氫原子能階的問題,透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列股價、配息、目標價等股票新聞資訊

氫原子能階的問題,我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍,推薦林雲海寫的 基礎量子力學(2版) 和蘇宏德的 量子力學解題要訣(含國家考試近代物理)都 可以從中找到所需的評價。

另外網站CH4.pdf - 第四章原子結構1885年瑞士籍高中數學教師J. Balmer ...也說明:第四章原子結構1885年瑞士籍高中數學教師J. Balmer發現氫原子光譜線的波長滿足經驗公式n2 ln = 364.6 2 nm n -4 Rydberg Ritz 1 1ö ... 氫原子能階213.6eVnEn= -游離能.

這兩本書分別來自五南 和曉園所出版 。

淡江大學 物理學系碩士班 鄭振益所指導 鄭喬鴻的 Ⅱ-Ⅵ族半導體量子點之穩定性研究 (2006),提出氫原子能階關鍵因素是什麼,來自於Ⅱ-Ⅵ族半導體、量子點、穩定性、硒化鎘、金膜、奈米結構。

而第二篇論文國立臺灣大學 應用力學研究所 郭茂坤所指導 游景翔的 柱狀量子點應變效應之研究 (2002),提出因為有 量子點、微觀力學、有限元素法、異質接面、穿隧二極體、能帶工程的重點而找出了 氫原子能階的解答。

最後網站高雄中學九十九學年度第二學期期末考高三物理則補充:一基態氫原子(其能階值為- =-13.6 電子伏特)吸收一個12.1 電子伏特之光子,成為受激態。此時其電子軌道半徑, ... 相對的原子能態的能階差是數個電子伏特(eV)。

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了氫原子能階,大家也想知道這些:

基礎量子力學(2版)

為了解決氫原子能階的問題,作者林雲海 這樣論述:

  二十一世紀以來高科技產業的產品已進入奈米級,元件愈做愈小,性質的效應就自動呈現出量子效應。以往經典物理的智慧已無法解決許多難題,因此必須要有另一物理的新觀念──量子物理的境界。量子物理的概念已深深的潛現於現代高科技工程師的腦海裡,很自然的能解決當代奈米級元件的創作技術,使得許多難題迅速獲得通暢。   本書以基礎的量子力學將物理量子化的發展足跡展示人類對於物理真理的認識過程,從抽象的理論到細緻的科學實驗驗證宇宙物質的二象元(波動與粒子)的存在。  

Ⅱ-Ⅵ族半導體量子點之穩定性研究

為了解決氫原子能階的問題,作者鄭喬鴻 這樣論述:

本論文旨在探討Ⅱ-Ⅵ族半導體奈米結構之穩定性研究。我們觀察覆蓋2nm之金膜後,不同大小之量子點結構在經過不同時間後的變化,希望藉由覆蓋金膜可以在長時間上保存半導體的奈米結構。 在實驗上,首先以熱壁式磊晶系統來製作我們的樣品,藉由控制GaAs(001)基板表面洗滌、磊晶厚度與成熟期時間等條件,得到較佳的量子點結構,接著以AFM來觀測覆蓋2nm金膜後,量子點結構在不同時間點上的結構變化。 在量子點的特殊結構中,我們經由適當的實驗條件,可以製作出量子環與量子花之特殊結構,針對這些實驗條件,我們分析出這些特殊結構的生長機制。

量子力學解題要訣(含國家考試近代物理)

為了解決氫原子能階的問題,作者蘇宏德 這樣論述:

  一、解題詳盡。   二、題前皆附有[基本題][進階難題]...等醒目標示,方便讀者閱讀與複習,增加學習效率。   三、詳附數學工具,便利讀者隨時查閱,省去翻閱工程數學或應用數學(物理數學)書籍之時間。  

柱狀量子點應變效應之研究

為了解決氫原子能階的問題,作者游景翔 這樣論述:

由於半導體元件的電子特性決定於能帶結構,而量子點中磊晶層之應變將造成半導體的導電帶特徵能量的改變,進而影響電子躍遷難易度,本文以有限元素法分析柱狀量子點中因晶格不匹配所引致的應變,結合量子力學的估算,進而探討應變層對量子點特徵能量之影響。本文利用線彈性力學與熱應力理論配合有限元素法套裝軟體FEMLAB以分析柱狀量子點因晶格不匹配所引致的應變分佈,並利用量子力學理論配合微擾法修正薛丁格方程式中的勢能函數以估算量子點導電帶的特徵能量。本文的分析發現對於InAs/GaAs之柱狀量子點,考慮材料異向性之分析與簡化後之等向性分析,於應變上的差異可高達百分之十五,而在特徵能量分佈上的差異最大為百分之五十

,因此材料之異向性不可忽略。本文同時發現,柱狀量子點於第一及第二特徵能量時,其機率密度函數有明顯的環狀對稱現象產生,於第五特徵能量以後,其環狀對稱性降低。