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國立臺灣科技大學 化學工程系 李嘉平所指導 林順堂的 RF濺鍍成長Ta-B-N薄膜及其在積體電路之銅製程上的應用 (2002),提出tanx積分關鍵因素是什麼,來自於Ta-B-N薄膜、濺鍍、沉積動力、銅製程。

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接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了tanx積分,大家也想知道這些:

tanx積分進入發燒排行的影片

【摘要】
本影片講解如何透過牛頓法估計 tanx = 0 在 3 附近的根,同時也透過這個牛頓法求根的過程逼近 π

【勘誤】
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【附註】
本影片適合理、工、商、管學院學生觀看

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【微分篇】(https://www.youtube.com/playlist?list=PLKJhYfqCgNXiPgR9GLKtro3CTr6OIgdMg)

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重點一:均值定理 (https://youtu.be/isNK9d84w9M)
重點二:微分與極限的聯手 (羅必達法則) (https://youtu.be/hlxqEekNp6U)
重點三:極值分析相關名詞介紹 (https://youtu.be/2yhgGjBklyc)
重點四:微分求極值法 (https://youtu.be/9OxXex9BavM)
重點五:漸近線 (https://youtu.be/OsSzTSmP2Io)
重點六:微分作圖法 (https://youtu.be/wJgwmAyfCek)
重點七:微分量 (https://youtu.be/6IlPFdXRv7o)

重點八:牛頓法 (https://youtu.be/CoJnSuq75ac)
├ 精選範例 8-1 👈 目前在這裡
└ 精選範例 8-2 (https://youtu.be/9ZqGCoyR8Gw)

【積分前篇】(https://www.youtube.com/playlist?list=PLKJhYfqCgNXikxrvbQAnPa_l3nFh5m9XK)
【積分後篇】(https://www.youtube.com/playlist?list=PLKJhYfqCgNXhFI6OnDy0la5MqPOnWtoU7)

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RF濺鍍成長Ta-B-N薄膜及其在積體電路之銅製程上的應用

為了解決tanx積分的問題,作者林順堂 這樣論述:

以TaB2為靶材,利用rf 磁控濺鍍法於Si 基材上成長硼化鉭(TaBx)或氮硼化鉭(TaBxNy)薄膜。硼化鉭是在Ar電漿環境中濺鍍成長,而氮硼化鉭則是於N2/Ar混合氣中沉積。薄膜的沉積速率、化學組成、晶體微結構及電阻值,是藉由掃描式電子顯微鏡(SEM)、穿透式電子顯微鏡(TEM)、光電子能譜儀(XPS)、X光繞射儀(XRD)、低掠角X光繞射儀(GAXRD)、傅利葉轉換紅外線光譜儀(FTIR)及四點探針所量測。 結果顯示,硼化鉭薄膜之沉積速率、化學組成及微結構極受基板偏壓之影響。除此之外,成功建立一個決定硼化鉭薄膜性質之沉積動力模式。B/Ta比值隨基板電流密度變化之關

係式為: 關於氮硼化鉭薄膜之沉積速率、化學組成及微結構則極受N2/Ar流量比之影響。在不同濺鍍功率之下,沉積速率皆以 N2/Ar流量比等於0.2處形成階梯漸減的變化。所沉積的薄膜組成中皆包含有晶相的TaBx及TaNx及非晶質的BN。而濺鍍氮硼化鉭的成長動力模式為: 其中 硼化鉭或氮硼化鉭薄膜成長於銅膜和矽基材之間作為銅製程的擴散障壁層。並以X光繞射儀(XRD)、光電子能譜儀(XPS)、四點探針、掃描式電子顯微鏡(SEM)、橫截面(cross-sectional)穿透式電子顯微鏡(XTEM)及歐傑電子能譜縱深分佈(AES depth p

rofile)來探討Cu(150nm)/TaBx(30nm)/Si or Cu(150nm)/TaBxNy(30nm)/Si系統的障壁效能。 實驗結果顯示,硼化鉭薄膜的B/Ta比值對銅製程系統之熱穩定性有極明顯的影響。最佳的組成為TaB1.51,且藉由歐傑電子能譜縱深分佈法測得Cu(150nm)/TaB1.51(30nm)/Si系統在700oC的熱處理可以維持60分鐘而不至失效。另外,硼化鉭擴散障壁層失效的機構為銅原子經由障壁層擴散至硼化鉭/矽界面而形成銅矽化合物(Cu3Si)。 TaBxNy 薄膜中N含量的效應對其作為擴散障壁層效能之影響已被研究。在眾

多組成的薄膜中,TaB0.79N1.94 薄膜對抵抗Cu擴散具有最佳的能力,因為其即使在800oC的退火溫度下持續加熱兩小時亦能維持非晶質的結構。而形成B-N鍵結即是在高溫退火下仍能維持非晶質結構的主要原因。若考量電性,TaB0.79N1.94並不是很好的擴散障壁層材料,TaB0.79N1.79才是最佳的候選材料。TaBxNy失效是由於高溫退火時導致晶界形成,而提供較短的擴散路徑。