電阻表的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列股價、配息、目標價等股票新聞資訊

電力電子學圖鑑：電的原理、運作機制、生活應用……從零開始看懂推動世界的科技!

為了解決電阻表的問題，作者森本雅之 這樣論述：

　　電力電子學和我有什麼關聯？ 　　事實上，只要插上插座，開始使用電能， 　　你就與電力電子學分不開！ 　　微波爐是如何加熱？ 　　洗衣機用了什麼機制降低音量？ 　　冰箱是如何達到智慧節能？ 　　油電混合車的運作機制為何？ 　　從家電到交通工具，維持現代生活與社會運轉， 　　電力電子學可以說是必要技術！ 　　看懂電力電子學＝通曉全世界！ 　　0基礎也能看懂有關「電」的一切！ 　　技術也會一直革新，即使閱讀專業書籍或教科書， 　　也很難跟得上現實中的電力電子產品。 　　全書用圖解方式解說基礎原理、使用實例， 　　即使不是專家，也能輕鬆理解！

電阻表進入發燒排行的影片

利用電漿輔助化學沉積提升鋰離子電池中富鎳三元正極材料電化學性能之應用

為了解決電阻表的問題，作者曾子芯 這樣論述：

鋰離子電池作為一種新型的綠色能源，且具有多方面的優點，被廣泛應用於手機和筆記型電腦等數碼電子產品，純電動及混合動力新能源汽車，以及能源儲能系統之中。正極材料是鋰離子電池的關鍵組成，其不僅作為電極材料參與電化學反應，同時還要充當鋰離子源。理想的正極材料首先要有較高的化學穩定性和熱穩定性以保證充放電的安全，同時要有良好的電化學性能，具備較大的電容量與工作電壓、優良的循環和倍率性能。本實驗以廠商提供的商用富鎳正極材料粉末LiNi0.8Co0.1Mn0.1O2(NCM811)在經過混漿塗佈後，再利用電漿濺鍍的方式進行表面改質，其中我們選擇了氮化鈦以及氧化鈦作為改質材料，而在電漿處理上因應不同改質材料

的性質需選擇直流或射頻濺鍍。在電漿改質後，由於TiN良好的導電性與導熱性使其提升初始電容量至218.3 mAh/g，並且高溫下的循環穩定性在40圈以前依然維持在200 mAh/g，而後才漸漸有下降的趨勢，以及透過DSC可以看到放熱峰後移了53oC，安全性能也得到改善；TiO2因為是絕緣體，相對導電性沒有像TiN來的好，因此我們著重討論TiN改質。將TiN改質後的極片放在大氣環境下五天後，透過XPS可以明顯看出因TiN披覆而有效保護極片，使NCM811不與空氣中的CO2反應產生Li2CO3。將極片進行充放電50圈後，從SEM可以看出改質後的NCM顆粒被完整的保護，而原始的NCM811出現巨大的裂

痕，進而影響電化學表現。經由一系列改質後的極片之結構分析與電化學分析，認為電漿濺鍍能有效控制改質膜厚以及品質穩定性，並且在正極材料的安全性與循環穩定性皆有提升，值得注意的是電漿改質的方式是有望一次生產大量，因此是具有發展潛力的改質方式應用於正極材料。

全面圖解電動自行車和三輪車維修

為了解決電阻表的問題，作者王學屯 這樣論述：

本書為「傑出電工系列叢書」之一，全書共分10章，主要內容包括電動自行車基礎知識，維修工具及使用，檢修電動自行車的基本方法，元器件的識別與檢測，蓄電池，控制器電路及故障維修，充電器的原理、維修及代換，整機電路分析及維修，電動機的工作原理及故障維修，機械類故障維修。 全書敘述詳細、插圖精美、資料珍貴、通俗實用。本書適合農村電工、相關技能培訓或維修人員學習使用，也可作為職業院校或相關技能培訓機構的培訓教材。

朝向技術驗證之氮化鎵功率元件可靠度評估

為了解決電阻表的問題，作者吉德洛 這樣論述：

這項研究主要探討的目標為利用Silvaco TCAD (Technology Computer Aided Design) 對氮化鋁鎵/氮化鎵元件的電性進行模擬，進而做這種可靠度評估。其目的是在高功率元件應用上使氮化鋁鎵/氮化鎵元件成功地得到技術認證，並通過對其可靠度物理的深入了解，為其在商業應用上，做到更完善的準備。這項研究中，探討的方向依序是從肖特基柵極高電子遷移率電晶體 (HEMT)、金屬絕緣體半導體高電子遷移率電晶體 (MISHEMT)、p型氮化鎵柵極高電子遷移率電晶體(p-GaN Gate HEMTs)，最後是整合氮化鋁鎵/氮化鎵肖特基勢壘二極管 (SBD) 與氮化鎵柵極高電子遷移

率電晶體後，做為氮化鎵單石積體電路的一部分。根據元件失效模式效應分析 (FMEA) 的框架計劃進行探討，證實了隨著科技的複雜性增加，需要更多的可靠度分析。第 2 章討論了截止狀態下的高汲極電壓應力可靠性和在高汲極電壓截止狀態到低汲極電壓導通狀態切換條件下發生的動態導通電阻 (Ron) 增加或電流崩潰 (CC) ，討論對象為氮化鎵柵極高電子遷移率電晶體、肖特基柵極高電子遷移率電晶體。這些是基於現場操作中預期條件的壓力測試，用於電力電子設備（例如轉換器）。此次所使用的最先進的肖特基柵極高電子遷移率電晶體在其預期電壓額定值內顯示出最小的電流衰減和最小的動態導通電阻增加。這表明通過工藝優化最大限度地減

少缺陷並因此減少電荷俘獲位置，可以實現具有簡單結構的可靠 AlGaN/GaN HEMT。 Silvaco TCAD 模擬證實局部高電場僅在高斷態汲極電壓下存在，解釋了高斷態汲極擊穿電壓和整體穩定性。然後將這些穩定的器件用作黃金樣本，用於比較最常用的脈衝 IDVD 的動態導通電阻特性與從關閉狀態切換到導通狀態的瞬態電流。從結果發現脈衝 IDVD 方法顯示較低的動態導通電阻，因為在長時間導通狀態期間，由於電荷去俘獲引起的快速電流恢復，導致測量沒有捕捉到一些電阻增加。因此，研究的其餘部分採用了瞬態電流方法的動態導通電阻表徵，因為它提供了更可靠的開關導通電阻增加。第 3 章討論了在金屬-絕緣體-半導體

HEMTs (MISHEMTs) 之間添加了 SiN 絕緣體的 AlGaN/GaN HEMTs 的負偏壓溫度不穩定性 (NBTI)。 添加 SiN 絕緣體目的為降低柵極電流洩漏，但會使在 SiN/AlGaN 界面處引入缺陷點，而這些缺陷點尤其會在柵極區域作為電荷陷阱點，導致臨界電壓 (Vth) 偏移而導致 NBTI。MISHEMTs具有相對較厚 30nm 和 60nm 的SiN，顯示出雙向 NBTI 臨界電壓偏移。 臨界電壓由正到負的轉變需要更高的柵極電壓應力，有更高的絕緣體厚度並且隨著溫度的升高而提升。 因此提出隨著費米能階增加而產生一種類受體陷阱電離，其次是類供體陷阱電離。第 4 章討論

p-GaN 閘極 HEMT 的可靠度。閘極金屬下方元件的 p-GaN 空乏了閘極區域下方的 2DEG，將常開/增強模式 AlGaN/GaN 蕭特基閘極 HEMT 轉換為常關/增強模式元件是較為優秀的選項，因為它具有更多的故障自趨安全操作（即關閉施加閘極電壓截止）。然而，鎂摻雜形成 p-GaN 以及碳摻雜 GaN 緩衝層會導致更複雜的電荷載流子機制以及電荷捕捉和釋放。緩衝層是以襯底偏置背柵掃描（substrate bias back-gating sweep）來取得緩衝區陷阱相關的電流塌陷(Current Collapse )/動態導通電阻，其中通過比較 p-GaN 閘極 HEMT 與參考的蕭

特基ＨＥＭＴ，發現依賴於閘極偏置（bias）的電洞注入可以抑制其影響同一基板上的閘極 HEMT。這些結果以 Silvaco TCAD 模擬，證實了閘極電洞注入沿著路徑提供了更少的緩衝陷阱電荷，以在閘極下方進行緩衝。截止態汲極電壓擊穿、高汲極電壓斷態應力導通電阻特性在具有場板（field plate）配置的 p-GaN HEMT 上完成。發現較長場板傾向於調低接入區的電場峰值，從而通過在硬開關(hard switch)期間最大限度地減少半導通狀態期間的熱電子效應來降低動態導通電阻的增加。然而，長場板也使電場峰值更靠近汲極，從而降低了高汲極電壓截止態的擊穿和穩定性。 Silvaco TCAD 模擬

被用來證明這個困境。發現優化場板配置對於管理這種權衡是必要的。第5章討論了AlGaN/GaN蕭特基能障二極體(SBD)和p態GaN閘極HEMTs常見的可靠度評估。當SBD的AlGaN能障和鎂（Mg)摻雜形成的p態GaN 閘極HEMTs共享時，一連串整合的製程使AlGaN能障中出現向外擴散的鎂原子。將集成SBD的順向與逆向性質、逆向偏壓、和脈衝I-V分散模擬場操作開關條件特徵和作為參考的離散AlGaN/GaN SBD性質相互比較後，可發現和離散SBD相比，集成SBD具有更高的導通電阻、更好的可靠性和穩定性，這是因為在離散SBD中，將不會發生鎂原子向外擴散而導致的空孔傳輸。這個現象可以通過順向偏壓

AlGaN/GaN的接面電流、低逆向偏壓二維電子氣（2DEG)電流、和因為陽極電流導致的較低的蕭特基能障高度來證實。由深層能階暫態頻譜（DLTS)分析的暫態電流測量結果證實了在AlGaN能障中的鎂原子置換，脫離陷阱的電洞證明了，因為和第四章所討論到的p態GaN閘極HEMTs中的電洞注入導致的電流崩潰/動態導通電阻抑制現象相似的電洞相關抑制現象，而可能產生的分散抑制現象。第 6 章討論如何利用 Python 及擴充包，例如 Matplotlib、Pandas 和 SciPy，進行可靠度的數據分析。本章節實驗是在定電壓下，觀察HEMT的柵極隨時間發生擊穿的故障概率和壽命預測。建議在進行可靠度研究時

，可以廣泛使用數據分析。第 7 章中，再次透過表徵技術和 Silvaco TCAD 模擬對各種AlGaN/GaN 的元件，進行成功的可靠度評估以驗證故障分析，以作為本實驗的結尾。考慮到失效模式與影響分析(FMEA) 結構的調查確保明確，即使隨著技術複雜性的增加，仍然可以充分理解對可靠度的物理知識。在未來的工作中，將需要使用更複雜的模擬條件，包括時間相關/瞬態模擬，以及更多關於真實設備條件匹配的細節。這數位對映等級的細節層次有助於可靠度設計，以加速 GaN 技術的成熟度。