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明道大學 材料科學與工程學系碩士班 張奇龍所指導 黃志淞的 陰極電弧沉積氮化鋁矽薄膜之製程與特性研究 （2009），提出GPA 3.5 Dcard關鍵因素是什麼，來自於基板偏壓、陰極電弧蒸鍍、氮化鋁矽。
陰極電弧沉積氮化鋁矽薄膜之製程與特性研究
為了解決GPA 3.5 Dcard 的問題，作者黃志淞 這樣論述：
本研究使用陰極電弧蒸鍍系統製備氮化鋁矽(Al-Si-N)薄膜於碳化鎢基板上，探討於不同基板偏壓製程下，其微結構、機械、腐蝕及磨耗性質之影響。分析儀器使用場發式電子顯微鏡、原子力顯微鏡、X光繞射儀來分析薄膜之微結構、結晶相鑑定、晶粒大小及殘留應力；薄膜元素成份、化學組態及縱深分析則使用X光光電子能譜儀；並利用奈米壓痕儀、表面粗度測定儀與磨耗試驗機來進行微硬度、表面粗糙度及磨耗性質的量測；腐蝕特性則使用恆定電位儀分別於1M H2SO4及3.5 wt.% 水溶液中進行腐蝕電位之量測。分析結果顯示，薄膜由細晶AlN、非晶質Si3N4及自由態Si原子所組成，且隨著基板偏壓增加，薄膜之優選取向由AlN
(002)轉變成AlN (100)。薄膜之微硬度隨著基板偏壓由-30V至-90V而增加至35GPa，當基板偏壓高於-90V後，硬度則減小，而薄膜之晶粒大小則隨著基板偏壓增加至-90V時，減小至2.15mn，呈現晶粒細化現象，再提高增加基板偏壓則導致晶粒大小變大。