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崑山科技大學 電子工程研究所 曾清標、吳宏偉、衞祖賞所指導 黃秉敦的 探討超高頻電漿輔助原子層沉積系統製備氮化鋁薄膜在散熱封裝之應用 (2021),提出2021 散熱族群關鍵因素是什麼,來自於超高頻電漿輔助原子層沉積系統、氮化鋁薄膜、散熱。

最後網站散熱明年再旺一波雙鴻營收拚成長2成 - 蘋果日報則補充:散熱族群 今年在5G題材加持下,股價表現亮眼。 ... 基地台建置時程,加上intel新世代晶片延遲上市,明年成長力道較不明顯,爆發期預計將落在2021年。

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了2021 散熱族群,大家也想知道這些:

2021 散熱族群進入發燒排行的影片

#記憶體 #散熱族群 #個股追蹤

各位投資朋友,準備好掌握大賺機會,避開賠錢風險了嗎!
最近股市波動很大,所以今天來回測一下我們之前所介紹的三支股票
散熱產業 #力致
記憶體產業 #十銓
手機感測市場 #矽創

0:49 本集影片重點
2:06 本週大盤變化
2:25 矽創
7:18 力致
9:32 十銓
11:49 總結

*本集錄製時間為:2021/03/08(一)

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探討超高頻電漿輔助原子層沉積系統製備氮化鋁薄膜在散熱封裝之應用

為了解決2021 散熱族群的問題,作者黃秉敦 這樣論述:

近年來散熱族群未來的商機,可以說是相當的多,因未來之電子產品愈做愈精細、效能愈來愈高,體積又要愈來愈小,因此處理散熱問題的市場規模將會愈來愈大。而高導熱率材料在此市場十分熱門,其探究原因為具有高的熱傳導率、高介電常數和介電損失、良好的電絕緣性等,應用的範圍相當廣泛,具有極大潛力可逐漸取代其他的陶瓷基板材料。本研究分為兩個實驗部分,第一部分通過超高頻(40.68 MHz)電漿輔助型原子層沉積系統(VHF-PEALD)沉積氮化鋁薄膜(Aluminum nitride, AlN),並通過前驅物三甲基鋁(Trimethylaluminum, TMA)及高純度氮氣(99.99%)作為反應物,沉積於P型

矽基板。並通過低掠角繞射儀(GIXRD)分析和C-V、I-V分析,可得參數射頻電漿300W與沉積溫度為200℃所沉積氮化鋁薄膜有佳薄膜特性,其具有晶體取向(102)、介電常數(7.2)和低漏電流。第二部研究為薄膜之散熱比較,通過第一部分測試後以有結晶度之薄膜進行散熱實驗,透過加熱器對基板進行加熱實驗,並運用熱顯像儀,觀察氮化鋁薄膜之溫度變化。