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全像徑向偏極轉換器的設計與製造

為了解決三明治apex的問題，作者曾宏隆 這樣論述：

本文提出一種體積相位型全像片的徑向偏極轉換器的新設計。該元件可以將入射光轉換成為徑向偏極光的輸出，並且在各個領域中具有廣泛的應用。根據厚全像光柵的耦合波理論，此偏極選擇體積相位型全像光柵被設計並採用稜鏡-全像片-稜鏡的全像記錄方法製作。沿著入射平面，所製造的偏極選擇體積相位型全像片被裁切成八個等腰三角形子全像片，用以組裝所提出的全像徑向偏極轉換器。全像徑向偏極轉換器的原型被組裝及測試，成功驗證該設計的可行性。在443.29 nm的波長下，s-偏極和p-偏極的光譜繞射效率分別為90.83%和22.09%，工作帶寬約為4.42 nm。在該設計中，由於引入了體積相位型全像片，該設計具有高繞射效率、

窄帶寬、緊湊性和平面構型的優點，並且特別適合於低成本量產，在相關領域具有很高的應用潛力。

無孔徑光束筆微影製程及陣列式金屬奈米粒子之侷域性表面電漿共振研究

為了解決三明治apex的問題，作者吳俊穎 這樣論述：

本論文提出一結合無孔徑近場光學微影與光束筆微影之創新「無孔徑光束筆微影」。 首先，本文使用紫外光硬化樹脂模造技術製作陣列式金字塔結構，並以物理氣相沉積方式於金字塔結構表面沉積金屬薄膜。配合紫外光平行光源照射，使紫外光因金字塔結構造成局部增強之電磁場並穿透金字塔尖端披覆之金屬層，形成紫外光光束筆陣列，透過數值模擬與實驗驗證方式說明此無孔徑紫外光光束筆微影技術之可行性。此外，為了改善近場光學微影中正型光阻結構形貌受近場光學能量分布影響，形成一碗狀結構並限制其後續應用範圍，本文提出一種兩階段圖形轉移的方法來製作具垂直側壁之高深寬比光阻結構。首先，於基板上沉積一光阻/金屬/光阻堆疊的三明治結構，利用

近場光學微影定義最上層的薄膜光阻，使其成為一蝕刻遮罩。利用此一遮罩進行中間金屬層之蝕刻，完成第一階段之圖形轉移，並藉由微影及蝕刻參數的調整，達到控制線寬的目的。接著，利用蝕刻完成之金屬層作為第二階段圖形轉移之蝕刻遮罩，進行底層厚膜光阻的非等向性蝕刻，利用乾式蝕刻中高蝕刻選擇比之特性，製作具垂直側壁之高深寬比光阻奈米結構。最後，本文建立一套五軸奈米定位平台系統，搭配上述無孔徑光束筆微影與兩階段圖形轉移技術，可以進行多重定位的曝光，最後成功以金屬舉離製程製作具有特殊規則排列之金奈米粒子，其最小線寬約250 nm。藉由實驗量測及有限元素法數值模擬其穿透率光譜及電磁場分佈，探討不同間距之金奈米粒子陣列

的侷域性表面電漿共振現象。