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全彩圖解腹膜透析居家照顧全書

為了解決EPO的問題，作者花蓮慈濟醫學中心腎臟科&復健醫學部&營養科醫療團隊 這樣論述：

國內第一本 腹膜透析醫療知識全解析 結合醫生、護理師、復健師、營養師等眾多醫療專業人士詳解透析居家操作護理指南 適用於慢性腎臟病第5期、腹膜透析或血液透析病人， 進行腹膜透析各種醫療及照護的應變方案，輕鬆解答患者及其家屬的疑問 台灣慢性腎臟病的發生率與盛行率堪稱世界第一，台灣洗腎人口超過九萬多人，透析人數每年更以3～4％迅速成長，目前國人慢性腎臟病1～5期人口數約200多萬人，而慢性腎臟疾病第4～5期的病人，全台約有14萬人左右，這個數字並不是「定數」，而是不斷在「進行的數字」。 腎臟病第5期的腎功能下降，且尿毒指數不斷攀升，在利用藥物及飲食控制無法有效控制病情時，就需要選擇接受腹膜透析、

血液透析或腎臟移植等替代性療法來代替衰竭的腎功能。由於國人對於「腹膜透析」認知仍一知半解，以為得到醫院「血液透析」洗腎較有效，然而醫療的進步，政府與各大醫院這幾年極力宣導「居家」腹膜透析比血液透析（洗腎），更有利於維持良好的生活品質。 2016年起衛福部開始積極推廣「醫病共享決策」，目的就是希望藉由病人與家屬共同參與醫療決策的過程，增進醫病間的溝通與信任，最重要的是選擇出最適合病人的治療方式，也才能讓病人得到最好的醫療照護品質。慢性腎臟病友在治療上需接受替代療法前，應該先了解「腹膜透析」和「血液透析」的差異性，進而與醫療團隊進行「醫病共享決策」慎重評估決定。 然而「血液透析」和「腹膜透析」二種

的治療效果相近，但操作方法、日常照護、飲食及生活型態及回診時間次數卻是大不相同。近年來醫病共享決策的推行，讓腎友有機會參與治療選擇，但如何做出合適的選擇？有患者主觀性認為由醫護人員來執行透析較為安全，因而選擇「血液透析」；亦有患者考量家庭照顧問題、工作需要、就學需求，選擇「腹膜透析」，也能解除頻繁往返醫院的困擾，同時可減少血透扎針的痛感，只要落實正確換液操作，飲食控制得宜，定期回診追蹤，即能維持良好生活品質，上班或休閒旅遊皆不受限。 醫學研究報告指出：腹膜透析有助於清除體內中大分子的毒素，且是較溫和而持續的換液方式，可以保持透析中血壓的穩定，並有助於殘餘腎功能的維持，對於腎友的毒素清除、水分控

制、心血管負荷、電解質的平衡及預防血液感染併發症等方面，均優於血液透析。 花蓮慈濟醫學中心的腎臟科團隊，不受新冠病毒所擾，仍依計畫完成了第三本醫普書的撰寫出版，繼《透析護腎一日三餐健康蔬療飲食》、《慢性腎臟病科學實證最強復健運動全書》之後，再次出版《全彩圖解腹膜透析居家照護全書》，用心實踐「全人醫療」。 本書由「國民健康局腎臟病健康促進機構評量」評鑑Ａ級醫療團隊，分享20多年專業及用心的照護經驗，以病人觀點描述所有腹膜透析的適應症、操作程序、併發症預防與處理，且採大量圖解、臨床案例說明、用藥＆飲食指南、雲端管理等資訊，讓病友及家屬能詳細了解腹膜透析相關的實務操作與衛教知識，減輕壓力及負擔，持續

追求健康的生活。  👉腹膜透析的８大優點 „優點1➙不需要打針 „優點2➙不需經常往返醫院 „優點3➙飲食較不受限制 „優點4➙較能保留殘餘腎功能 „優點5➙透析時間彈性 „優點6➙無血液流失 „優點7➙透析過程血壓穩定 „優點8➙提升自我照顧能力 👉本書特色 „超實用的架構：以豐富的醫療照護及輔導經驗，列舉從基礎操作到實務運用層面，呈現最完整的衛教知識，提供慢性腎臟病病人、腹膜透析病人與家屬及相關醫護團隊參考指引，達到病人與醫護的共同橋樑。 „內容淺顯易懂：運用大量的彩色圖解說明，加強圖像記憶，可輕鬆學習及理解重要的關鍵，速懂腹膜透析相關的健康知識。 „影音示範教學：掃描ＱＲcode即可透過

影音教學平台，無限次觀看由護理師親自示範影像，亦可同步操作練習，提升學習的成效！ „臨床案例分享：以實境的互動取材為引導，呈現衛教及親民性的故事情節，透過正確的醫療資訊，達到醫病之間良好的溝通與交流。 „適用教學指導用書：本書內容有別於專業書籍，內容淺顯易懂，可輔助基層護理師、護理系學生、洗腎診所醫護人員或長照服務員，做為指導腎友的工具書。  【本書章節重點】 PART 1認識身體的「排水系統」 PART 2作自己的醫生：決定最適合治療 PART 3 腹膜透析進行式 PART 4「有肚量家族」的健康管理 PART 5「有肚量家族」的日常照護須知 PART 6「有肚量家族」的例常運作與調適

PART 7 善用科技，完整照護網  👉快速學會腹膜透析3大要領（附影音連結） 1.正確洗手步驟 2.導管出口照護 3.換液技術  【特別收錄】 🔍食物含鉀表 🔍食物含磷表 🔍如何留二十四小時小便及透析液   🔍腹膜透析常見Q&A  👉誰需要這本書？ ✤第4期跟第5期慢性腎臟病病友及家屬 ✤執行腹膜透析的病友及家屬 ✤血液透析欲轉換洗腹膜透析的腎友 ✤從事護理工作的護理人員 ✤從事護理教學老師（包括臨床護理老師) ✤營養師、復健師、藥師等相關醫療人員 ✤腎臟疾病相關的醫院及診所 ✤護理之家、安養機構、老人長期照顧中心等機構

EPO進入發燒排行的影片

國際SEP訴訟管轄規則之研究 —以小米通訊技術有限公司與Inter Digital公司標準必要專利許可費率糾紛案為視角

為了解決EPO的問題，作者耿柏洋 這樣論述：

從傳統衝突法理論上看，智慧財產權案件是涉外民商事法律案件的特例。對於智慧財產權糾紛，傳統觀念強調依據智慧財產權的地域性進行管轄，使得智慧財產權領域並沒有被衝突法理論所關注。多年以來，針對於國內智慧財產權糾紛，各國一直適用國內法律規範加以解決。而針對涉外智慧財產權之保護，各國一直遵循國際公約之規定對涉外智慧財產權加以保護，這就使得面對涉外標準必要專利糾紛時運用傳統衝突法理論無法加以妥善解決。標準必要專利與反托拉斯的結合、公權力與私權利的交叉，運用傳統衝突法理論加以解決只會引起各國強烈的司法衝突。 隨著涉外民商事關係的愈加緊密，傳統的衝突法理論面臨著新的挑戰，現有的智慧財產權政策已

經難以滿足越來越多的標準必要專利糾紛。隨著二十一世紀互聯網以及物流業的快速發展，智慧財產權逐漸擺脫傳統地域管轄觀念的束縛，突破了傳統的專屬管轄的限制。基於現有智慧財產權國際公約針對標準必要專利糾紛管轄權之缺失，英國在無線星球訴華為案中率先確立全球管轄權開啟「潘多拉魔盒」後，堅持智慧財產權區域管轄權的部分國家（如中國大陸地區）為了維護本國之政治目的與經濟利益，逐漸擴大本國法院之管轄權，開啟「標準必要專利管轄權戰爭」，造成涉外標準必要專利管轄權之混亂。 根據當前社會的主流價值的變化來調整規則的適用是實體法方法論存在的客觀和顯示基礎。實體法方法論不僅適用於標準必要專利選法規則理論，同樣也可以適

用於標準必要專利管轄權領域。運用實體法方法論解決涉外標準必要專利管轄權衝突。通過分析標準必要專利本身之特點和屬性，平衡專利持有者及實施者雙方共同的利益，總結世界兩大法律體系共同追尋之價值，通過建立統一的實體法解決涉外標準必要專利管轄權糾紛，實現國際私法追尋之終極目標個案的「公平」、「正義」是解決當前標準必要專利糾紛根本之道。

聆聽宇宙的聲音

為了解決EPO的問題，作者PatriciaValdez 這樣論述：

耳目一新的主題，緊接原文版同年上市！   橫跨 100 年的時光 串聯起 2 位先驅科學家 完成 1 項開創性的發現！   ★女性科學家蓋比．岡薩雷斯的圖畫書傳記 ★當代尖端科學──關於重力波的科普繪本   時間與空間彼此連結成時空， 愛因斯坦預測，當星體相撞， ((((( 會在宇宙時空中激起一陣漣漪…… )))))   　　我沒有特殊的天賦，只是擁有熱切的好奇心。 　　──愛因斯坦（1879年出生，1916年預測了重力波）   　　我們想知道關於宇宙的一切──這是人性。我們非常、非常好奇。 　　──蓋比蕾拉．岡薩雷斯（1965年出生，2015年偵測到重力波） 　　 　　1916年，愛因斯

坦提出了一個理論。他認為宇宙中的星體間發生碰撞時，會在時空結構中產生微小的波動、激起一陣漣漪。但這個理論，在他有生之年都無法證明。   　　將近百年後，一位來自阿根廷的移民科學家，蓋比．岡薩雷斯，她著手研究愛因斯坦提出的「時空漣漪」問題。蓋比從小喜歡看夜空的星星，她努力學習物理學，希望藉此了解宇宙的祕密。   　　後來蓋比加入LIGO團隊，用現代技術，嘗試證明愛因斯坦的理論。起初，什麼都沒有。   　　但是有一天……他們聽到聲音了。LIGO團隊不斷測量、計算、分析，終於確定，這個來自宇宙的聲音，就是重力波！   　　【大事紀】 　　2015年：歷史上首次偵測到重力波。 　　2016年：蓋比以L

IGO團隊發言人的身分，向全世界宣布這項發現。 　　 　　(((((( 用淺顯的話，解釋重力波 )))))) 　　很久以前，在遙遠的宇宙中，有兩個黑洞互相繞著圈圈。它們愈跑愈快，最後撞在一起，形成一個更大的黑洞。碰撞釋放出的能量，引起了時空漣漪，就像青蛙和荷葉的碰撞會產生漣漪一樣。   　　這些漣漪隨著時間的推移，往地球傳遞過來……   本書特色   　　★重現激勵人心的重大時刻！ 　　宇宙深處傳來的漣漪，也在人們心中激起漣漪。 　 　　★真實認識主角蓋比的推薦人，齊聲說讚！ 　　蓋比2017年曾訪問臺灣，進行學術交流。   　　★圖畫優雅溫柔，細膩的色彩搭配，令人喜愛的人物畫風 　　 　　★

用簡明的文字與插圖，解釋時空漣漪──重力波的成因 　　跟著畫面上蜻蜓與青蛙的指引！   　　★書末附年表和詞彙表，並介紹愛因斯坦的廣義相對論，還有LIGO（雷射干涉重力波天文臺）的運作，提供豐富背景知識。   激勵推薦   　　李昫岱｜屋頂上的天文學家主理人．中正大學兼任助理教授 　　周美吟｜中研院天文所EPO計畫科學家 　　科學X博士(蕭俊傑) ｜專業科展講師 　　徐麗婷｜科普繪本推廣者 　　趙煦｜LIGO臺灣團隊．清大光電工程所教授 　　賴嘉綾｜作家．繪本評論人 　　(以首字筆畫排列) 　　 　　這本STEM讀物是對任何公共或學校圖書館館藏的極佳補充。蓋比．岡薩雷斯值得與瑪格麗特．米契爾、

凱薩琳．強森、葛麗絲．霍普、愛達．勒芙蕾絲、馬里奧．莫利納得到相同的認可。──《學校圖書館期刊》☆星級評論    　　透過插畫的方式介紹科普和科學家，讓書的內容更生動、更容易理解。──李昫岱   　　透過岡薩雷斯教授的故事，希望讓孩子知道不分國籍與性別，都能勇敢探索宇宙的真相！──周美吟   　　很難得看到用這麼可愛的圖文，來描述這段偉大的科學故事。──科學X博士蕭俊傑 　　 　　這本書用每個人都能理解的文字，介紹愛因斯坦廣義相對論裡所預言的重力波理論、和LIGO團隊的重大發現，宇宙的奧妙不再是遙不可及。──徐麗婷   　　若用一句話來形容蓋比：一位傑出的「大科學」研究團隊領導者。──愛因斯坦

也會為她鼓掌。──趙煦   　　＊適讀年齡：中年級以上

退火處理之釔摻雜氮化鋁電阻式記憶體於人工電子突觸的應用

為了解決EPO的問題，作者黃竹均 這樣論述：

目錄摘要 iAbstract iii目錄 iv圖目錄 viii第一章 簡介 11.1背景 11.2人工電子突觸 21.3電阻式記憶體 31.4設備 41.4.1製成機台 41.4.1.1 RCA 濕式清洗技術 41.4.1.2 射頻磁控濺鍍系統 51.4.1.3 熱阻式蒸鍍機 61.4.2量測機台 61.4.2.1 Keithley 4200 61.4.2.2 Keysight B1500A 61.5 電性量測方法 71.5.1 電流電壓測試 71.5.2 阻值分佈 71.5.3 操作電

壓分佈 71.5.4 耐久度測試 81.5.5 資料儲存耐久度測試 81.5.6 神經仿生測試 91.6 物理機制 91.6.1 空間電荷限制電流 101.6.2 陷阱輔助穿隧 111.6.3 蕭特基效應 111.7 物性分析 121.7.1 X射線光電子能譜學 121.8 研究動機 121.9 論文架構 14第二章 釔摻雜比例對於氮化鋁電阻式記憶體的影響 262.1簡介 262.2實驗步驟 262.2.1 元件製作 262.3結果與討論 282.3.1 電流電壓特性分析 282.3.2

操作電壓分佈與阻值分佈 292.3.3 元件耐久度分析 302.3.4 資料儲存耐久度度分析 312.3.5 神經仿生特性分析 312.3.6 物理機制探討 322.3.7 物性分析(X射線光電子能譜分析) 342.4本章總結 35第三章 釔摻雜氮化鋁電阻式記憶體退火處理的探討 543.1簡介 543.2實驗步驟 543.2.1元件製作 553.3結果與討論 563.3.1 電流電壓特性分析 562.3.2 操作電壓分佈與阻值分佈 573.3.3 元件耐久度分析 583.3.4 資料儲存耐久度度分析

593.3.5 神經仿生特性分析 603.3.6 物理機制探討 623.3.7 物性分析(X射線光電子能譜分析) 633.4本章總結 64第四章 結論與未來展望 854.1結論 854.2未來展望 86參考文獻 87 圖目錄圖1-1 逢紐曼架構[10] 16圖1-2 人工智慧技術 16圖1-3 神經突觸與電阻式記憶體結構 17圖1-4 氮空缺機制形成燈絲通道示意圖 17圖1-5 RCA Clean流程圖 18圖1-6 射頻磁控濺鍍系統示意圖 18圖1-7 熱阻式蒸鍍機示意圖 19圖1-8 電阻式記憶體

之電流電壓曲線示意圖[4] 19圖1-9 電阻式記憶體之電阻值分佈示意圖[3] 20圖1-10 電阻式記憶體之操作電壓分佈示意圖[3] 20圖1-11 電阻式記憶體之耐久度測試示意圖[3] 21圖1-12 電阻式記憶體之資料儲存耐久度測試示意圖[3] 21圖1-13 電阻式記憶體之神經仿生測試示意圖[11] 22圖1-14 空間電荷限制電流之能帶示意圖[12] 22圖1-15 空間電荷限制電流之擬合示意圖[13] 23圖1-16 陷阱輔助穿隧之能帶示意圖[3] 23圖1-17 陷阱輔助穿隧之擬合示意圖[3] 24圖1-18 蕭特基效應

之能帶示意圖[14] 24圖1-19 蕭特基效應之擬合示意圖[15] 25圖1-20 研究動機流程圖 25圖2-1 釔摻雜氮化鋁電阻式記憶體結構 37圖2-2 釔摻雜氮化鋁電阻式記憶體實驗流程 37圖2-3 純氮化鋁的電阻式記憶體電流電壓曲線 38圖2-4 1.9%釔摻雜含量的氮化鋁電阻式記憶體電流電壓曲線 38圖2-5 3.4%釔摻雜含量的氮化鋁電阻式記憶體電流電壓曲線 39圖2-6 5.5%釔摻雜含量的氮化鋁電阻式記憶體電流電壓曲線 39圖2-7 不同釔摻雜含量元件的操作電壓分佈 40圖2-8 不同釔摻雜含量元件的阻值分佈

40圖2-9 不同釔摻雜含量元件的耐久度分析 41圖2-10 不同釔摻雜含量元件的資料儲存耐久度分析 41圖2-11 1.9%釔摻雜含量元件在-0.84V/0.9V脈衝振幅下的仿生特性 42圖2-12 3.4%釔摻雜含量元件在-0.84V/0.9V脈衝振幅下的仿生特性 42圖2-13 5.5%釔摻雜含量元件在-0.84V/0.9V脈衝振幅下的仿生特性 43圖2-14 氮化鋁元件在-0.93V/1V脈衝振幅下的仿生特性 43圖2-15 1.9%釔摻雜含量元件在-0.93V/1V脈衝振幅下的仿生特性 44圖2-16 3.4%釔摻雜含量元件在-0.93V/1

V脈衝振幅下的仿生特性 44圖2-17 5.5%釔摻雜含量元件在-0.93V/1V脈衝振幅下的仿生特性 45圖2-18 1.9%釔摻雜含量元件在-1.02V/1.1V脈衝振幅下的仿生特性 45圖2-19 3.4%釔摻雜含量元件在-1.02V/1.1V脈衝振幅下的仿生特性 46圖2-20 5.5%釔摻雜含量元件在-1.02V/1.1V脈衝振幅下的仿生特性 46圖2-21 不同釔摻雜含量元件的陷阱輔助穿隧擬合分析 47圖2-22 不同釔摻雜含量元件的空間電荷限制電流擬合分析 47圖2-23 氮化鋁元件Al 2p的XPS分析圖 48圖2-24 1.9%

釔摻雜含量元件Al 2p的XPS分析圖 48圖2-25 3.4%釔摻雜含量元件Al 2p的XPS分析圖 49圖2-26 5.5%釔摻雜含量元件Al 2p的XPS分析圖 49圖2-27 氮化鋁元件N 1s的XPS分析圖 50圖2-28 1.9%釔摻雜含量元件N 1s的XPS分析圖 50圖2-29 3.4%釔摻雜含量元件N 1s的XPS分析圖 51圖2-30 5.5%釔摻雜含量元件N 1s的XPS分析圖 51圖2-31 1.9%釔摻雜含量元件Y 3d的XPS分析圖 52圖2-32 3.4%釔摻雜含量元件Y 3d的XPS分析圖 52圖2-33 5

.5%釔摻雜含量元件Y 3d的XPS分析圖 53圖3-1 純氮化鋁及釔摻雜氮化鋁的電阻式記憶體退火處理之結構 65圖3-2 純氮化鋁及釔摻雜氮化鋁的電阻式記憶體實驗流程 65圖3-3 氮化鋁的電阻式記憶體電流電壓曲線 66圖3-4 氮化鋁300度退火的電阻式記憶體電流電壓曲線 66圖3-5 氮化鋁400度退火的電阻式記憶體電流電壓曲線 67圖3-6 3.4%釔摻雜含量的氮化鋁電阻式記憶體電流電壓曲線 67圖3-7 3.4%釔摻雜含量300度退火氮化鋁電阻式記憶體電流電壓曲線 68圖3-8 3.4%釔摻雜含量400度退火氮化鋁電阻式記憶體電流電壓曲

線 68圖3-9 3.4%釔摻雜含量500度退火氮化鋁電阻式記憶體電流電壓曲線 69圖3-10 不同退火溫度的氮化鋁元件之操作電壓分佈 69圖3-11 不同退火溫度的釔摻雜元件之操作電壓分佈 70圖3-12 不同退火溫度的氮化鋁元件之阻值分佈 70圖3-13 不同退火溫度的釔摻雜元件之阻值分佈 71圖3-14 不同退火溫度的氮化鋁元件之耐久度分析 71圖3-15 不同退火溫度的釔摻雜元件之耐久度分析 72圖3-16 不同退火溫度的氮化鋁元件之資料儲存耐久度分析 72圖3-17 不同退火溫度的釔摻雜元件之資料儲存耐久度分析 73圖3-1

8 氮化鋁元件在-0.93V/1V脈衝振幅下的仿生特性 73圖3-19 300度退火氮化鋁元件在-0.93V/1V脈衝振幅下的仿生特性 74圖3-20 400度退火氮化鋁元件在-0.93V/1V脈衝振幅下的仿生特性 74圖3-21 氮化鋁元件在-1.25V/1.3V脈衝振幅下的仿生特性 75圖3-22 300度退火氮化鋁元件在-1.25V/1.3V脈衝振幅下的仿生特性 75圖3-23 400度退火氮化鋁元件在-1.25V/1.3V脈衝振幅下的仿生特性 76圖3-24 氮化鋁元件在-1.5V/1.55V脈衝振幅下的仿生特性 76圖3-25 300度退火氮

化鋁元件在-1.5V/1.55V脈衝振幅下的仿生特性 77圖3-26 400度退火氮化鋁元件在-1.5V/1.55V脈衝振幅下的仿生特性 77圖3-27 3.4%釔摻雜含量元件在-0.84V/0.9V脈衝振幅下的仿生特性 78圖3-28 300度退火的3.4%釔摻雜含量元件在-0.84V/0.9V脈衝振幅下的仿生特性 78圖3-29 400度退火的3.4%釔摻雜含量元件在-0.84V/0.9V脈衝振幅下的仿生特性 79圖3-30 3.4%釔摻雜含量元件在-0.93V/1V脈衝振幅下的仿生特性 79圖3-31 300度退火的3.4%釔摻雜含量元件在-0.93V

/1V脈衝振幅下的仿生特性 80圖3-32 400度退火的3.4%釔摻雜含量元件在-0.93V/1V脈衝振幅下的仿生特性 80圖3-33 3.4%釔摻雜含量元件在-1.02V/1.1V脈衝振幅下的仿生特性 81圖3-34 300度退火的3.4%釔摻雜含量元件在-1.02V/1.1V脈衝振幅下的仿生特性 81圖3-35 400度退火的3.4%釔摻雜含量元件在-1.02V/1.1V脈衝振幅下的仿生特性 82圖3-36 不同退火溫度的釔摻雜元件之空間電荷限制電流擬合分析 82圖3-37 不同退火溫度的釔摻雜元件之蕭特基效應擬合分析 83圖3-38 3.4%

釔摻雜含量元件N 1s的XPS分析圖 83圖3-39 3.4%釔摻雜含量元件300度退火N 1s的XPS分析圖 84圖3-40 3.4%釔摻雜含量元件400度退火N 1s的XPS分析圖 84