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長庚大學 醫學影像暨放射科學系 趙自強、李宗其所指導 鄭鈞威的 TLD-400熱發光劑量計應用於半導體輻射可靠度測試 （2021），提出電子質量mev關鍵因素是什麼，來自於質子、半導體輻射可靠度測試、總游離劑量、單一事件效應、熱發光劑量計。

而第二篇論文國立暨南國際大學 應用材料及光電工程學系 陳祥、李明賢所指導 蕭連達的 二維鈣鈦礦/氧化鋅奈米柱異質接面應用於 寬頻光偵測器 （2021），提出因為有 氧化鋅奈米柱、二氧化矽基板、苯乙基銨碘化鉛、二維鈣鈦礦、表面形貌、寬頻偵測器的重點而找出了 電子質量mev的解答。

最後網站電子伏特| 能量的單位 - 曉茵萬事通則補充：例如，一個電子及一個正子（電子的反粒子），都具有能量大小為511 keV ，能對撞毀滅以產生1.022 MeV 的能量。 質子 ，一個標準的重子 ，具有能量0.938 GeV 。

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧：

除了電子質量mev，大家也想知道這些：

TLD-400熱發光劑量計應用於半導體輻射可靠度測試

為了解決電子質量mev的問題，作者鄭鈞威 這樣論述：

自從林口長庚的質子治療機開始運作之後，國內半導體輻射可靠度測試便可以開始在國內進行，大大的減少了測試的成本。其中半導體輻射可靠度測試又包含總游離劑量 TID 及單一事件效應 SEE 的測試。TID 效應屬於劑量累積所導致的效應，SEE 效應屬於單一粒子都有可能引發的機率性效應。在測試 TID 效應時除了需要清楚地得知半導體內的劑量沉積，也必須要考慮到射束品質及劑量率的影響，而測試 SEE 效應時，輻射通量的資訊是非常重要的，因此本研究欲找到一個參考劑量計，可以在做輻射可靠測試時監測劑量。TLD-400 的材質為氟化鈣，有效原子序 16.9，與矽的原子序(14)接近，可被視為矽等效材質，與半導

體材質接近，它同時也具有熱發光劑量計的優點，且靈敏度高，劑量線性範圍大，此外，目前已經有一篇由美國材料和試驗協會(American Society for Testing and Materials, ASTM)出版的報告可供參考。然而上述報告只針對鈷 60 光子射束進行校正，缺乏電子及質子。因此本研究會建立一套 TLD-400 的劑量計讀系統，其中會包含光子、電子及質子，並且建立一個可以量測矽及二氧化矽吸收劑量的數學模型，最後探討此熱發光劑量計之特性，並且將它應用到半導體輻射可靠度測試上。

二維鈣鈦礦/氧化鋅奈米柱異質接面應用於 寬頻光偵測器

為了解決電子質量mev的問題，作者蕭連達 這樣論述：

我們已知道有許多種方法可以合成生長氧化鋅奈米柱，例如：化學氣相沉積法（CVD）、金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）、物理氣相沉積（PVD）、電子束蒸鍍（E-beam evaporation）、電化學沉積法(ED)、水熱法(Hydrothermal)等。於是我們利用簡易的水熱法，在SiO2基板上合成高質量的氧化鋅奈米柱陣列。首先我們先清洗過SiO2基板，再使用旋塗法(Spin coating)在SiO2基板上製造氧化鋅晶種層，利用水熱法合成了氧化鋅奈米柱。為了提高氧化鋅奈米柱光偵測器的偵測波長範圍作為寬頻光偵測器，我們在氧化鋅奈米柱上堆疊PEA2PbI4二維鈣鈦礦，藉由能隙較小的二維鈣鈦礦增加

光偵測器的吸光範圍，我們利用不同濃度的PEA2PbI4二維鈣鈦礦旋塗在氧化鋅奈米柱上面，藉此調控二維鈣鈦礦層的厚度。實驗中進一步分析材料表面形貌、晶體結構和光學性質，於是透過場發射掃描式電子顯微鏡(FE-SEM)、X光繞射分析儀(XRD)、接觸角分析(Contact Angle Meter)、 光致發光光譜儀(PL)、拉曼分析(Raman)、Agilent 4155C半導體參數分析等儀器，對氧化鋅奈米柱及二維鈣鈦礦結構作分析。結果證明，SiO2基板/ZnO奈米柱/PEA2PbI4的結構提高了光偵測波長範圍，優化PEA2PbI4二維鈣鈦礦的厚度後，該元件從紫外光到綠光區間有不錯的元件表現，有希望

能應用於光電子元件上。關鍵字：氧化鋅奈米柱、二氧化矽基板、苯乙基銨碘化鉛、二維鈣鈦礦、表面形貌、寬頻偵測器

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