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不同電極材料對於NiO-based RRAM抗輻射特性之研究

為了解決Tmo stock的問題，作者周鼎浩 這樣論述：

本篇論文主旨在製作P型氧化鎳nickeloxide (NiO)的薄膜電阻切換記憶體(Resistive Switching Memory, RRAM)元件，並探討在不同電極材料下NiO-based 電阻式記憶體於輻射前後的電性特性的差異。NiO被認為是一種適用於電阻式記憶體的絕緣層材料。在本論文中，我們首先試著去調配出一個完整均勻的溶液配方以便利用旋塗方式沉積NiO薄膜。我們以經過仔細清洗過後的SiO2/Si作為基板，利用電子束蒸鍍機(Electron Beam Evaporator, E-Beam)在基板上鍍上鈦(Titanium, Ti)做為底電極金屬層，再以旋轉塗佈方式(Spin Co

ating)鍍製作NiO薄膜，並加以烘烤及熱退火處理，再使用蒸鍍機(Evaporator)蒸鍍Al、Au、Ni等金屬作為頂電極。形成Al/NiO/Ti/SiO2/Si、Au/NiO/Ti/SiO2/Si、Ni/NiO/Ti/SiO2/Si結構的元件，元件製作完成後，我們以Agilent-4156B半導體參數分析儀來量測具不同電極電阻記憶體元件之I-V特性曲線。輻射照射前三種金屬頂電極元件達到Forming後所出現的電阻切換特性，以切換特性看來以Al最優；Au次之；Ni表現最差，藉由施加各種不同的順逆向及雙掃描的驅動電壓分析 I-V 曲線後，驗證 NiO 為電阻式記憶體元件可行之材料。輻射照射後

由三種不同金屬Al、Au、Ni所構成的NiO元件I-V圖看來，皆失去了輻射照射前原有的切換特性，輻射照射後的Al、Au、Ni三種金屬之RHRS/RLRS累積分佈也趨近重疊，而輻射後元件有明顯衰退的現象發生，輻射後的薄膜元件電性變成電阻,, 無抗輻射可言。我們因此可以預期NiO-based電阻式記憶體並不適用於外太空或核電廠的環境下使用。

使用濺鍍系統製備低電阻高透光度 氧化鉬與銀的複合薄膜

為了解決Tmo stock的問題，作者邱素卿 這樣論述：

透明導電薄膜在可見光區(光子波長為 400~700 nm)具有低電阻與高穿透率的特性，廣泛應用於液晶顯示器、觸控面板、電磁波防護與太陽能電極等。因此有人應用低溫鍍膜製程技術製作氧化物/金屬/氧化物，成功開發高透光性與高導電性薄膜。本研究使用的氧化鉬是一種良好的陰極材料，在室溫下製作較薄的氧化鉬單層薄膜，通入適當氧氣於濺鍍氣氛中，有較高的穿透率。在氧化鉬中插入一層很薄且低電阻的金屬薄膜，金屬/氧化層、氧化層/金屬或氧化層/金屬/氧化層的結構，在此多層結構中在可接受的透光度下亦會得到足夠的導電率。在本研究中使用濺鍍系統濺鍍金屬/氧化鉬、氧化鉬/金屬與氧化鉬/金屬/氧化鉬的結構進行探討，本研究使用

的金屬層為銀，基板為玻璃，完成的薄膜使用原子力顯微鏡測量表面粗糙度與表面形貌、紫外光/可見光/近紅外光譜儀量測其光學性質、霍爾效應與四點探針做多層薄膜的電性量測、掃描式電子顯微鏡觀測表面形貌和膜厚。從本研究中發現將適當厚度銀層插入在氧化層之中可以擁有在可見光區很高的透光率與低電阻，在導電性與可見光穿透率特性表現相當優異。三層透明導電薄膜(MAM)的光電特性與銀的薄膜厚度有關，本研究銀的最佳製備條件為DC功率30 W，其銀厚度為10 nm，當MAM為30 nm時，其MAM三層結構之片電阻為4.8 ohm/sq，穿透率可以到達87%，品質係數則是5×10-2 ohm-1(波長為 550 nm)。