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統計物理學中的量子場論方法：第3版

為了解決薄膜電阻英文的問題，作者（俄羅斯）阿布里科索夫 這樣論述：

第一位作者是2003年諾貝爾物理學獎獲得者阿列克謝·阿布里科索夫.這本書初版在1962年，在1963年即由郝柏林院士翻譯成中文，是我國60年代以來學習統計物理學中的量子場論方法最早、最普及的專著。但當時印數很少，現在可能只有在圖書館才能借到。因此郝柏林院士對該書的第三版進行重新翻譯出版,並將作者為英文譯本准備的補充和訂正加進去。 阿布里科索夫、戈爾可夫、加洛辛斯基，蘇聯著名物理學家,譯者為中科院院士。 第1章 多粒子系統在低溫下的一般性質 §1元激發.液體He4在低溫下的能譜和性質 §1.1 引言.准粒子 §1.2 玻色液體的能譜 §1.3 超流 §2費米

液體 §2.1 費米液體中的激發 §2.2 准粒子能量 §2.3 聲波 §3二次量子化 §4稀薄玻色氣體 §5稀薄費米氣體第2章 溫度等於零時的量子場論方法 §6相互作用表象 §7格林函數 §7.1 定義.自由粒子的格林函數 §7.2 解析性質 §7.3 極點的物理意義 §7.4 系統在外場中的格林函數 §8圖解法的基本原則 §8.1 從變量N到變量μ的變換 §8.2 維克定理 §8.3 費曼圖 §9各種類型相互作用的構圖規則 §9.1 坐標空間中的圖解法.舉例 §9.2 動量空間中的圖解法.舉例 §10戴遜方程.項角部分.多粒

子格林函數 §10.1 圖形求和.戴遜方程 §10.2 項角部分.多粒子格林函數 §10.3 基態能量第3章 溫度大於零時的圖解法 §11溫度格林函數 §11.1 一般性質 §11.2 自由粒子溫度格林函數 §12微擾論 §12.1 相互作用表象 §12.2 維克定理 §13坐標空間中的圖解法 §14動量空間中的圖解法.舉列 §14.1 動量表象 §14.2 舉例 §15熱力學勢Ω的微擾論級數 §16戴遜方程.多粒子格林函數 §16.1 戴遜方程 §16.2 格林函數和熱力學勢Ω的關系 §17溫度大於零時的時間格林函數.格林函數的解析

性質第4章 費米液體理論 §18動量傳遞很小時頂角部分的性質.零聲 §19有效質量.邊界動量和粒子數的關系.能譜的玻色支.比熱 §19.1 幾個輔助關系式 §19.2 費米液體理論基本關系的證明 §19.3 能譜的玻色支 §19.4 費米動量p0和粒子數關系的另一推導法 §19.5 比熱 §20相碰粒子總動量很小時頂角部分的奇異性 §21溫度等於零時電子和聲子的相互作用 §21.1 頂角部分 §21.2 聲子格林函數 §21.3 電子格林函數 §21.4 電子比熱線性項的修正 §22簡並等離子體的某些性質 §22.1 問題提法 §22.2

動量傳遞小的項角部分 §22.3 電子能譜 §22.4 熱力學函數第5章 相互作用玻色粒子系統 §23絕對溫度零度時應用場論方法於玻色粒子系統 §24格林函數 §24.1 方程式的結構 §24.2 格林函數的解析性質 §24.3 動量很小時格林函數的性質 §25稀薄非理想玻色氣體 §25.1 圖解法 §25.2 化學勢和單粒子格林函數自能部分的關系 §25.3 低密度近似 §25.4 有效相互作用勢 §25.5 低密度近似下玻色氣體的格林函數.能譜 §26單粒子激發譜在其終點附近的性質 §26.1 問題提法 §26.2 方程組 §2

6.3 產生聲子的閾點附近譜的性質 §26.4 裂變成兩個動量平行且不為零的元激發時閾點附近譜的性質 §26.5 兩個激發以一定角度飛出的裂變 §27溫度大於零時場論方法應用於有相互作用的玻色粒子系統第6章 吸收介質中的電磁輻射 §28吸收介質中電磁輻射的格林函數 §29介電常數的計算 §30不均勻電介質中的范德瓦耳斯力 §31固體間的分子作用力 §31.1 固體間的相互作用力 §31.2 溶液中原子間的相互作用力 §31.3 固體表面上的薄膜第7章 超導理論 §32概論.模型的選擇 §32.1 超導現象 §32.2 模型.相互作用哈密頓量 §3

3庫伯現象 §33.1 頂角部分的方程 §33.2 頂角部分的性質 §33.3 轉變溫度的確定 §34超導體的基本方程組 §34.1 絕對溫度零度的超導體 §34.2 有外電磁場存在時的方程.規范不變性 §34.3 溫度高於零的超導體 §35聲子模型中超導理論方程組的推導 §36超導體的熱力學 §36.1 能隙和溫度的關系 §36.2 超導體的熱力學 §37在弱電磁場中的超導體 §37.1 弱恆定磁場 §37.2 交變場中的超導體 §38任意磁場中的超導體在轉變溫度附近的性質 §39超導合金理論 §39.1 問題提法 §39.2 正常

金屬的剩余電阻 §39.3 超導合金的電磁性質參考文獻

CMOS集成電路設計手冊(第3版·基礎篇)

為了解決薄膜電阻英文的問題，作者（美）貝克 這樣論述：

討論了CMOS電路設計的工藝、設計流程、EDA工具手段以及數字、模擬集成電路設計，並給出了一些相關設計實例，內容介紹由淺入深。該著作涵蓋了從模型到器件，從電路到系統的全面內容，是一本權威、綜合的CMOS電路設計的工具書及參考書。　　《CMOS集成電路設計手冊》英文原版書是作者近30年教學、科研經驗的結晶，是CMOS集成電路設計領域的一本力作。《CMOS集成電路設計手冊》已經過兩次修訂，目前為第3版，內容較第2版有了改進，補充了CMOS電路設計領域的一些新知識，使得本書較前一版內容更加詳實。　　為了方便讀者有選擇性地學習，此次將《CMOS集成電路設計手冊》分成3冊出版，分別為基礎篇、數字電路篇和

模擬電路篇。本書作為基礎篇，介紹了CMOS電路設計的工藝及基本電參數知識。本書可以作為CMOS基礎知識的重要參考書，對工程師、科研人員及高校師生都有着較為重要的參考意義。 第1章　CMOS設計概述　1 1.1　CMOS集成電路的設計流程　1 制造　2 1.2　CMOS背景　6 1.3　SPICE概述　8第2章　阱　33 2.1　圖形轉移　34 n阱的圖形轉移　37 2.2　n阱版圖設計　37 n阱的設計規則　38 2.3　電阻值計算　39 n阱電阻　40 2.4　n阱/襯底二極管　41 2.4.1　PN結物理學簡介　41 2.4.2　耗盡層電容　45 2.4.

3　存儲或擴散電容　47 2.4.4　SPICE建模　49 2.5　n阱的RC延遲　51 2.6　雙阱工藝　54第3章　金屬層　61 3.1　焊盤　61 焊盤版圖設計　61 3.2　金屬層的版圖設計　64 3.2.1　metal1和via1　64 3.2.2　金屬層的寄生效應　66 3.2.3　載流極限　69 3.2.4　金屬層設計規則　70 3.2.5　觸點電阻　71 3.3　串擾和地彈　72 3.3.1　串擾　72 3.3.2　地彈　73 3.4　版圖舉例　75 3.4.1　焊盤版圖II　76 3.4.2　金屬層測試結構版圖設計　78第4章　有源層和多晶硅層　83 4

.1　使用有源層和多晶硅層進行版圖設計　83工藝流程　89 4.2　導線與多晶硅層和有源層的連接　92 4.3　靜電放電(ESD)保護　100第5章　電阻、電容、MOSFET　105 5.1　電阻　105 5.2　電容　113 5.3　MOSFET　116 5.4　版圖實例　124第6章　MOSFET工作原理　131 6.1　MOSFET的電容回顧　131 6.2　閾值電壓　135 6.3　MOSFET的IV特性　140 6.3.1　工作在線性區的MOSFET　140 6.3.2　飽和區　142 6.4　MOSFET的SPICE模型　145 6.4.1　SPICE仿真實例　149 6

.4.2　亞閾值電流　150 6.5　短溝道MOSFET　152 6.5.1　MOSFET縮比　153 6.5.2　短溝道效應　154 6.5.3　短溝道CMOS工藝的SPICE模型　155第7章　CMOS制備　165 7.1　CMOS單元工藝步驟　165 7.1.1　晶圓的制造　165 7.1.2　熱氧化　167 7.1.3　摻雜工藝　168 7.1.4　光刻　171 7.1.5　薄膜去除　174 7.1.6　薄膜沉積　177 7.2　CMOS工藝集成　181 7.2.1　前道工藝集成　183 7.2.2　后道工藝集成　202 7.3　后端工藝　213 7.4　總結　2

15第8章　電噪聲概述　217 8.1　信號　217 8.1.1　功率和能量　217 8.1.2　功率譜密度　219 8.2　電路噪聲　222 8.2.1　電路噪聲的計算和建模　223 8.2.2　熱噪聲　228 8.2.3　信噪比　234 8.2.4　散粒噪聲　247 8.2.5　閃爍噪聲　250 8.2.6　其他噪聲源　257 8.3　討論　259 8.3.1　相關性　259 8.3.2　噪聲與反饋　264 8.3.3　有關符號的一些最后說明　267第9章　模擬設計模型　275 9.1　長溝道MOSFET　275 9.1.1　平方律方程　277 9.1.2　小信號

模型　284 9.1.3　溫度效應　300 9.2　短溝道MOSFET　304 9.2.1　通用設計(起始點)　304 9.2.2　專用設計(討論)　308 9.3　MOSFET噪聲模型　310第10章　數字設計模型　319 10.1　數字MOSFET模型　320 10.1.1　電容效應　323 10.1.2　工藝特征時間常數　324 10.1.3　延遲時間與躍遷時間　325 10.1.4　通用數字設計　328 10.2　MOSFET單管傳輸門電路　329 10.2.1　單管傳輸門的延遲時間　331 10.2.2　級聯的單管傳輸門的延遲時間　333 10.3　關於測量的最后說

明　334附錄　339

二維半導體材料合成及其電子特性調控之研究

為了解決薄膜電阻英文的問題，作者何世明 這樣論述：

近幾年矽基電子元件 (Si-based electronics) 隨著元件尺寸微縮 (scaling down) ，除了改良電晶體結構之外，尋找高效能次世代電子元件材料也是積極開發的目標；而二維材料因厚度只有幾個的原子層以及多樣且優異的材料特性吸引各大領域爭相研究。其中石墨烯 (graphene) 雖然具有優異的電子特性但是本質上為無能隙 (gapless) 材料以及高品質石墨烯合成技術產能仍需改善。為了解決前述問題，在此將多孔隙 (porosity) 材料與銅箔堆疊繞捲於一吋傳統水平爐管，能有效提升爐管空間使用率。並且藉由孔隙材料幫助氣體擴散至整個結構中，使產率 (yield) 達到234

8 cm2/h為一般水平堆疊的四倍；而當加熱爐管系統延伸至八吋大小，產率能達到至少18 m2/h。為了研究異質原子參雜石墨烯的電性調控，利用高能量離子佈植技術 (keV ion implantation) ，將磷離子 (phosphorous-ion) 注入於金薄膜披覆的大面積石墨烯上，藉由此保護層減少注入離子的能量以及降低石墨烯的損傷程度，更能使用此保護層將摻雜石墨烯直接轉印到目標基板上；並且藉由後退火 (post-annealing) 修復晶格結構得到乾淨且低缺陷以及2 – 4個原子百分比的磷摻雜石墨烯。其載子遷移率 (mobility) 仍然可以維持450 cm2/V·s以及4.85 –

4.15 eV的功函數 (work function) 調控；並且在大氣環境下其摻雜效果以及電子特性可以維持至少數個月。此外，由於大多二維材料因能隙小於2 eV因此較難於高電壓元件；而新興的二維材料 – 銻烯 (antimonene) ，因具有2.28 eV寬能隙、優異的電子傳輸特性以及長時間的大氣穩定性，也被譽為下世代元件材料之一。然而，目前所發表的文獻大多以模擬分析為主；合成方法則以分子束磊晶 (molecular beam epitaxy) 以及液相剝離 (liquid-phase exfoliation) 較為廣泛使用，因此所能觀察到的單層銻烯面積過小 (< 1 µm) 較難用以後續

探討材料特性。因此，此研究將藉由調控氣相傳輸沉積法 (vapor transport deposition) 的環境參數並研究各條件對銻烯生長的影響以及機制的探討。從合成的銻烯厚度和面積呈現面積變大也增厚的正相關 (positive correlation) 變化，可以推測銻烯的成長模式偏好為Volmer-Weber的島狀成長；而提升氫氣比例時能有效降地Sb2O3蒸氣比例並增加銻烯的成長密度，但是過多的氫氣也會抑制銻烯的成長。後續使用雙層石墨烯封裝銻烯，藉由封裝退火 (encapsulated annealing) 發現銻烯在400 – 600℃範圍內具有高熱穩定性 (thermal stab

ility) 。本研究中提出的高產率繞捲合成方式以及穩定的離子佈植摻雜方法，可延伸至其他二維材料進行高產率合成以及可控性摻雜，並相容現有的半導體製程；以及二維半導體材料的合成機制探討，有利於未來新穎奈米電子材料以及元件製程開發。