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NTOU16F15323微控制器與線上除錯系統之晶片實現

為了解決por半導體的問題，作者林思齊 這樣論述：

本論文提出一個線上除錯系統(In-Circuit Debug System, ICD)，其軟體平台於Windows作業系統下開發，硬體部分整合於本論文設計之NTOU16F15323微控制器(Microcontroller Unit, MCU)中。NTOU16F15323微控制器之核心功能與Microchip公司研發的增強型中階核心PIC16系列微控制器相同，NTOU16F15323微控制器提供Run與Debug兩種模式，預設為Run模式，使系統正常執行程式。在Debug模式下，本線上除錯系統主要具有Reset、Step Into、Step Over、Read Register與Write R

egister五種功能，本ICD軟體平台可以達到即時的變數觀測與線上除錯功能，本系統的軟、硬體間透過串列周邊介面(Serial Peripheral Interface, SPI)通訊協定來進行溝通。本論文使用Visual Basic設計ICD軟體平台，並使用Verilog硬體描述語言 (Verilog Hardware Description Language, Verilog HDL)撰寫微控制器與ICD硬體架構，透過ModelSim軟體進行初步模擬驗證，藉由Altera DE10開發平台與本論文之ICD軟體平台實現FPGA驗證。透過台灣半導體研究中心(Taiwan Semiconduct

or Research Institute, TSRI) 的EDA Cloud平台，與台積電(Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, TSMC) 的0.18μm製程技術，使用Cell-Based設計流程實現數位晶片，晶片編號為T18-110C-E1017a，面積為1190μm×1190μm，最後Post-Layout Simulation驗證速度為100MHz。為使本晶片的功能更加完善，本論文在具線上除錯功能的MCU內加入「上電復位」(Power-on Reset, POR)之類比電路，讓使用者更方便進行系統整合。透過Mixed-Signal設計

流程實現「上電復位」功能的混合訊號晶片佈局圖，並模擬驗證功能正常。

利用氮摻雜石墨烯改善石墨烯與金屬電極之接觸電阻

為了解決por半導體的問題，作者黃林陽 這樣論述：

石墨烯具有優異的導電性、高載子遷移率、高可見光穿透度、高機械強度以及高導熱性，也因具有這些優點，如何將石墨烯運用到電路中或作為電極對未來的應用具有重要價值。本論文目標以開發高品質的單層石墨烯和氮化石墨烯，並運用氮摻雜石墨烯於石墨烯和接觸金屬之間，從而降低接觸電阻並提高石墨烯的導電性。第一部分是通過紫外光光電子光譜和 X 射線光電子光譜，這兩者都表明氮摻雜石墨烯是N摻雜型態，以及拉曼光譜對氮摻雜石墨烯特徵峰的分析。第二部分使用傳輸線測量(TLM)，比較了石墨烯與不同金屬電極之間的接觸電阻。經摻雜優化後的石墨烯與鉍金屬的接觸電阻從 67.27 kΩ*μm 降低到 19.38 kΩ*μm，得到了

71.2%的最佳優化改善量。