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國立臺灣科技大學 電子工程系 李三良所指導 陳偉訓的 利用矽光子技術實現光學天線陣列 （2019），提出MPW Wafer關鍵因素是什麼，來自於光電積體電路、矽光子、光學雷達、光學天線陣列。
而第二篇論文國立交通大學 電子研究所 郭建男所指導 蔡千慧的 砷化鎵製程之寬頻放大器電路設計 （2018），提出因為有 寬頻放大器、砷化鎵製程、雙回授架構的重點而找出了 MPW Wafer的解答。
利用矽光子技術實現光學天線陣列
為了解決MPW Wafer 的問題，作者陳偉訓 這樣論述：
近年來隨著自駕車的發展，對於感測元件的需求與研究日益增加，利用矽光子技術實現全固態式光學雷達同時具備矽光子積體電路低功耗、可積體化的特性及全固態式光學雷達高解析度、掃瞄範圍大的優點，因此，在感測領域扮演關鍵的技術。本論文設計週期性側壁光柵結構波導作為光學天線，利用比利時微電子研究中心所提供之矽光子製程成功實現64通道光學相控陣列。經過量測與分析，驗證週期性側壁光柵結構波導作為光學天線的可行性，其光學天線傳播方向的光束發散角為0.15°，中心波長1550 nm之光束角度為0.43°，波長調控效率為每奈米0.16°，而光學天線陣列在陣列方向的光束發散角為0.135°，旁瓣角度約為9.66°，以上
量測結果與模擬結果相符，但光學天線均勻出光的量測結果與模擬有所差異，其原因為製程誤差導致光柵形狀改變影響出光率。此外，本論文重新設計光學相控陣列之架構，利用光切換器實現1024通道分組切換之光學相控陣列，不僅解決製程密度規範限制光學天線間距的問題，同時增加波長掃描範圍，並成功下線此設計。
砷化鎵製程之寬頻放大器電路設計
為了解決MPW Wafer 的問題，作者蔡千慧 這樣論述：
本文描述一個針對高線性度、寬頻以及出輸入匹配，達到頻寬從DC到2.4 GHz頻段的高線性度寬頻放大器，並且在900 MHz到2350 MHz有2~3dB的功率增益斜率，以補償長光纖的損耗，應用於衛星通訊系統中後端的衛星小耳朵上。在本論文中的晶片下線，使用六吋GaAs 異質接面雙載子電晶體HBT製程來實現，用dual-feedback的架構來達到兩不同版本，一個為電流大小限制在20 mA下與3.3 V的供壓下，達到功率增益12 dB與+5 dBm線性度的低增益版本；另一個為電流大小限制在25 mA下與5 V的供壓下，達到增益23 dB與+8 dBm線性度的高增益版本，而各種與頻寬增加相關等技巧
與電路分析，將在此論文一併介紹。量測結果，因此製程有非常高的穩定度與可靠性，故量測結果與模擬結果有很高的相關性，在低增益版本上，增益有很大的平坦度，在19.4 mA的供應電流下能達到+5.9 dBm的線性度，在頻率響應上則有0.4 dB的gain peak，能透過微調並聯之退化電容值達到更佳的增益斜率；在高增益版本上，頻率響應上則完美的補償了2~3 dB的光纖損耗，而其線性度則量到+8.4 dBm；兩者在操作頻段內皆滿足高線性度、輸出入匹配、寬頻與高增益，各種規格的取捨也將在此論文中呈現。