1.0 THz的訊號達相位π/2，相較之下，早先研究的銦錫氧化物奈米晶鬚相位調制器則需要約5.6伏特才可達到相位π/2。另一方面，我們使用多夾層結構提升銦錫氧化物奈米晶鬚相位調制器達相位2π調控，其工作電壓約為2.6伏特。此工作電壓可與薄膜電晶體以及互補式金屬氧化物半導體技術相匹配。我們用來擬合實驗數據的液晶隨電壓偏轉模型
，理論趨勢與實驗結果非常相符。