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另外網站DRAM,台積電,TSMC,Michael Rayfield ,陳俊聖,動態隨機存 ...也說明：由於此一製程整合了邏輯與記憶體功能於面積更小的單一晶片上，因此能使得系統產品電路板更為輕薄短小，也提高了系統的可靠度。 台積電65奈米嵌入式DRAM製程使用低溫操作 ...
國立清華大學 電子工程研究所 金雅琴所指導 廖矩鋒的 相容於邏輯製程之淺溝槽絕緣邊界電阻式記憶體 （2015），提出記憶體製程 邏輯製程關鍵因素是什麼，來自於電阻式記憶體、淺溝槽絕緣。
而第二篇論文國立成功大學 電機工程學系碩士在職專班 王水進所指導 黃駿松的 提升65nm嵌入式非揮發性記憶體良率之製程改善研究 （2015），提出因為有 嵌入式非揮發性記憶體、碳離子植入、良率提升的重點而找出了 記憶體製程 邏輯製程的解答。
最後網站快閃記憶體則補充：藉由量子穿隧抹除一個NOR Flash記憶單元（將其在邏輯上設為1）. 快閃記憶體的每個 ... 快閃記憶體技術中，縮小製程設計規則或技術里程點的積極趨勢，有效的呼應摩爾定律 ...
新世代積體電路製程技術
為了解決記憶體製程 邏輯製程 的問題，作者台灣電子材料與元件協會/編著 這樣論述：
記憶體製程 邏輯製程進入發燒排行的影片
大盤強弱勢掃描，昨天台股早盤一度來到8,700點之上，但隨即下殺並且翻黑，蘋果法說會後股價表現已相對弱勢的供應鏈，昨天甚至跌幅加劇，指標股除了大立光（3008）與和碩（4938）分別小漲之外，台積電（2330）、鴻海（2317）、F-TPK（3673）、可成（2474）、日月光（2311）等個股全數已下跌作收，成為台股盤面弱勢指標。
昨天不只是蘋概股撐不了大盤，非蘋陣營也無力擔綱大任，宏達電今天將舉行法說會，不過第3季財報仍持續虧損，拖累股價重挫3.3元，拖累相關供應鏈，包括F-TPK重挫9.57%，跌破90元大關，美律、位速、介面、天宇等，跌幅都超過1.5%。
另外，金融股也是昨天盤面重災區，包括元大金、富邦金、合庫金、新光金、國泰金、第一金等，跌幅都超過1.5%，主要是來自外資的賣單調節，昨天外資賣超金額放大到56億元，目標就大多是金融股，包括開發金（2883）、元大金（2885）、兆豐金（2886）、等個股賣超張數都超過1萬張，衝擊股價走勢。
昨日逆勢走強個股，則有受惠於光通訊 雲端 網路相關的概念股，當中光通訊股王 聯亞光(3081)在大盤重挫的情況下逆勢放量大漲，同屬光通訊的光聖(6442)股價也上漲。
另外，觀光類股在市場期待行政院可能推出刺激國內消費方案激勵下，表現相對抗跌， 雄獅(2731)受惠旅展預購開放到明年端午檔期，搶攻明年假連假商機，股價正向反應，漲幅近2%。
在個別股部分，儘管下半年半導體產業環境不佳，力成(6239)第3季營收與獲利卻逆風成長，主要是受惠於記憶體後段製程與覆晶邏輯IC封裝持續搶市，可望讓第4季與明年第1季淡季不淡，維持成長動能。昨天力成股價上漲
隨著TV背光景氣落底、LED照明需求量大增，東貝（2499）預期10月營收將優於9月，第4季營運也會超前第3季，景氣在7～8月之間已經觸底，昨天大漲超過8%。
在外資動態方面，美國Fed宣佈暫不升息、帶動美股四大指數28日同步大漲逾1％，但這股反彈行情並未反應在昨天台股，外資對台股也是擴大賣超，顯現資金行情有退卻現象，在資金行情降溫下，市場將把焦點放在基本面上，今天行政院主計總處預定公布的第三季ＧＤＰ數據表現將格外受到檢視。
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相容於邏輯製程之淺溝槽絕緣邊界電阻式記憶體
為了解決記憶體製程 邏輯製程 的問題，作者廖矩鋒 這樣論述：
在未來，物聯網將實現世界數位化，所有物品將以網路連線，人類的生活方式將徹底改變。隨著智慧手持產品起飛，產品均以輕薄短小為發展趨勢，而PIM(Process-in-Memory, PIM)技術最具代表性，其為把記憶體嵌入至中央處理去中，一方面可大幅提升處理速度，也減少電力消耗，PIM技術將成為打開物聯網與巨量分析時代大門之鑰，但龐大的資料必須要有相對應的儲存媒介當作資料的運轉與儲存使用。目前市面上的非揮發性記憶體皆屬於電荷儲存式的快閃記憶體，但隨著半導體的製程微縮，浮動閘極中儲存的電荷會越來越少，代表處存與否之狀態會越來越接近，如果快閃記憶體達到物理極限便無法正常運作。因此，新穎非揮發性記憶體
開發格外重要。 本論文以40奈米互補式金氧半邏輯製成實現一淺溝槽絕緣電阻式記憶體(Shallow Trench Isolation Sidewall Resistive Random Access Memory ,STI Sidewall Edge RRAM)，此記憶體在製程上無需額外光罩且最小記憶單元佈局面積極小。STI Sidewall Edge RRAM控制轉換厚度簡單且可精準，且此元件變異將隨著製程微縮變得更小，此記憶體在直流掃描(DC Sweep)與交流脈衝(AC pulse)操作中具有低功率消耗且高速操作特性，利用ISPP演算法可使記憶單元耐久度達一百萬次設置/重置循環測試，
儲存資料以150oC高溫連續烘烤可穩定保存資料超過一百萬秒，最後以連續一萬秒讀取測試不管是高阻態或是低阻態並部會資料失真，可知STI Sidewall Edge RRAM既有良好的操作特性也含良好的資料保存能力。
提升65nm嵌入式非揮發性記憶體良率之製程改善研究
為了解決記憶體製程 邏輯製程 的問題，作者黃駿松 這樣論述：
本論文旨在探討65 nm嵌入式非揮發性記憶體低產品良率的成因與其相關改善技術之研究。本論文主著重於實驗觀察到的現象及趨勢，找出影響良率的主要因素，並透過分析及實驗，提升產品良率，達到能夠穩定量產的水準。嵌入式非揮發性記憶體在未來的數位產品應用的重要性與日俱增，尤其是互聯網、移動裝置中，都必須要有一定容量的非揮發性記憶體用來儲存所需的基本資料，爾後才能透過網路連線將資料傳送到目的地加以分析。隨著製程的微縮及複雜化，嵌入式非揮發性記憶體已較純邏輯產品增加許多道特殊製程。一般而言，嵌入式快閃記憶體技術需在標準邏輯製程上外加11～12層光罩，如何決定這些額外產生的特殊製程順序及衍生出的問題加以分析並
解決，是一極重要課題。本論文研究工作，主要透過低良率產品的失效分析，找出原因並調變製程參數，以提升良率。經過不斷的電性分析以及分批實驗結果，抽絲剝繭解決隱藏於製程中的所有問題，最終將良率提升到量產的要求。根據製程中良率提升的實驗結果及過程，我們發現當製程微縮時，任何額外的製程容易影響元件的特性，有些是製程產生的缺陷，使元件短路，有些是因為額外製程中的熱預算使原先的元件特性漂移，造成低良率。於製程開發過程中，發現透過額外的碳離子植入可以抑制多晶矽結晶成長，減少磷離子透過結晶介面擴散，雖然實驗結果發現跟植入的能量及劑量無關，但還是決定將此步驟加在製程中，以增加製程穩定性；光阻與多晶矽間在黃光曝光顯
影前，透過乾蝕刻產生薄氧化層可以減少光阻在顯影後殘留的程度，進而改善蝕刻缺陷的產生，可以使缺陷數目從上千顆的不穩定狀態大幅降低到不到100顆的穩定狀態；額外植入硼離子可以讓靜態隨機存取記憶體(SRAM)的元件分布特性更加收斂，使其最低操作電壓從原本的1080 mV縮小到850 mV，這將使SRAM能在高頻(100 Mhz)下操作而不會有tail bit速度跟不上而導致的良率損失。在此當時，新型材料與結構的非揮發性記憶體，如FeRAM、RRAM、MRAM的開發也在如火如荼的進行中，但目前這些新型非揮發性記憶體的可靠度仍然需要時間去證明。相較之下，微縮傳統架構嵌入式非揮發性記憶體，仍然是值得投資的
項目，藉由此次在65 nm平台中的經驗，相信能夠縮短在下個製程微縮平台的開發時間。