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電磁干擾防治與量測(第九版)

為了解決電子能量的問題，作者董光天  這樣論述：

　　作者有累積多年在電磁干擾量測與電磁調合方面的工作經驗，全書以Q/A方式書寫計一千題，共分為八大章從1.基礎理論應用分析2.結合、濾波、接地、隔離防制工作3.電路版電磁干擾防制4.元件、模組、電路電磁干擾防制5.裝備系統電磁干擾分析與防制6.輻射傷害7.量測儀具、設施、方法8.量測誤差9. 5G vs H.F.I.M.。此版新增第九章關於5G的認知與高頻電路阻抗匹配的重要性。內容深入淺出結合理論與實務逐一問答方式，使讀者對想知道的問題立即獲得答案，以達到事半功倍的作用。 本書特色 　　1.以問答方式結合理論與實務，一一解答。 　　2.逐次深入應用到各種EMI防制方法。

　　3.本書先介紹基礎理論應用分析，再就電磁干擾各項問題為防患未然，以防制工作為主，而量測為輔。 　　4.內容將電磁干擾防制工作列為重點，而量測在找出電磁干擾問題在與驗證裝備所定電磁干擾規格是否合格。

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溫度對單層碳奈米管中電子分佈的影響

為了解決電子能量的問題，作者曾晧然 這樣論述：

在這個研究裡，我們運用了緊束模型加入曲度效應，分別計算了三種類型單層碳奈米管的低能能帶結構。單層碳奈米管，取決於它的幾何結構，可以是金屬、窄能隙的半導體，或是中等能隙半導體，前者必為手椅狀奈米管，後兩者都可以是鋸齒狀奈米管。幾何結構（螺旋角與半徑）以及溫度在單層碳奈米管中的電子分佈扮演重要角色，預期也進一步地影響其它物理量。

石墨烯納米複合材料

為了解決電子能量的問題，作者楊序綱吳琪琳 這樣論述：

本書涉及聚合物基、陶瓷基和金屬基石墨烯增強納米複合材料，闡述它們的主要製備方法、宏觀力學和微觀力學性能，熱學、燃燒學、遮罩和電學等物理性質。這類複合材料結構和性質的各種表徵方法技術是本書的重要內容，包含在各不同章節中。   本書著重於對聚合物基複合材料的描述，並將潛在應用廣泛的柔性（可穿戴）複合材料單列一章。書中各章節都列出大量參考文獻，可供讀者作延伸閱讀。 本書讀者物件為從事納米碳複合材料研究、生產和應用的科技工作者和高等院校相關專業的師生。 第1章石墨烯001 1.1概述001 1.2石墨烯的結構和基本性質004 1.2.1石墨烯的結構004 1.2.2石墨烯的物理性

質006 1.2.3石墨烯的化學性質008 1.3石墨烯的製備008 1.3.1剝離法008 1.3.2外延生長法009 1.3.3化學氣相沉積法011 1.3.4氧化還原法013 1.4石墨烯的表徵015 1.4.1拉曼光譜術015 1.4.2電子顯微術、電子衍射花樣和電子能量損失譜023 1.4.3原子力顯微術和掃描隧道顯微術026 1.4.4光學顯微術029 1.4.5成分分析030 參考文獻034 第2章氧化石墨烯和功能化石墨烯040 2.1概述040 2.2氧化石墨烯040 2.2.1氧化石墨烯的製備041 2.2.2氧化石墨烯的表徵042 2.2.3氧化石墨烯的性質048 2.3

功能化石墨烯051 2.3.1共價鍵功能化051 2.3.2非共價鍵功能化057 2.3.3無機納米顆粒功能化059 2.3.4納米碳功能化060 2.3.5功能化石墨烯的表徵067 參考文獻082 第3章石墨烯/聚合物納米複合材料的製備與表徵087 3.1概述087 3.2熔融共混法089 3.2.1概述089 3.2.2典型流程和增容劑的作用090 3.2.3橡膠基納米複合材料092 3.3溶液共混法101 3.3.1概述101 3.3.2溶液共混102 3.3.3膠乳共混107 3.3.4功能化石墨烯的使用108 3.4原位聚合法110 3.4.1概述110 3.4.2環氧樹脂基納米複

合材料111 3.4.3聚氨酯基納米複合材料112 3.4.4聚醯胺6基納米複合材料116 3.4.5聚苯乙烯基納米複合材料121 3.4.6聚甲基丙烯酸甲酯基納米複合材料124 參考文獻128 第4章石墨烯/聚合物納米複合材料的力學性能133 4.1概述133 4.2拉伸力學性能134 4.2.1拉伸力學性能的表徵134 4.2.2應力-應變曲線134 4.2.3石墨烯片大小對複合材料力學性能的影響139 4.2.4石墨烯片取向對複合材料力學性能的影響141 4.3力學性能的理論預測147 4.3.1Halpin-Tsai模型147 4.3.2均勻應力-均勻應變模型150 4.3.3Mor

i-Tanaka模型150 4.4動態力學性能151 4.5抗壓曲性能153 4.6斷裂韌性155 4.6.1韌性的定量描述155 4.6.2環氧樹脂基納米複合材料157 4.6.3聚醯胺基納米複合材料161 4.6.4石墨烯/碳納米管/PVA納米複合材料163 4.6.5高強度、高韌性納米複合材料164 4.7增韌機制167 4.7.1裂紋轉向167 4.7.2裂紋釘紮168 4.7.3脫結合和拉出169 4.7.4裂紋搭橋172 4.7.5微開裂和塑性區分支174 4.7.6裂紋尖端的鈍化174 4.7.7斷裂機制的表徵174 4.8疲勞阻抗176 4.8.1疲勞阻抗的表徵176 4.8.

2環氧樹脂基納米複合材料的抗疲勞性能177 4.9抗磨損性能178 參考文獻180 第5章石墨烯/聚合物納米複合材料的介面行為185 5.1概述185 5.2介面行為的表徵技術186 5.2.1介面微結構的表徵技術186 5.2.2介面力學行為的表徵技術191 5.3石墨烯的拉曼峰行為對應變的回應198 5.3.1實驗方法198 5.3.2峰頻移與應變的函數關係199 5.4介面應力傳遞202 5.4.1Cox模型剪切-滯後理論的有效性202 5.4.2應變分佈和介面剪切應力203 5.4.3最佳石墨烯尺寸206 5.4.4應變圖206 5.4.5壓縮負荷下的介面應力傳遞207 5.4.6最

佳石墨烯片層數209 5.5PDMS基納米複合材料的介面應力傳遞215 5.6氧化石墨烯納米複合材料的介面應力傳遞218 參考文獻220 第6章石墨烯/聚合物納米複合材料的物理性質224 6.1熱學性質224 6.1.1導熱性質224 6.1.2熱穩定性230 6.1.3尺寸穩定性240 6.1.4阻燃性240 6.2電學性質247 6.2.1導電性質247 6.2.2介電性質262 6.3遮罩性質264 6.3.1氣體遮罩265 6.3.2液體遮罩271 6.3.3電磁遮罩271 參考文獻271 第7章石墨烯基柔性可穿戴材料277 7.1引言277 7.2柔性感測器277 7.2.1測量

原理及感測器形式277 7.2.2柔性感測器結構組成278 7.2.3柔性電子應變感測器的傳感機制280 7.3石墨烯膜柔性材料的製備方法281 7.3.1石墨烯溶液成膜282 7.3.2CVD法成膜284 7.4石墨烯纖維285 7.4.1石墨烯纖維製備286 7.4.2石墨烯纖維的性能291 7.5應用297 7.5.1觸覺傳感297 7.5.2電子皮膚及人造肌肉298 7.5.3人體健康監測和醫療302 7.5.4表情識別304 7.5.5語音辨識304 7.5.6智能服裝306 參考文獻310 第8章陶瓷基和金屬基納米複合材料315 8.1概述315 8.2石墨烯在陶瓷基體中的分散3

16 8.2.1分散劑及其作用316 8.2.2超聲波分散317 8.2.3球磨分散319 8.2.4攪拌分散322 8.3石墨烯/陶瓷複合材料粉體的製備方法323 8.3.1粉末工藝323 8.3.2膠體工藝326 8.3.3溶膠-凝膠工藝326 8.3.4聚合物衍生陶瓷328 8.3.5分子層級混合330 8.4石墨烯/陶瓷複合材料的燒結332 8.4.1概述332 8.4.2放電等離子體燒結332 8.4.3高頻感應加熱燒結336 8.4.4快速燒結337 8.5幾種典型的製備方法337 8.6石墨烯/陶瓷複合材料的力學性能339 8.6.1概述339 8.6.2斷裂韌性的表徵方法341

8.6.3斷裂韌性和增韌機制343 8.6.4摩擦行為354 8.7石墨烯/陶瓷複合材料的電學性質358 8.8金屬基複合材料360 8.8.1概述360 8.8.2石墨烯/銅複合材料361 8.8.3石墨烯/鋁複合材料364 8.9微觀結構的表徵方法368 8.9.1SEM368 8.9.2TEM370 8.9.3拉曼光譜術372 參考文獻375

以掃描穿透式電子顯微鏡分析高熵合金與金屬矽化物之原子級微結構

為了解決電子能量的問題，作者周易 這樣論述：

在本實驗中，有兩種高熵合金被製備，分別是NbTaTiV與NbTaTiVZr，其微觀結構在掃描式電子顯微鏡(SEM)之下，呈現的是等軸長且均質的晶粒結構，其晶體結構由X光繞射(XRD)、同步輻射X光繞射(Synchrotron diffraction)與穿透式電子顯微鏡(TEM)分析，呈現單一相的體心立方結構。其機械性質以拉升試驗機(tensile test)進行量測，對應NbTaTiV的降伏強度(yield strength)為1278百萬帕斯卡(MPa)，而NbTaTiVZr的降伏強度為1589百萬帕斯卡，其強度相較其他合金都是非常高的，為了解釋NbTaTiV與NbTaTiVZr的高強度，

由晶格畸變(lattice distortion)所造成的強化也納入機械強度的模擬，結果顯示晶格畸變的強化量，對於NbTaTiVZr為906.81百萬帕斯卡，而NbTaTiV則為431.48百萬帕斯卡，NbTaTiVZr的強化量為NbTaTiV的2.1倍。為了量測晶格畸變係數，理論值與計算值的晶格畸變係數被定義與計算，對於NbTaTiV與NbTaTiVZr其數值分別為0.1186埃(Å)與0.1831埃，但是這個方法使用預設的參數來計算，當預設的狀態不符合時結果會大幅偏離實際值；因此掃描穿透式電子顯微鏡(STEM)的高環角暗場像(HAADF)的特性，如真實空間解析與原子序對比被使用，來直接量測

晶格畸變與高熵合金中元素分布狀況。直接量測的結果顯示，NbTaTiV與NbTaTiVZr的晶格畸變係數分別為0.1140埃與0.1546埃，NbTaTiV的結果與理論計算非常吻合，而且由原子柱的強度分布來判斷，其元素分布相當隨機；而對於NbTaTiVZr，其晶格畸變係數小於理論值15%，由原子隨機分布性的降低推論， NbTaTiVZr中具有短程有序結構，使得晶格畸變程度降低。在室溫與1173 K下11.8%形變的NbTaTiV與4.2%形變的CrMoNbV也由穿透式電子顯微鏡與掃描穿透式電子顯微鏡進行觀察，發現其中大部分的差排(dislocation)屬於刃差排(edge dislocatio

n)，而由此判斷，刃差排是NbTaTiV與CrMoNbV中主要的強化機制來源，其結果與一般預期的結果不同，一般預期體心立方的晶體是以螺旋差排(screw dislocation)來進行強化。二矽化鈷與矽之異質結構特性也被以掃描穿透式電子顯微鏡的高環角暗場像(HAADF-STEM)、能量損失光譜儀(EELS)與近邊精細結構能量損失模擬(ELNES)進行分析，藉由掃描穿透式電子顯微鏡的高環角暗場像之影像，異質結構的模型被建立，此結構用來模擬並解釋矽L2,3的特殊介面峰。