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商業框架圖鑑╳創意發想圖鑑【二合一超級思維套組】

為了解決nm念法的問題，作者堀公俊 這樣論述：

提企畫、做簡報、找靈感、帶團隊、破難題……. 針對不同工作場景，按圖索驥套用適合的框架， 迅速建構專業格局，破壞式創新 上班族、主管、老師、學生、業務人、行銷人…… AI時代菁英必備的武器「超級思考套組」 　　★收錄最詳盡的「商業框架」和「創意發想框架」圖解工具書 　　★隨身攜帶的「思考工具」，所有工作難題都能迎刃而解 　　★《商業框架圖鑑》日本熱銷超過100,000冊 　　★《創意發想圖鑑》一本在手，得到百年創意智慧 　　◎《商業框架圖鑑》：五大類場景╳69款商業框架╳201種工作思考工具 　　框架，是思考的架構， 　　如果每次遇到問題都要從頭開始，將耗時又耗力， 　　因此，從古至今

的管理大師、企業顧問都懂得靈活運用框架， 　　幫個人和團隊加速思考、解決問題、做出決策。 　　邏輯縝密的框架，還能跨越語言和文化的藩籬，讓跨國人士能快速溝通，達成共識。 　　雖然人們常說，要跳脫框架思考，但熟知的框架少太，思考反而會被局限， 　　本書列舉五大常見的工作場景，透過69款商業框架，並延伸出201種思考工具， 　　讓問題迅速解決、提升效率和生產力、激發團隊潛能： 　　．13款精準決策的「規畫策略框架」：3C、SWOT、PEST、3M、7S、VRIO、安索夫矩陣⋯⋯ 　　．10款讓人買單的「市場行銷框架」：STP、定位圖、產品生命週期⋯⋯ 　　．13款找出結論的「發現問題框架」：A

s is / To be、魚骨圖、邏輯樹⋯⋯ 　　．17款提升效能的「團隊管理框架」：PDCA、5S、三現主義⋯⋯ 　　．16款實現願景的「組織發展框架」：Will / Skill矩陣、周哈里窗、全腦模型⋯⋯ 　　當缺乏靈感、製作資料、開會討論時， 　　都能隨時隨地善用這本書，幫你找出思考切入點、即時解決當前問題！ 　　◎《創意發想圖鑑》：六大類場景╳68款創意發想框架╳170種點子思考工具 　　原來，創意也能套公式！ 　　很多人絞盡腦汁也想不出好點子， 　　但其實「創意不過是舊元素的重新組合」， 　　腦中既有素材的量正是左右創意的關鍵。 　　因此，無論是企畫發想、產品開發、設計或行銷等

領域， 　　只要套用前人流傳的創意原理、模型、觀點等思考架構， 　　就能找出靈感、發揮創意，任何人都能推陳出新，想出好點子！ 　　本書列舉六大常見的工作場景，透過68款創意發想框架，並延伸出170種點子思考工具， 　　無論你在任何領域中，都能讓靈感源源不絕，富有創造力： 　　．11款集思廣益的「資訊蒐集框架」：同理心地圖、田野訪談、時間軸⋯⋯ 　　．12款跳脫窠臼的「自由發想框架」：腦力激盪、反向問題、心智圖⋯⋯ 　　．14款延伸創意的「觀點轉換框架」：奧斯本檢核表、6頂思考帽、破冰活動⋯⋯ 　　．14款整合想法的「輔助發想框架」：KJ法、交叉法、提喻法⋯⋯ 　　．10款確認無誤的「測試驗

證框架」：模型化、說故事法、情境規畫法⋯⋯ 　　．7款評估創意的「評估決定框架」：PMI法、SUCCESs法、高低矩陣⋯⋯ 　　當想擁有好點子、蒐集資訊、評估想法可行性時， 　　都能隨時使用本書思考框架，幫你快速產出想法、好點子源源不絕！ 好評推薦 　　Zoey｜佐編茶水間創辦人 　　李河泉｜「跨世代溝通」千萬首席講師、商周CEO學院課程王牌引導教練 　　馬克凡｜「IamMarkVen馬克凡」IMV品牌執行長　 　　孫治華｜簡報實驗室創辦人、策略思維商學院院長　　　 　　許維真metta｜經濟部創業顧問 　　劉奕酉｜職人簡報與商業思維專家 　　劉恭甫｜創新管理實戰研究中心執行長 　　「

與其說是圖鑑，更像是字典或百科全書。超棒的管理和創新圖示，一查就有，一看就懂。不只是購買，更要收藏。」──李河泉，「跨世代溝通」千萬首席講師、商周CEO學院課程王牌引導教練 　　「如果說在職場上走跳，想有亮眼表現，馬克凡認為《商業框架圖鑑×創意發想圖鑑【二合一超級思維套組】》是快速打造思維框架的寶典！是你可以在同事、客戶、老闆面前，讓人眼睛一亮的職場神器，超過上百種思維框架組合建構的圖鑑，幫助你隨心所欲解決職場上的多數困難。」──馬克凡，「IamMarkVen馬克凡」IMV品牌執行長 　　「框架就是思考的累積，是一個你可以瞬間借力施力的思考工具，很多時候不是我們不會，而是沒想完整，沒想到用

什麼樣的角度去思考問題。這套書幫我們整理了很多在商業世界中常用的框架，協助我們的思考可有一個完整與合適的切入點。更好的是，還強化了創意發想的工具，讓我們可以在解決方法中多了創意的元素進去，是一套很適合大家收藏的入門商用框架工具書。」──孫治華，簡報實驗室創辦人、策略思維商學院院長 　　「精簡、濃縮、好記憶，用視覺化圖鑑提升水平、垂直思考的能力。」──劉奕酉，職人簡報與商業思維專家  

nm念法進入發燒排行的影片

磁敏釋放控制微膠囊並應用於金屬離子螢光感測

為了解決nm念法的問題，作者杜博瑋 這樣論述：

微膠囊化技術因其在材料科學中的結構和功能性提供眾多優點而近年來受到廣泛的 關注。超分子化學是一門關注分子間非共價鍵作用力的化學學科，從中延伸出了很多 重要的概念和研究方向，例如分子螢光光探針，其螢光特性由其自身的分子結構決定， 但也容易受到環境因素的影響。在該方向上，本論文進行了詳細的研究，解釋了微膠 囊化技術與超分子化學完美的平衡組合，使其具有更好的穩定性和新穎的應用。首先 我們導入超分子化學概念通過一鍋反應合成的芘基衍生物，2­((芘­1­亞甲基) 胺) 乙醇奈 米顆粒，和通過改質的磁性奈米顆粒用作觸發釋放元素通過雙乳化溶劑蒸發法包覆在 聚己內酯聚合物基質構建的微型膠囊中。用於檢測三價陽

離子的開關感測器通過新型 的螢光響應與磁場控制釋放機制被很好地整合在整個系統中，並且在外部震盪磁場下 可以有效地發生熱能與動能的轉換。(1) 通過一鍋法成功合成了具有聚集誘導光增強特性和三價陽離子感測能力的芘基衍 生物螢光探針。我們使用重結晶技術來提高該螢光探針化合物的純度，純度評估由螢 光光譜的半高寬的值確定。通過核磁共振光譜，紫外可見光光譜，螢光光譜和熱重分 析研究了選擇性螢光探針的特性。其聚集誘導光增強特性和對於三價陽離子 (鐵/鋁/鉻) 的選擇開關特性都表現完整且性能良好。在使用這種螢光探針作為核心材料被封裝在 微膠囊中之前，本節充分地研究了其基本特性，穩定的紫外可見光及螢光光譜的結果

是在溶劑 (乙腈) 和水 (100:900; 體積比) 的比例下進行的，強力的激發光在 505 nm，也 分別顯示出其對於三價鐵/鋁/鉻金屬陽離子優異的選擇性。(2) 為了成功通過外部震盪磁場觸發微膠囊的破裂，我們將利用共沉澱法合成並通過 檸檬酸修飾以達到避免團聚現象並提高其穩定性的磁性奈米顆粒嵌入聚合物基質中。 通過由動態光散射所測量到的粒徑分佈和界面電位以及掃描電子顯微鏡觀察到的圖 像，顯示出經過修飾的磁性奈米顆粒具有良好的分散特性和相對未修飾顆粒較小的粒 徑分佈。經過修飾的磁性奈米顆粒和選擇性熒光探針分子通過雙乳化結合溶劑蒸發法 成功封裝在微膠囊中，並通過光學顯微鏡，掃描電子顯微鏡，動

態光散射儀，熱重分i析儀，X 光散射儀，和核磁共振光譜儀對其表面形貌和特征進行了全面的研究。其結 果分別表明被修飾的磁性奈米顆粒和選擇性熒光探針確實有被微膠囊封裝在內，與此 同時，本節還深入討論了殼材料的高分子量的大小，雙乳化的內部水相濃度，以及在 分離微膠囊的離心過程中的離心速率的選擇，對合成微膠囊形貌以及包封效率的影響。 我們發現當聚合物外殼採用的分子量為 80,000 的聚己內酯時，所合成的微膠囊比其他 兩種較低分子量的顯示出更好的包覆效率和更加均勻的形狀，這主要是由於採用較高 分子量的高分子時，其油相在膠囊雙乳化狀態下的固化過程可以提供更好的穩定性。 此外，將溶解在乙腈中 10 mM

的熒光探針化合物作為內部水相的濃度與其他兩種濃度 (0.1 mM, 1 mM) 相比之下，也證明該濃度下所合成的微膠囊具有更好的均勻性和包覆 效率，因為較低濃度的內部水相會導致膠囊外殼內外滲透壓的不穩定。令人驚訝的是， 我們還發現在分離微膠囊的過程中，較高的離心速率會導致微膠囊的多孔性結構的產 生，這種現象可以通過調整較低的離心速率來消除。該策略同時也為未來開發新型多 孔性結構微膠囊的設計提供了一種新的途徑。在本節中，包覆了被修飾後的磁性奈米 顆粒和選擇性螢光探針的微膠囊的釋放行為和感測滴定分別以六十攝氏度的水浴加熱， 機械破壞，和超聲波粉碎的方式模擬其在磁場破裂的條件下進行，並且分別在不同狀

態下完美地測試了其結果。(3) 最後我們巧妙地設計了通過使用外部震盪磁場的方式來觸發芘基席夫鹼螢光 探針在微膠囊中的新型磁感應釋放機制。為了控制膠囊外殼的破裂，分散在乙腈/水 (900:100; 體積比) 中新合成的磁敏微膠囊通過直接感應加熱暴露在高頻磁場下。這些微 膠囊被成功觸發破裂釋放出所包覆的選擇性螢光探針，表現出優異的聚集誘導光增強 特性，和良好的選擇性開關螢光信號用於檢測三價金屬陽離子 (鐵/鋁/鉻)。被釋放的螢 光探針的檢測極限為:2.8602 × 10−6 M (三價鋁離子), 1.5744 × 10−6 M (三價鉻離子)，和 1.8988 × 10−6 M (三價鐵離子)。

該感測器平台也表現出優異的精確度和再現性，如變 異係數所示 (三價鐵離子 ≤ 2.79%, 三價鉻離子 ≤ 2.79%, 三價鋁離子 ≤ 3.76%)，各金屬離 子的回收率分別為:96.5­98.7% (三價鐵離子), 96.7­99.4% (三價鉻離子), 和 94.7­98.9% (三價鋁離子)。以上結果也充分說明了本文所述的控制釋放平台對於三價金屬陽離子 (鐵/鋁/鉻) 活性和實際樣品中的偵測，在未來環境監測甚至生物醫學方面的應用有一定 的價值和潛力。

台積電為何這麼強：半導體的計算光刻及佈局優化

為了解決nm念法的問題，作者韋亞一,粟雅娟,董立松,張利斌,陳睿,趙利俊 這樣論述：

護國神山台積電，如何建立超高技術城牆 台灣半導體遙遙領先全球的主要原因 從原理了解晶圓產業的極重要知識 　　光刻是積體電路製造的核心技術，光刻製程成本已經超出積體電路製造總成本的三分之一。全書內容充滿先進技術積體電路製造的實際情況，涵蓋計算光刻與佈局優化的發展狀態和未來趨勢，系統性地介紹計算光刻與蝕刻的理論，佈局設計與製造製程的關係，以及佈線設計對製造良率的影響，講述和討論佈局設計與製造製程聯合優化的概念和方法論，並結合具體實施案例介紹業界的具體做法。 　　全書共7章，內容簡介如下： 　　■ 第 1 章是概述，對積體電路設計與製造的流程做簡介。為了給後續章節做鋪陳，還特別說明設計與製

造之間是如何對接的。 　　■ 第 2 章介紹積體電路物理設計，詳細介紹積體電路佈局設計的全流程。 　　■ 第 3 章和第 4 章分別介紹光刻模型和解析度增強技術。佈局是依靠光刻實現在晶圓基體上的，所有的佈局可製造性檢查都是基於光刻模擬來實現的。這兩章是後續章節的理論基礎。 　　■ 第 5 章介紹蝕刻效應修正。蝕刻負責把光刻膠上的圖形轉移到基體上，在較大的技術節點中，這種轉移的偏差是可以忽略不計的；在較小的技術節點中，這種偏差必須考慮，而且新型介電材料和硬光罩（hard mask）的引入又使得這種偏差與圖形形狀緊密連結。光罩上的圖形必須對這種偏差做重新定向（retargeting）。 　

　■ 第 6 章介紹可製造性設計，聚焦於與佈局相關的製造製程，即如何使佈局設計得更適合光刻、化學機械研磨（chemical mechanical polishing，CMP）等製程。 　　■ 第 7 章介紹設計與製程協作最佳化，介紹如何把協作最佳化的思維貫徹到設計與製造的流程中。 　　本書不僅適合積體電路設計與製造領域的從業者閱讀，而且適合大專院校微電子相關專業的師生閱讀和參考。不但有深入的介紹，更有數學物理公式的推導，是極少見直接討論半導體製造的高深度參考用書。  

一個十位元每秒兩千萬次取樣帶冗餘位逐漸趨近式類比數位轉換器

為了解決nm念法的問題，作者徐志豪 這樣論述：

如今電子產品除了要效能好，亦追求低功耗與輕薄短小，由於半導體製程技術的進步，帶動了積體電路設計的成長，許多低功耗的晶片得以實現，在眾多類比數位轉換器中，逐漸趨近式(Successive-Approximation)由於大部分元件皆由數位邏輯電路所構成，且整個電路僅需一組比較器即可，大幅地降低了資料轉換所需的功耗。本論文完整製作一個10-bit 20MS/s SAR ADC，架構採用分段式電容陣列數位類比轉換器，使用TSMC 0.18um 1P6M CMOS製程，電源供應1.8V，輸入頻率為1.97265625MHz進行模擬，訊號雜訊與失真比(SNDR) 60.71 dB，有效位元數(ENOB

) 9.79-bit，功耗0.92 mW，品質因數(FOM) 52f J/conversion-step，核心晶片佈局面積0.31*0.21〖mm〗^2，晶片總佈局面積1.163*1.169〖mm〗^2。最後設計規格同樣為10-bit 20MS/s SAR ADC，架構改成帶冗餘位演算法，將MSB電容拆解並分配至原電容陣列中，達到電容切換速度的提升，並在栓鎖電路前加上一級前置放大器，用以降低誤差，提高比較器的精準度。使用相同製程與輸入頻率進行模擬，訊號雜訊與失真比(SNDR) 61.93 dB，有效位元數(ENOB) 9.99-bit，功耗3.024mW，品質因數(FOM) 148.7f J/

conversion-step。關鍵字：逐漸趨近式類比數位轉換器；分段式電容陣列；帶冗餘位演算法