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國立高雄科技大學 機械工程系 陳道星所指導 郭冠林的 不同摻雜元素對TiO2薄膜之性質研究 （2021），提出AZO stock關鍵因素是什麼，來自於磁控鍵鍍、多層膜、真空退火。
而第二篇論文國立臺灣大學 機械工程學研究所 莊嘉揚所指導 陳俞蓁的 雷射輔助噴射式大氣電漿系統開發與應用於鍍製透明導電薄膜與圖樣 （2020），提出因為有 大氣電漿、透明導電薄膜、氧化鋅摻雜鎵、雷射退火、透明電極、透明導電圖樣的重點而找出了 AZO stock的解答。
不同摻雜元素對TiO2薄膜之性質研究
為了解決AZO stock 的問題，作者郭冠林 這樣論述：
本研究利用RF射頻磁控濺鍍(Radio-Frequency magnetron sputtering)將純度99.99%的二氧化鈦(TiO2)用不同濺鍍參數，在玻璃基板上沉積氧化物層，接著以DC直流濺鍍(DC magnetron sputtering)將純度99.99%的鉬(Mo)及鈮(Nb)沉積於氧化物夾層中，形成多層透明導電薄膜。並將薄膜在真空中進行不同溫度的退火，藉由熱能使其內部結晶重新排列，使薄膜在結構上可有置換的特性以及改善內部的缺陷。進而探討兩種不同金屬層之雙層膜，以及置換第三層氧化物層之多層結構經退火處理後，分析其薄膜的厚度、電性性質、光學性質、表面結構、品質因素。研究結果發現
，TiO2/Mo雙層薄膜在未退火前有最低 的電阻率1.97×10^-1Ω-cm，平均穿透率為66.59%；多層膜在TiO2/Nb/ITO結構時，最好的電性為退火500°C時的電阻率9.22×10^-4 Ω-cm，平均穿透率為85.23%。品質因素的部分以多層膜之TiO2/Nb/ITO結構的3.88×10^-3Ω-1為最佳。
雷射輔助噴射式大氣電漿系統開發與應用於鍍製透明導電薄膜與圖樣
為了解決AZO stock 的問題，作者陳俞蓁 這樣論述：
目前透明導電薄膜以銦錫氧化物(Indium tin oxide, ITO)為主流，但銦為稀有金屬，其價格日益攀升，鎵摻雜氧化鋅(Gallium doped zinc oxide, GZO)因為具備寬能隙(> 3 eV)、高導電性等特性，為適合的替代材料之一。本研究使用噴射式大氣電漿(Atmospheric pressure plasma jet, APPJ)鍍製GZO薄膜，此法的優點是不需要使用真空腔室與能用於大面積薄膜沉積。本研究深入探討雷射退火對以大氣電漿法沉積的GZO薄膜之影響，雷射源選用二氧化碳雷射(波長為10600 nm)，二氧化碳雷射很適合用於加熱沉積在玻璃上的薄膜，因為其對玻璃
有相當小的光學穿透深度(~1.66 μm)。透過選擇適當雷射功率，除了能提升薄膜的導電性，亦能提升薄膜整體的均勻度。由於薄膜鍍製過程中受到非刻意大氣退火，剛沉積完成的薄膜上某些區域堆積在晶粒邊界的鎵氧團簇含量較多，這些鎵氧團簇會影響自由載子的移動，從而降低霍爾遷移率，所以薄膜的導電性呈現區域性落差。經由雷射退火可以消除晶粒邊界的鎵氧團簇，因此薄膜的導電度、均勻度皆獲得改善，除此之外，退火後薄膜光學性質亦有微幅提升。在諸多應用中，透明導電薄膜最常被當作透明電極使用，有別於主流、繁複的透明電極製作法─ 先沉積一層薄膜後續再經過光微影蝕刻技術以製成，本研究透過二氧化碳雷射結合噴射式大氣電漿系統，設計
並建構出一套系統得以一步驟性的做出線寬為350 μm的GZO透明導電圖樣，完成諸多展示並對圖樣的光電性質進行分析。