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另外網站電阻是什麼？ 基本知識也說明：假設通過LED的電流ILED為15mA(1mA=1/1000A)，根據歐姆定律即可計算出電阻值R為... R=VR/ILED=1(V)/0.015(A)= 因此，圖1-(c)的阻抗值為 ...
國立嘉義大學 電子物理學系光電暨固態電子研究所 高柏青所指導 沈秉訓的 鐵金屬種子層對WO3/Cu/WO3透明導電薄膜之影響及其在透明有機發光二極體之應用 （2021），提出歐姆定律應用關鍵因素是什麼，來自於三層式電極(DMD結構)、熱蒸鍍、銅、三氧化鎢。
而第二篇論文國立彰化師範大學 電子工程學系 柯宗憲所指導 劉瀚元的 應用於堆疊式互補金-氧-半電晶體的隔絕結構及金屬接觸結構製作與分析 （2021），提出因為有 無的重點而找出了 歐姆定律應用的解答。
最後網站歐姆定律 - 求真百科則補充：在通常溫度或溫度變化範圍不太大時，像電解液（酸、鹼、鹽的水溶液）這樣離子導電的導體，歐姆定律也適用。而對於氣體電離條件下，所呈現的導電狀態，和 ...
金版奧賽教程‧物理（八年級）
為了解決歐姆定律應用 的問題，作者董吉炯 主編 這樣論述：
中小學學科競賽是我國覆蓋面最廣、參加人數最多、影響最大的一項中小學生課外活動。據不完全統計，全國每年有三百萬高中學生參與各類學科競賽活動。尤其是近年來，我國選手在國際數學奧林匹克（簡稱IMO）、國際物理奧林匹克（簡稱IPHO）、國際化學奧林匹克（簡稱ICHO）等活動中成績斐然，更是吸引了許多有創新能力和天賦的學生參與學科競賽活動。學科競賽之所以備受廣大學生關注和參與，究其原因是學科競賽不僅具有很強的挑戰性、探究性，而且對塑造和培養學生思維修養和創新意識方面大有裨益。 浙江大學出版社本著為我國基礎教育改革、發展和學科競賽做點有益事情的心願，在精心研究了多年國內外競賽命題規律、博采國內外
優秀試題的基礎．上，邀請了全國各地競賽命題專家、金牌教練，組織編寫了“金版奧寒教程”系列叢書。叢書涵蓋數學、英語、物理、化學、生物、信息技術六大學科，包括從小學到高中各個層次，共計30多個品種。 叢書的最大特點︰ 一是起低，目標高。本叢書以學科基礎知識為起點，適用的對象是學有余力或對該學科有興趣的學生；編寫的依據是各學科競賽大綱，同時兼顧新課程標準教材，對競賽涉及的課外知識給予適當補充，不同層次的學生可以合理取舍。 二是作者陣容強大。作者隊伍既有來自一線的資深特級教師、金牌教練，也有來自高等學府的命題研究專家、命題專家，還有來自國家層面上的國家級教練、領隊。
第一章 聲現象 第一單元 聲音的產生與傳播 第二單元 聲音的特性 噪聲的危害與控制 第二章 光現象 第一單元 光的直線傳播 顏色 第二單元 光的反射平面鏡 第三單元 光的折射看不見的光 第三章 透鏡及其應用 第一單元 透鏡透鏡成像規律 第二單元 生活中的透鏡 第四章 物態變化 第一單元 溫度與溫度計 第二單元 物態變化 熔化和凝固 升華和凝華 第三單元 汽化和液化 第五章 電流和電路 第六章 電壓電阻 第一單元 電壓及串並聯電路電壓規律 第二單元 電阻 變阻器 第七章 歐姆定律 第一單元 歐姆定律 第二單元 測量小燈泡的電阻及歐姆定律應用 第八章 電
功 電功率 第一單元 電功 電功率 第二單元 電和熱 第三單元 生活用電及安全用電 第九章 電與磁 第一單元 磁場 磁現象 電動機 第二單元 電磁感應 發電機 參考答案
鐵金屬種子層對WO3/Cu/WO3透明導電薄膜之影響及其在透明有機發光二極體之應用
為了解決歐姆定律應用 的問題，作者沈秉訓 這樣論述：
在本論文研究中，探討Fe種子層對WO3/Cu/WO3 (WCW)透明導電薄膜在電性、光學以及結構等性質的影響。Fe種子層以及WCW多層薄膜在玻璃基板上以熱蒸鍍方法製備。WCW薄膜的導電性與光穿透性會隨著Fe種子層引入於WO3/Cu介面而明顯增加。相較無種子層的WCW薄膜(平均光穿透率61.87 %與片電阻22.98 ohm/sq)，具Fe無種子層的MAM薄膜樣本具有較低的片電阻(7.80 ohm/sq)與較高的平均光穿透率(73.93 %)，兩薄膜品質因數分別計算為3.71×10-4 ohm-1與6.32×10-3 ohm-1。由於WO3薄膜表面的金屬Cu連續性分佈程度和Cu薄膜厚度與WO3
表面性質相依，因此WO3表面性質對於WCW多層結構薄膜的導電性與光穿透性而言是非常重要的因子。當厚度1 nm的Fe種子層引入後，沈積在WO3表面的Cu薄膜的連續性分佈所需之門檻厚度可由原本的15 nm明顯地降低至12 nm。由掃瞄式電子顯微鏡、原子力顯微鏡量測結果發現，在引入Fe種子層WO3基底層上沈積12 nm之Cu薄膜表面會呈現較佳的表面覆蓋性(孔洞率 =22.69% vs. 7.91%)與平整性(Rrms = 1.92 nm vs. 0.56 nm)。經由接觸角的量測結果可知，Cu金屬薄膜的表面形貌改變可歸因於WO3薄膜與Cu薄膜間的良好接觸與附著性所致。經由X光繞射的量測結果可知，因具
較高表面能的Fe種子層提供了有利於Cu沉積的成核表面，引入後可有效抑制Cu原子的團聚並導致Cu薄膜的晶粒較小(14.06 nm vs. 10.45 nm)。因此，相較無Fe種子層的WO3表面，Cu薄膜沉積於具Fe種子層的WO3表面會較平滑且具有較低的門檻厚度(15 nm vs. 12 nm )。當使用WCW多層結構薄膜作為反式穿透型有機發光二極體(結構：ITO/Alq3:Na2CO3/Alq3/BCP/NPB/陽極)的陽極材料時，相較無Fe種子層之陽極(WO3(20 nm)/Cu(15 nm)/WO3(20 nm))之元件(Vturn-on = 5 V、Ltotal = 1927 cd/m2、
ηc= 0.64 cd/A、ηp = 0.50 lm/W)，具Fe種子層之陽極(WO3(20 nm)/Fe(1 nm)/Cu(12 nm)/WO3(20 nm))的有機發光二極體具有較佳電激發光特性，其中包含：較低的驅動電壓(4.5 V)、較高的輝度(2250 cd/m2)、電流效率(0.72 cd/ A)以及功率效率(0.59 lm/W)。
應用於堆疊式互補金-氧-半電晶體的隔絕結構及金屬接觸結構製作與分析
為了解決歐姆定律應用 的問題，作者劉瀚元 這樣論述：
本論文提出利用三五族化合物p型與n型砷化鎵(GaAs)，製作堆疊式互補金-氧-半電晶體(Stacked CMOS)，分別嘗試以砷化鋁(AlAs)、砷化鎵鋁(AlGaAs)作為CMOS p型與n型電晶體之間的絕緣層，並以用空氣做絕緣層分隔當作目標。實驗顯示當以AlAs作為絕緣層時，在2 V下AlAs 厚度200 nm與厚度0 nm相比電流從103 A/cm2降為10-5 A/cm2。絕緣層更換成AlGaAs時，在2 V下，上層通道電流為9×10-6 A，而經過50奈米AlGaAs絕緣層後，電流降為8×10-10 A，降低約4次方。以空氣作為絕緣層的懸空結構，也成功在本論文中展示。隨著元件尺寸的
微縮，金屬與半導體接觸良好與否為影響電晶體特性的另一個重要因素。本論文中使用的多重圓形傳輸線模型(Multi-Ring Circular Transmission Line Model, MR-CTLM)萃取ρ_C，MR-CTLM比起傳統TLM精準度更佳，製程更簡易。TiN/Al/TiN/Ti與TiN/Al/TiN金屬結構於n-InGaAs上，特徵接觸電阻(Specific contact resistance, ρ_C)分別為7.1×10-8 Ω‧cm2及4.4×10-6 Ω‧cm2。其中Ti/InGaAs的接面，在350°C 下經過30秒的退火後，ρ_C值上升至9.9×10-7 A/cm2
，藉由穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron Microscopy, TEM)觀察發現As會擴散至Ti中，而TiN/InGaAs接面在退火後，ρ_C則是下降為1.9×10-6 Ω‧cm2，TEM分析下，元素沒有擴散的情形發生。得知TiN/InGaAs接面相較於Ti/InGaAs接面，其熱穩定性更佳。側壁傳輸線模型(Sidewall TLM, STLM)成功量測TiN/p-GaAs 10 um側壁ρ_C約為2.0×10-4 Ω‧cm2、40 um為1.4×10-4 Ω‧cm2，兩者退火後ρ_C沒有明顯增加，證明TiN與InGaAs有不錯的熱穩定性。本論文中得知AlGaAs比
AlAs適合作為Stacked CMOS絕緣層，並成功展示以空氣做絕緣層的基本結構。利用MR-CTLM分析出TiN與InGaAs接面在高溫下比Ti/InGaAs穩定，但ρ_C較高。目前關於金屬接觸電阻的分析多侷限在平面結構，而將來元件結構勢必朝向三維立體結構邁進，因此本論文所提出之元件側壁半導體和金屬接觸特性分析結果預期有助於半導體元件結構之製程與發展。