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國立臺灣科技大學 機械工程系 林顯群所指導 陳品勳的 二段式真空產生器之參數分析與優化應用 （2021），提出mpa l/min換算關鍵因素是什麼，來自於二段式真空產生器、真空度、漸縮漸擴主噴嘴、優化模型、能源使用效率。
而第二篇論文國立陽明交通大學 電子物理系所 周苡嘉所指導 周易的 以掃描穿透式電子顯微鏡分析高熵合金與金屬矽化物之原子級微結構 （2021），提出因為有 耐退火高熵合金、晶格畸變、短程有序、掃描穿透式電子顯微鏡、金屬矽化物、電子能量損失儀、能量過濾穿透式電子顯微鏡的重點而找出了 mpa l/min換算的解答。
二段式真空產生器之參數分析與優化應用
為了解決mpa l/min換算 的問題，作者陳品勳 這樣論述：
噴射真空產生器因體積小且產生真空方便之特性，在搬運精密及不規則形狀之物品具有優勢，故於自動化生產之應用十分廣泛。本數值研究模擬分析二段式真空產生器之流場及性能參數，包括吸入量、消耗量、真空度以及第二段最高真空度；並執行系統化之參數分析工作，包括主噴嘴、連接管、與混合排氣管之幾何參數對其性能之影響。最後整理參數分析之結果，並據以設計出兩款優化真空產生器，其中一款是以性能為目標的優化模型，另一為符合實際性能需求之最短長度真空產生器，可使其降低成本且安置更加彈性。經由數值計算與參數分析之結果顯示，原始二段式真空產生器之長度為55.5mm，達到真空度-90KPa之供給壓力為0.43MPa，此壓力下之
吸入量為45.2L/min、能源效率為20.1%，至於真空度峰值-94.2KPa則須供給壓力0.55MPa。而本文之最小體積模型之長度僅有35.5mm，於各壓力下之性能與原始模型相近，而其能源效率為20.6%；另外，此模型在供給壓力0.45MPa即可達到真空度峰值，這表示最小體積模型在運作更節省能源，且具有方便安置與成本優勢。至於另一款性能優化模型之長度為54.5mm，此模型在各壓力下所有性能皆優於原始模型，特別是在供給壓力0.4MPa時，此優化模型就已達到真空度-90KPa，且所產生之吸入量為49.0 L/min、能源效率為24.8%，明顯地較原始真空產生器高出許多；這代表性能優化模型除具有
節省能源之優勢外，還能更快地達到所需之真空度並提供更多的吸入量。綜合歸納來說，本研究建立一套系統化的設計流程，也取得各重要參數對真空產生器性能之影響，並藉此成果規劃出兩款優化模型，以滿足特定需求之二段式真空產生器的應用。
以掃描穿透式電子顯微鏡分析高熵合金與金屬矽化物之原子級微結構
為了解決mpa l/min換算 的問題，作者周易 這樣論述：
在本實驗中，有兩種高熵合金被製備，分別是NbTaTiV與NbTaTiVZr，其微觀結構在掃描式電子顯微鏡(SEM)之下，呈現的是等軸長且均質的晶粒結構，其晶體結構由X光繞射(XRD)、同步輻射X光繞射(Synchrotron diffraction)與穿透式電子顯微鏡(TEM)分析，呈現單一相的體心立方結構。其機械性質以拉升試驗機(tensile test)進行量測，對應NbTaTiV的降伏強度(yield strength)為1278百萬帕斯卡(MPa)，而NbTaTiVZr的降伏強度為1589百萬帕斯卡，其強度相較其他合金都是非常高的，為了解釋NbTaTiV與NbTaTiVZr的高強度，
由晶格畸變(lattice distortion)所造成的強化也納入機械強度的模擬，結果顯示晶格畸變的強化量，對於NbTaTiVZr為906.81百萬帕斯卡，而NbTaTiV則為431.48百萬帕斯卡，NbTaTiVZr的強化量為NbTaTiV的2.1倍。為了量測晶格畸變係數，理論值與計算值的晶格畸變係數被定義與計算，對於NbTaTiV與NbTaTiVZr其數值分別為0.1186埃(Å)與0.1831埃，但是這個方法使用預設的參數來計算，當預設的狀態不符合時結果會大幅偏離實際值；因此掃描穿透式電子顯微鏡(STEM)的高環角暗場像(HAADF)的特性，如真實空間解析與原子序對比被使用，來直接量測
晶格畸變與高熵合金中元素分布狀況。直接量測的結果顯示，NbTaTiV與NbTaTiVZr的晶格畸變係數分別為0.1140埃與0.1546埃，NbTaTiV的結果與理論計算非常吻合，而且由原子柱的強度分布來判斷，其元素分布相當隨機；而對於NbTaTiVZr，其晶格畸變係數小於理論值15%，由原子隨機分布性的降低推論， NbTaTiVZr中具有短程有序結構，使得晶格畸變程度降低。在室溫與1173 K下11.8%形變的NbTaTiV與4.2%形變的CrMoNbV也由穿透式電子顯微鏡與掃描穿透式電子顯微鏡進行觀察，發現其中大部分的差排(dislocation)屬於刃差排(edge dislocatio
n)，而由此判斷，刃差排是NbTaTiV與CrMoNbV中主要的強化機制來源，其結果與一般預期的結果不同，一般預期體心立方的晶體是以螺旋差排(screw dislocation)來進行強化。二矽化鈷與矽之異質結構特性也被以掃描穿透式電子顯微鏡的高環角暗場像(HAADF-STEM)、能量損失光譜儀(EELS)與近邊精細結構能量損失模擬(ELNES)進行分析，藉由掃描穿透式電子顯微鏡的高環角暗場像之影像，異質結構的模型被建立，此結構用來模擬並解釋矽L2,3的特殊介面峰。