ibook筆記消失的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列股價、配息、目標價等股票新聞資訊

書中字有黃金屋 股票這個價位要不要買論文書籍站 ibook筆記消失

國立交通大學 材料科學與工程系 張立所指導 郭清松的 釕與二氧化釕薄膜應用於銅金屬化之擴散阻障層特性研究 （2000），提出ibook筆記消失關鍵因素是什麼，來自於釕。

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧：

除了ibook筆記消失，大家也想知道這些：

釕與二氧化釕薄膜應用於銅金屬化之擴散阻障層特性研究

為了解決ibook筆記消失的問題，作者郭清松 這樣論述：

摘要 在目前超大型積體電路的發展中，以銅做為金屬連接導線材料已成為必然的趨勢。為了克服銅與矽基材間相互擴散的問題，必須在銅與矽間鍍上具有低電阻係數、高熱穩定性及良好界面附著性的擴散阻障層。本實驗主要是在探討Ru 和 RuO2薄膜做為銅與矽之間擴散阻障層的反應，由擴散、相變化的觀點來討論其變化。所採用的鍍膜結構如下: 1. Cu(100nm)/Ru(15nm)/SiO2(10nm)/Si 2. Ru(15nm)/SiO2(10nm)/Si 3. Cu(100nm)/RuO2(15nm)/SiO2(20nm)/Si

4. RuO2(15nm)/SiO2(20nm)/Si 銅膜及阻障層以濺鍍法沉積後，對試片在400℃~700℃/ 30 分鐘的真空爐退火處理，以四點探針量測片電阻，歐傑電子能譜儀(AES)做成分縱深分析，XRD做相的鑑定，並利用穿透式電子顯微鏡(TEM)做鍍膜截面的觀察，分析各層結構的變化。 研究結果顯示這幾種不同結構在退火後有不同的行為，Cu(100nm)/Ru(15nm)/SiO2(10nm)/Si在550℃/30 分鐘退火後，電阻值開始上升，阻障層產生變化; Ru(15nm)/SiO2(10nm)/Si 在400~600℃退火後

，電阻值會持續下降；Cu(100nm)/RuO2(15nm)/SiO2(20nm)/Si 在600℃/30 分鐘退火後，電阻值很明顯的上升很多，阻障層產生變化；RuO2(15nm)/SiO2(20nm)/Si 在400~700℃退火後，電阻值會持續下降。 由實驗結果可知Cu(100nm)/RuO2(15nm)/SiO2(20nm)/Si結構比Cu(100nm)/Ru(15nm)/SiO2(10nm)/Si具有較佳的熱穩定性，因退火過程中，Ru及RuO2阻障層產生變化，變化原因將於本文中討論。

分類