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正面思考的假象：樂觀偏誤如何讓我們過得更好，卻又自取滅亡？

為了解決min c的問題，作者塔莉．沙羅特 這樣論述：

　　諾貝爾經濟學獎得主 理查．塞勒重磅推薦 　　★榮獲英國心理學會圖書獎、亞馬遜4.4星讀者推薦★ 　　★TED專題演講超過260萬次點閱★ 　　★《時代》雜誌（TIME）封面故事報導★ 　　◤難道我們天生就愛正面思考，總是戴上玫瑰色眼鏡看世界？ 　　「樂觀」能讓鼓舞你不負此生、砥礪前行； 　　「樂觀偏誤」卻會蒙蔽你的雙眼，一步步邁向危機！ 　　無論是金融分析師、世界領導者、新婚夫婦， 　　甚至是洛杉磯湖人隊隊員，全都無法倖免。◢ 　　你是否想過： 　　・為什麼寧願負債累累，卻還是想買房？　　 　　・為什麼明知股市有風險，卻還是要投資？　　 　　・為什麼歷經恐怖浩劫後的

記憶，往往會失真？　　 　　・為什麼結婚時，都相信彼此能夠白頭偕老？　　 　　・為什麼自己選擇的東西，會越看越喜歡？　　 　　・為什麼新冠疫情爆發初期，歐美各國選擇「佛系抗疫」？ 　　・更重要的是——為什麼我們永遠堅信明天會更好？　 　　／正面思考——是一種天性，也是大腦的狡猾騙術／ 　　心理學家透過長期研究證實，無論種族、年齡、階級，人們對未來一樣都有不實的想望。這種天性被稱為樂觀偏誤，意即理所應當地認為未來會更美好。大部分人會高估將來的成就，而低估了離婚、罹癌或失業的機率。這樣的傾向深植於大腦，我們甚至難以察覺樂觀偏誤正在悄悄左右自己。 　　作者提出諸多實驗證明，人在面對兩個相似的工作

機會或旅遊地點時，一旦做出決定，就會對選中的越看越滿意。潛意識中，我們毫無根據地相信自己所做的一切，將會導向更好的明天。 　　／愛你所擇——是一種決策力，或失控的樂觀？／ 　　失控的正面思考可能導致災難性的誤判，使我們選擇不做健康檢查、不塗防曬油，或拒絕開設儲蓄帳戶；但樂觀偏誤也像是守護並激勵你我的衛兵，讓我們放眼未來並持續前行。 　　少了樂觀偏誤，我們的祖先可能永遠不會遠離部落、出外冒險；若非正面的信念，我們可能至今仍是一群穴居人，擠在一起夢想著光和熱。反之，如果每個人都是現實主義者，對未來不抱有樂觀想望，那麼恐怕滿街都將是憂鬱症患者，自殺人數也將激增。 　　樂觀偏誤固然利大於弊，但難

免讓人做出不理性甚至有害的選擇。與生俱來的偏誤縱然無法克服，但理解並正視偏誤的存在，我們當可取其利而避其害，真確了解自我，建立更踏實的人生。 　　本書從心理學、神經腦科學研究出發，深度解讀「樂觀偏誤」這項思維特質，揭露「樂觀」的正反面向，同時結合大量有趣案例分析，層層剝除樂觀的外衣，為當今世代塑造出更為立體、深刻的樂觀新定義。 名人推薦 　　國內好評推薦（依首字筆畫排序）── 　　Min Lin（Min的投資說書小棧） 　　一郎人生（心理學YouTuber） 　　田定豐（作家、安眠書店主持人） 　　洪仲清（臨床心理師） 　　高堯楷（中醫師、暢銷書《養氣》《養心》作者） 　　謝伯讓（台大心

理系副教授） 　　顏聖紘（國立中山大學生物科學系副教授） 　　顏擇雅（作家、出版人） 　　樂觀像是把雙面刃，沒了樂觀，我們永遠不會想冒險；但過度樂觀，又會陷入偏誤，例如鬱金香狂熱、網路泡沫等過往無數個金融危機，都是因此而生。這本書以大量有趣的案例分析，深入探討人們的這項天性。唯有客觀理解，才能在後續決策中避免再次犯下偏誤。──Min Lin，Min的投資說書小棧 　　國外好評推薦── 　　理查．塞勒（諾貝爾經濟學獎得主） 　　西蒙．拜倫－科恩（劍橋大學神經學家） 　　泰瑞．魏格霍恩（KPMG企業策略及創新領導大師） 　　理察．斯坦格爾（《時代》雜誌主編） 　　大衛．伊格爾曼（史丹佛大學神經

科學家） 　　這本書真是太棒了。一位擅於講故事的科學家，所寫的一本迷人、引人入勝，且易讀的作品。──理查．塞勒（Richard H. Thaler），諾貝爾經濟學獎得主 　　精彩絕倫、極具獨創性並充滿嶄新洞見。這本書為心理學注入一股生動活力！——西蒙・拜倫－科恩（Simon Baron-Cohen），英國劍橋大學神經學家 　　作者為樂觀賦予了全新且科學的解釋，甚至帶有一絲哲學意味。我願意將本書推薦給每一個人。——泰瑞・魏格霍恩（Terry Waghorn），KPMG企業策略及創新領導大師 　　讀過她的故事後，你一定更能理解我們人類都如何思考、行動——我對此可是非常樂觀！——理察・斯坦格

爾（Richard Stengel），《時代雜誌》（TIME）主編 　　沙羅特善用其珍貴的天賦，帶領我們踏上一段關於希望、陷阱，以及大腦騙術的難忘之旅……必讀佳作！——大衛・伊格爾曼（David Eagleman），史丹佛大學神經科學家 　　作者以睿智的筆觸及觀點，闡述為何人們總是對生活抱有樂觀想像。本書是一場迷人的旅程，一步步揭祕為何我們總是滿懷希望，無論是對於未來，或是我們自身。——《紐約書評》（New York Journal of Books） 　　太好看了！就算你之前深感不以為然，讀完本書也會恍然發現，自己的大腦正戴著一副玫瑰色的眼鏡——不管你喜歡還是不喜歡。——美國國家公共電

臺  

min c進入發燒排行的影片

銀行、證券及保險動態併行效率評估

為了解決min c的問題，作者陳軒頎 這樣論述：

本研究探討的是在台灣金控體系裡同時擁有銀行、證券及保險的金控公司，子公司的效率是如何影響金控本身，多元化的大型金控要如何去針對各子公司的弱項去強化，讓資源的運用更有效率。在過去的文獻中，發現擁有高效率的銀行比同行要更能抵擋金融危機，以及大型銀行較可能從規模經濟中獲益，多元經營的金控子公司可以從多元化的結構中獲得更多的收益，並且金控的子公司可以通過分擔風險以減少不良產出，這些文獻已經證實了大型且多元經營的銀行擁有比一般單純銀行更高的績效。在此前的研究缺少了保險部門的績效比較，對於以保險業為主的金控公司就顯得吃虧，本文要在這一基礎上更進一步，加入保險部門，並配合視窗分析法解決決策單元數量減少的問

題。透過同時分析金控公司底下的銀行、證券及保險子公司三個部門的績效，能夠解析金控內部這三個部門各自營運情形，結果更能貼近金融業真實情況，有利於決策管理人瞭解參考與決策。從結果中發現保險部門是這10家大型金控中較需改進的部門，但因保險業加入臺灣金融體系的時間還不夠長，盼將來的資料增加後能進行更完整更詳細的分析。

半導體元件物理學第四版（上冊）

為了解決min c的問題，作者施敏,李義明,伍國珏 這樣論述：

最新、最詳細、最完整的半導體元件參考書籍   　　《半導體元件物理學》（Physics of Semiconductor Devices）這本經典著作，一直為主修應用物理、電機與電子工程，以及材料科學的大學研究生主要教科書之一。由於本書包括許多在材料參數及元件物理上的有用資訊，因此也適合研究與發展半導體元件的工程師及科學家們當作主要參考資料。   　　Physics of Semiconductor Devices第三版在2007 年出版後（中譯本上、下冊分別在2008 年及2009 年發行），已有超過1,000,000 篇與半導體元件的相關論文被發表，並且在元件概念及性能上有許多突破，顯

然需要推出更新版以繼續達到本書的功能。在第四版，有超過50% 的材料資訊被校正或更新，並將這些材料資訊全部重新整理。   　　全書共有「半導體物理」、「元件建構區塊」、「電晶體」、「負電阻與功率元件」與「光子元件與感測器」等五大部分：第一部分「半導體物理」包括第一章，總覽半導體的基本特性，作為理解以及計算元件特性的基礎；第二部分「元件建構區塊」包含第二章到第四章，論述基本的元件建構區段，這些基本的區段可以構成所有的半導體元件；第三部分「電晶體」以第五章到第八章來討論電晶體家族；第四部分從第九章到第十一章探討「負電阻與功率元件」；第五部分從第十二章到第十四章介紹「光子元件與感測器」。（中文版上冊

收錄一至七章、下冊收錄八至十四章，下冊預定於2022年12月出版）   第四版特色   　　1.超過50%的材料資訊被校正或更新，完整呈現和修訂最新發展元件的觀念、性能和應用。   　　2.保留了基本的元件物理，加上許多當代感興趣的元件，例如負電容、穿隧場效電晶體、多層單元與三維的快閃記憶體、氮化鎵調變摻雜場效電晶體、中間能帶太陽能電池、發射極關閉晶閘管、晶格—溫度方程式等。   　　3.提供實務範例、表格、圖形和插圖，幫助整合主題的發展，每章附有大量問題集，可作為課堂教學範例。   　　4.每章皆有關鍵性的論文作為參考，以提供進一步的閱讀。

利用焙燒暨酸浸法從廢棄LED晶粒中回收鎵金屬資源

為了解決min c的問題，作者吳德懷 這樣論述：

LED是發光二極體(Light Emitting Diode)的簡稱。由於LED燈具有節能、無汞等特性，在照明市場之需求日益增加，LED在許多領域已經取代了傳統光源(白熾燈、螢光燈等)。LED燈之高效率白光照明主要是由LED晶粒中氮化鎵(GaN)半導體所產生。隨著LED市場的擴大，未來將產生大量的LED廢棄物。因此，回收廢棄LED中所含的鎵金屬資源對於資源的可持續利用和環境保護都具有重要意義。本研究以廢棄LED燈珠為對象，利用焙燒與酸浸法從其LED晶粒中回收鎵金屬資源，主要包括三個部分：化學組成分析、氟化鈉焙燒處理與酸溶浸漬等。探討各項實驗因子包括焙燒溫度、焙燒時間、礦鹼比、酸浸漬種類及濃度

、浸漬時間、及浸漬固液比等，對於鎵金屬浸漬率之影響，並與各文獻方法所得到的鎵金屬浸漬效果進行比較。研究結果顯示，LED晶粒中含有鎵5.21 wt.%，氟化鈉焙燒暨酸溶浸漬之最佳條件為焙燒溫度900 ℃、焙燒時間3hr、礦鹼比1:6.95、鹽酸浸漬濃度0.5 M、浸漬溫度25 ℃、浸漬時間10mins、固液比2.86 g/L，鎵金屬浸漬率為98.4%。與各文獻方法相比較，本方法可於相對低溫且常壓下獲得較高之鎵金屬浸漬效果。